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ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法

, 叶志镇 , 袁国栋 , 黄靖云 , 赵炳辉 , 朱丽萍

材料导报

论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能.

关键词: p-ZnO H钝化 共掺 缓冲层

Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , magnetron sputtering , codoping

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

, 叶志镇 , 吕建国 , 李丹颖 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.

关键词: P-ZnO , magnetron sputtering , codoping

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

, 叶志镇 , 吕建国 , 李丹颖 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.038

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

大庆油田区域土壤腐蚀性评价(摘要)

曲良山 , 李双林 ,

腐蚀学报(英文)

大庆油田区域土壤腐蚀性评价(摘要)曲良山,李双林,孙瑞(大庆油田设计院,大庆163712)区域土壤腐蚀性的分级或判别,应当依据本地区土壤的环境特征进行具体分析.本文分析了大庆油田某区域的土壤环境因素及其对碳钢腐蚀行为的影响.l土壤含水量现场腐蚀凋查及取样的分析表明:含水量大于30%,碳钢腐蚀轻微;含水量在20--25%之间时,腐蚀较严重;当含水量小于15%时,腐蚀相对较轻,取决于含盐及盐种类2含盐量“本区域土壤总含盐量与腐蚀速?...

关键词:

大块Al单晶体Ⅰ型裂纹尖端无位错区的观察

王秀华 , 哈宽富 , 徐永波 , 王中光

材料研究学报

<正> 裂纹尖端区域的结构在裂纹扩展中起着非常重要的作用,但至今对它知之不多。Hahn~([1])把裂纹尖端区域分成四个部分,Thomson~([2])也把它分成三个部分,都指出裂纹尖端可能存在一高弹性区,而在大家熟知的Bcs理论中,裂纹尖端区域仅是一位错反塞积群构成的塑性区~([3])。

关键词:

亚稳定奥氏体不锈钢马氏体促发脆裂分析

余存烨 ,

腐蚀与防护

根据在化工和石化设备中亚稳定奥氏体不锈钢发生应力腐蚀破裂与氢脆的事例,对氢致破裂和形变马氏体(a’)促发应力腐蚀破裂进行分析与讨论。

关键词: 奥氏体不锈钢 , 马氏体 , 应力腐蚀破裂 , 氢脆 , 检测 , 防护

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