朱键婷
,
刘珊
,
苏海佳
材料导报
利用正交实验优化pH敏感型PASP栽药材料的制备工艺,选取酮洛芬为模型药物,通过测定药物释放度,考察了制备载药水凝胶的主次因素并确定了最佳工艺为PSI与己二胺物质的量比20:1,NaOH溶液浓度1mol/L,NaOH与原料聚琥珀酰亚胺(PSI)物质的量比0.4,凝胶栽药率15%.由Peppas方程可知,凝胶在模拟肠液中的释放规律是扩散和溶蚀综合作用的结果,而在模拟胃液中则为溶蚀控制的作用.
关键词:
聚天冬氨酸水凝胶
,
pH敏感性
,
药物控释
,
正交实验
丁高明
,
卢树东
,
刘国荣
,
肖淳
黄金
doi:10.11792/hj20160904
朱林西金矿床位于金山金矿田的中北部，是与韧-脆性剪切带有关的石英脉型、蚀变岩型金矿床。在综合研究和利用矿区以往地质地球化学资料基础上，选取矿区40号勘探线为典型地质剖面，对该剖面坑探工程控制的Ⅰ号金矿带进行系统采样和数据分析与统计计算。利用相关分析、聚类分析、因子分析方法，确定了金矿床的原生晕组合特征。通过绘制和分析原生晕元素轴向异常分布图和叠加图、地球化学参数计算图，初步归纳了矿床构造叠加晕总体特征，并分析了矿体原生晕特征的地质意义以及对深部盲矿体预测的应用。研究认为：As与 Au关系密切， As、Sb和Hg为金矿体的前缘指示元素组合；Pb、Zn、Cu分布于矿体周围，为矿体的近矿晕指示元素组合；Mo、Mn和Co元素为矿体的尾晕元素组合；尾晕的反带异常、前缘晕与尾晕叠加等特征对深部盲矿体预测有重要指示作用。
关键词:
原生晕
,
朱林西金矿床
,
金山金矿田
,
盲矿体预测
冯震宙
,
王新军
,
王富生
,
高行山
,
岳珠峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.027
LS-DYNA可以满足用户对某些材料本构关系子程序开发的要求.本文首先编制了各向同性线弹性材料本构模型子程序,计算单轴拉伸作用,得到材料子程序开发的可行性;另外主要编制了飞机风挡材料采用的具有应变率效应的非线性粘弹性朱-王-唐本构模型,结果能很好地对朱-王-唐模型进行描述,特别是应变率对该模型的影响.并用于真实风挡的计算,得到的数值结果与试验值比较吻合.
关键词:
非线性粘弹性本构关系
,
材料子程序
,
风挡
,
应变率
孟长功
,
徐东生
,
郭建亭
,
胡壮麒
金属学报
利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。
关键词:
Ni_3Al
,
energy level structure
,
electronic state density
,
covalent bond
,
bonding characteristic
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
刘玉岭
,
王新
,
张文智
,
徐晓辉
,
张德臣
,
张志花
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.
关键词:
硅
,
锗
,
键合
,
机理
