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4H-SiC高速同质外延研究

朱明星 , 石彪 , 陈义 , 刘学超 , 施尔畏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11577

研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷. 拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶, 为单一的4H-SiC晶型. 通过KOH腐蚀发现, 低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs). 在高生长速率下, 外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加. 通过引入界面层, 可以实现生长初期的平滑过渡, 极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.

关键词: 碳化硅; 同质外延; 结晶缺陷; 表面形貌缺陷

单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展

石彪 , 朱明星 , 陈义 , 刘学超 , 杨建华 , 施尔畏

硅酸盐通报

3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20%)和热膨胀系数差异(8%),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.

关键词: 3C-SiC , 化学气相沉积 , 异质外延 , 缺陷

4H-SiC高速同质外延研究

朱明星 , 石彪 , 陈义 , 刘学超 , 施尔畏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11577

研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.

关键词: 碳化硅 , 同质外延 , 结晶缺陷 , 表面形貌缺陷

绝缘衬底对CVD生长石墨烯的影响研究进展

陈彩云 , 戴丹 , 陈国新 , 巩金瑞 , 江南 , 詹肇麟

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022

石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注.石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角.然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题.综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景.

关键词: 石墨烯 , 电学性能 , 制备 , 绝缘衬底

机械法制备石墨烯的研究进展

段淼 , 李四中 , 陈国华

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.12.016

作为近年来的材料“明星”石墨烯,其制备方法的研究大多集中在化学方向,然而其许多本征物性的发现却来自于微机械剥离法制备的石墨烯.本文全面介绍了各类机械法诸如胶带法,“纳米铅笔”法,超薄切片法,超声波法,行星式球磨法,搅拌球磨法,低能纯剪切磨法和三辊磨剥法制备石墨烯的研究进展,评述了以上制备方法的特点及其面临的问题,并展望了机械法制备石墨烯的未来发展前景.

关键词: 石墨烯 , 制备 , 机械剥离

碳量子点的合成、性质及其应用?

李婷 , 唐吉龙 , 方芳 , 房丹 , 方铉 , 楚学影 , 李金华 , 王菲 , 王晓华 , 魏志鹏

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.09.003

碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10 nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多彩的发光现象后,世界各地的研究小组开始对 CQDs 进行了深入的研究。最近几年的研究报道了各种方法制备的CQDs在生物医学、光催化、光电子、传感等领域中都有重要的应用价值。这篇综述主要总结了关于 CQDs的最近的发展,介绍了 CQDs 的合成方法、表面修饰、掺杂、发光机理、光电性质以及在生物医学、光催化、光电子、传感等领域的应用。

关键词: 碳量子点 , 光致发光 , 生物成像 , 光催化

一种以硅为中心的星型液晶的制备与相行为研究

刘建强 , 张其震 , 张静智

功能材料

通过液晶基元与SiCl4直接反应获得一种以硅为中心的星型液晶化合物,产品经柱色谱提纯,并利用红外光谱(IR)、核磁共振(1HNMR)和元素分析(EA)对其进行了结构表征,又利用偏光显微镜(POM)、差式扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)对其液晶相行为进行了研究,确定了其相态及区间为K127N144I142N116K,发现星型液晶的相态取决于液晶基元,也是向列相,其熔点和清亮点均高于液晶基元,同时星型液晶的液晶区间比其液晶基元的区间要宽,表明星型液晶具有优良的液晶性,具有潜在应用价值.

关键词: 星型 , 液晶 , 合成 , 相行为

聚(N-异丙基丙烯酰胺)-环糊精星形聚合物的RAFT聚合合成与表征

吴东升 , 刘郁杨 , 宋文琦 , 王海波 , 蔡勇 , 刘军东

材料导报

基于聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PNIPAm)的热敏性与环糊精(CD)的超分子包合性,用可逆加成-断链转移(RAFT)反应,由“先臂法”合成出了SSPNIPAm-CD星形聚合物.用FTIR、1 H-NMR、SEC/MALLS、DSC、荧光光谱与电位滴定对星形聚合物及其前驱体的结构与性能进行了表征.DSC测定表明,星形聚合物的形成与环糊精的引入均会引起其玻璃化转变温度(Tg)的升高;也使其在水溶液中的最低临界溶解温度(LCST)升高,但发生相变过程的热效应△H减小.用8-苯胺基-1-萘磺酸铵盐(ANS)作为荧光探针,研究表明星影聚合物具有超分子包合性.

关键词: 星形聚合物 , 可逆加成-断链转移(RAFT)聚合 , 先臂法 , 聚(N-异丙基丙烯酰胺) , β-环糊精

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