姜礼华
,
曾祥斌
,
张笑
,
曾瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00802
通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法, 以氨气和硅烷为反应气体, P型单晶硅和石英为衬底, 低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜. 经高温(范围500~950℃)退火处理优化了薄膜结构. 室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiNx薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱, 对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析. Raman光谱表明. SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构. PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带, 随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同. 当退火温度低于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移. 当退火温度高于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而红移. 通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应. 这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.
关键词:
硅纳米粒子
,
SiNx thin films
,
quantum confinement effect
宗同强
,
曾瑜
,
计红果
,
韩亚冬
,
马倩
,
靳焘
电镀与涂饰
在2.0 A/dm2、24℃和空气搅拌条件下,采用由60 g/LCuSO4·5H2O、200 g/L H2SO4、60 mg/L Cl-和4种添加剂组成的酸性镀铜液对印制线路板通孔进行电镀铜.以PCB通孔孔口、孔中心铜层厚度和镀液的深镀能力为指标,通过正交试验对添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG-10000)、季铵盐类化合物(MX-86)和嵌段聚醚类化合物(SQ-5)的用量进行优化,得到添加剂的最优组合为:SPS 20 mg/L,SQ-5 0.5 g/L,PEG-10000 0.2 g/L,MX-86 20 mg/L.采用该配方对深径比为8∶1的通孔电镀时,深镀能力在90％以上,铜层的延展性和可靠性均能满足印制线路板的工业应用要求.
关键词:
印制电路板
,
通孔
,
电镀铜
,
添加剂
,
深镀能力
姜礼华
,
曾祥斌
,
张笑
,
曾瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00802
通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiM薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱,对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析.Raman光谱表明.SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构.PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带,随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同.当退火温度低于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移.当退火温度高于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而红移.通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应.这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.
关键词:
硅纳米粒子
,
SiNx薄膜
,
量子限制效应
王秀华
,
哈宽富
,
徐永波
,
王中光
材料研究学报
<正> 裂纹尖端区域的结构在裂纹扩展中起着非常重要的作用,但至今对它知之不多。Hahn~([1])曾把裂纹尖端区域分成四个部分,Thomson~([2])也曾把它分成三个部分,都指出裂纹尖端可能存在一高弹性区,而在大家熟知的Bcs理论中,裂纹尖端区域仅是一位错反塞积群构成的塑性区~([3])。
关键词:
靳九成
,
朱正华
,
吴述尧
,
赵传国
,
陈焕中
金属学报
<正> GCr15钢制精密轴承三种典型产品,刚玉砂轮和石墨砂轮加工的B2007112(以下简称B2007112刚、B2007112石)及B3-707,在疲劳寿命、显微硬度、形貌质量等性能测试对比中,依次较优.赵传国及靳九成等曾发现性能较优
关键词:
