李贵安
,
叶录元
,
朱庭良
,
马少华
,
张玉荣
,
邓仲勋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.008
为实现短波长光存储材料,提出一种基于金属纳米粒子与染料共掺杂的复合材料制备新方法.采用透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)以及傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对所制备的复合薄膜进行表征.实验发现,与未掺杂银的薄膜相比,掺杂银的复合薄膜中甲基橙的吸收蓝移了6nm.提出并利用超分子结构模型分析了该吸收蓝移的机理.研究结果显示,本研究所提出的这种新的材料制备方法具有制备吸收波长在400~500nm,且可望与GaN激光器在光存储技术中匹配的能力.
关键词:
金属纳米粒子
,
偶氮染料
,
包覆共掺杂
,
吸收移动
,
纳米复合
李贵安
,
邓仲勋
,
焦飞
,
张亚娟
,
朱庭良
硅酸盐通报
采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了不同形貌结构的纳米掺银复合颗粒.分析了掺银二氧化硅复合颗粒的形成机理,并采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、红外(FT-IR)及紫外可见(UV-Vis)光谱仪等手段对Ag/SiO_2复合颗粒的形貌结构进行了表征和分析.结果表明:复合颗粒(290 nm)尺寸均匀,近似球状,银颗粒(4 nm)均匀分布在二氧化硅表面,硅烷偶联剂KH-550影响了银粒子在复合颗粒中的分布状态,对Si-O-Si网络结构也有一定的影响,同时有效抑制了复合颗粒的团簇程度.
关键词:
银
,
二氧化硅
,
硅烷偶联剂
,
纳米复合颗粒
叶录元
,
李贵安
,
朱庭良
,
邓仲勋
硅酸盐通报
采用光化学还原法在大颗粒负载型SiO2表面上成功制备了负载型Ag@SiO2复合纳米粒子,利用透射电子显微镜、X射线衍射和紫外-可见分光光度计等分析方法对样品进行了表征.结果表明,球形银纳米粒子均匀分散于球形SiO2复合粒子表面,复合粒子粒径在150~180 nm,且颗粒均一、分散性好.银粒子的粒径在10~15 nm,样品中银粒子具有良好的面心立方结构,晶型很好,银粒子的等离子共振吸收的最大峰位于474 nm.
关键词:
纳米银粒子
,
二氧化硅
,
复合纳米粒子
,
光化学还原法
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
丁高明
,
卢树东
,
刘国荣
,
肖淳
黄金
doi:10.11792/hj20160904
朱林西金矿床位于金山金矿田的中北部,是与韧-脆性剪切带有关的石英脉型、蚀变岩型金矿床。在综合研究和利用矿区以往地质地球化学资料基础上,选取矿区40号勘探线为典型地质剖面,对该剖面坑探工程控制的Ⅰ号金矿带进行系统采样和数据分析与统计计算。利用相关分析、聚类分析、因子分析方法,确定了金矿床的原生晕组合特征。通过绘制和分析原生晕元素轴向异常分布图和叠加图、地球化学参数计算图,初步归纳了矿床构造叠加晕总体特征,并分析了矿体原生晕特征的地质意义以及对深部盲矿体预测的应用。研究认为:As与 Au关系密切, As、Sb和Hg为金矿体的前缘指示元素组合;Pb、Zn、Cu分布于矿体周围,为矿体的近矿晕指示元素组合;Mo、Mn和Co元素为矿体的尾晕元素组合;尾晕的反带异常、前缘晕与尾晕叠加等特征对深部盲矿体预测有重要指示作用。
关键词:
原生晕
,
朱林西金矿床
,
金山金矿田
,
盲矿体预测
冯震宙
,
王新军
,
王富生
,
高行山
,
岳珠峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.027
LS-DYNA可以满足用户对某些材料本构关系子程序开发的要求.本文首先编制了各向同性线弹性材料本构模型子程序,计算单轴拉伸作用,得到材料子程序开发的可行性;另外主要编制了飞机风挡材料采用的具有应变率效应的非线性粘弹性朱-王-唐本构模型,结果能很好地对朱-王-唐模型进行描述,特别是应变率对该模型的影响.并用于真实风挡的计算,得到的数值结果与试验值比较吻合.
关键词:
非线性粘弹性本构关系
,
材料子程序
,
风挡
,
应变率
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率