陈淑娴
,
凤仪
,
李庶
,
解育娟
,
李京徽
,
王东里
材料热处理学报
采用粉末冶金法在保护气氛下制备Cu-MoS2复合材料,用X射线衍射(XRD)和光电子能谱分析(XPS)技术对烧结前、后的试样进行物相和成分分析.研究二硫化钼的含量对复合材料烧结过程和性能的影响.通过热力学分析对烧结过程中的反应进行了讨论.结果表明,在烧结过程中MoS2并未与H2反应,而只与基体铜发生两步反应,分别生成复杂的铜钼硫化合物、Cu的硫化物和单质Mo.且随着MoS2含量的增加,烧结产物有规律地发生变化,复合材料的抗弯强度大幅度减小,电阻率明显升高.热力学分析与XRD和XPS测试结果相吻合.
关键词:
Cu-MoS2复合材料
,
烧结
,
X射线衍射(XRD)
,
光电子能谱(XPS)
王东里
,
凤仪
,
李庶
,
李京徽
,
陈淑娴
,
解育娟
金属功能材料
Al2O3颗粒弥散强化铜基复合材料因具有高强度和高导电性而在电子行业和电阻焊行业有着广阔的应用前景.Al2O3弥散强化铜基复合材料在制备过程中,由于Al2O3颗粒与铜基体的结合力较差,导致Al2O3纳米颗粒在铜基体中分散不均匀,降低复合材料的性能.本试验尝试用甘氨酸-硝酸盐法(GNP法)与高能球磨结合的方法提高Al2O3纳米颗粒与铜基体的结合力,解决Al2O33纳米颗粒在铜基体中的分散问题.
关键词:
甘氨酸-硝酸盐法
,
高能球磨
,
弥散强化
,
铜基复合材料
陶淑苹
,
郑晓云
,
朴永杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0514
小型化相机是支持低成本徽型飞行器或徽小卫星对地观测等多项应用的关键设备,由此提出了一种高分辨率大面阵的小型化成像系统.首先预估了该成像系统用于目标观测的像元分辨率和幅宽.然后阐述了该系统的电子学方案,对其中的关键芯片 OV14825的工作原理进行了介绍,并分析了基于 FPGA的串行差分数据接收转发的软件设计.最后基于设计的相机样机开展了成像实验,在13 m成像距离条件下获取图像分辨率优于0．5 mm,而且图像细节丰富,层次分明,证明该方案切实可行.高分辨率大面阵徽型相机具有很好的应用价值.
关键词:
微型相机
,
CMOS传感器
,
面阵
,
分辨率
吴贤振
,
余敏
,
吴强
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.05.008
为优化铜坑矿92#矿体凿岩爆破参数,进行了单孔爆破漏斗试验、孔网参数以及徽差间隔时间对比试验.经过综合分析,最终推荐铜坑矿Ф65 mm扇形中深孔凿岩爆破参数为:炸药单耗1.168 kg/m3,最小抵杭线1.2 m,孔底距1.5 m,微差间隔时间50ms.
关键词:
扇形中深孔
,
爆破漏斗
,
微差间隔时间
,
孔网参数
许雅琴
,
苏子芳
,
钟德镇
,
关星
,
刘英明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0399
随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式 IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻徽区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom )等,发现影像残留严重区域与轻徽区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。
关键词:
负性液晶
,
残影
,
公共电极电压
范应娟
,
袁桃利
,
张麦丽
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0416
由于液晶显示器中间隔子的均匀性影响着对比度、色调变化等性能,因此,本文对液晶显示屏间隔子均匀性的检测方法进行了研究。首先分别利用干喷和湿喷法制备了对应的液晶盒,然后采用偏光显徽镜研究了所制备液晶显示屏间隔子的分布特性。研究发现,正常情况下,液晶盒内间隔子最小距离接近20μm,最大距离超过100μm；间隔子分布不良的主要缺陷为间隔子团聚；在实验室条件下,干喷法间隔子团聚比较严重,湿喷法基本上无此现象。所以,利用偏光干涉法,通过调节偏光显徽镜上下偏光片的相对角度,可以在不破坏液晶显示屏的前提下直接观察到其内部的间隔子及间隔子的分布情况。文中还分析了利用偏光干涉检验间隔子均匀性的原理。
关键词:
间隔子
,
均匀性
,
偏光干涉
,
液晶盒
白金超
,
王玉堂
,
郭总杰
,
丁向前
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0432
研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
接触电阻
,
过孔设计优化
曹晓苗
,
杭祖圣
,
应三九
材料导报
使用超临界流体技术制备徽孔发泡聚合物,泡孔形貌是影响微孔聚合物性能的关键因素.针对微孔发泡聚合物泡孔形貌控制,即增加泡孔密度、减小泡孔直径、均化泡孔尺寸分布,从工艺条件、基体性质、共混改性、纳米添加剂、外加力场等影响因素出发,综述了近年来微孔发泡聚合物泡孔形貌控制的研究进展；最后展望了微孔发泡聚合物的前景.
关键词:
发泡
,
泡孔形貌
,
微孔聚合物
,
超临界
