彭俊彪
,
朱召胜
,
高维先
,
曹镛
,
Okumoto H
,
Minami N
,
Yatabe T
,
Ichino Y
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.03.001
通过毛细现象制备苯端基十二硅烷齐聚物(PhMS12)薄膜,发现该薄膜在室温下具有分子链垂直于衬底的层状结构排列方式.极化偏光显微镜照片显示PhMS12薄膜具有均匀畴区,平均线度达到几百微米.极化吸收光谱证明畴区内这种有序的分子排列导致分子面取向具有相同趋势,差热分析证明PhMS12在126～133℃之间呈现液晶性,进一步分析表明这种高温状态呈现的液晶性使分子产生有序排列,这种有序排列能够从液晶态保持到晶态。
关键词:
硅烷齐聚物
,
薄膜
,
液晶性
,
多层结构
粟立军
,
杨伟
,
杨晓辉
,
刘传珍
,
张赤
,
甄红宇
,
曹镛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.005
用PVK作空穴传输/电子阻挡层,提高了ITO/PEDOT/PVK/PDOF/Ba/Al器件的发光效率,但器件的启亮电压也增加.同PDOF单层器件相比,相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高.在芴均聚物(PDOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂Li-NPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率,有效地抑制EL光谱红移现象.掺杂浓度在10 %～20 %(质量分数),PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1 %.掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度,使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下Li-NPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因.
关键词:
蓝光器件
,
聚芴
,
表面活性剂
,
掺杂
覃东欢
,
刘红梅
,
陶洪
,
兰林峰
,
陈军武
,
曹镛
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.020
采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.
关键词:
Ⅵ族半导体
,
纳米线
,
场效应晶体管
刘迅成
,
蔡平
,
陈军武
,
曹镛
高分子材料科学与工程
氟代喹喔啉(FTQ)是一种氟代结构的受体单元,可以用于构筑D-A型聚合物,并应用于聚合物太阳电池的给体材料.文中探索了一种新的起始原料合成氟代喹喔啉单体,并分别和齐聚四噻吩单体(4T)、单噻吩单体(1T)共聚,得到了2个新型聚合物PFTQ-4T和PFTQ-1T,表征测试了它们的相对分子质量、热性能、紫外吸收、能级结构以及光伏性能.2个聚合物的能量转化效率分别为0.73％和1.28％,较低效率主要是2个聚合物较低的LUMO能级所导致.
关键词:
共轭聚合物
,
氟代喹喔啉-噻吩交替共聚物
,
聚合物太阳电池
蔡平
,
朱永祥
,
徐晓峰
,
陈军武
,
曹镛
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.02.06
聚合物太阳电池由于具有质量轻、柔性好、生产成本低和可能实现大面积加工的独特优势,而受到国内外学者广泛的关注,成为研究的热点.聚合物太阳电池的性能强烈依赖于活性层和界面层的性能,其中可以通过改变界面层材料的结构和调节界面层的加工工艺等方法使光伏性能得到优化.近来,亲水性聚合物作为阴极界面层实现高性能有机光电器件表现出了独特的优势和巨大的潜力.重点介绍了采用亲水性聚合物作为阴极界面层提升聚合物太阳电池性能的最新进展.引入亲水聚合物可以调节多种阴极材料的功函数来增强电子收集,对于正装和倒装两种器件结构的聚合物太阳电池,都可以提升开路电压、短路电流、填充因子3个电池参数,而显著提高聚合物太阳电池的效率.
关键词:
聚合物太阳电池
,
亲水性聚合物
,
阴极界面层
罗潺
,
黄飞
,
杨伟
,
彭俊彪
,
曹镛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.02.008
利用新型的聚[9,9-二辛基芴-9, 9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵+溴-)丙基)芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并硒二唑](PFNBr-DBSe)共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管.这类共扼聚电解质可用乙醇等溶剂成膜,不仅可代替传统的甲苯等芳香性非极性溶剂, 而且有利于制备溶液型的多层显示器件.文章研究了这类新型聚电解质的光致发光特性及发光二极管器件的电荧光特性.研究表明在紫外光照射或电激发下,窄带系的DBSe链段通过俘获激子能够实现有效的能量转移.聚电解质中DBSe的含量在5 %以上,其器件具有电致发光峰值为700～740 nm的饱和红光发射.所制聚电解质器件在用铝作电极时的电致发光效率比用钡作电极时要高.
关键词:
聚合物发光二极管
,
聚[9,9-二辛基芴-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵+溴-)丙基)芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并硒二唑]
,
共扼聚电解质
杜学锋
,
莫越奇
,
田仁玉
,
曹镛
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.12.003
采用NiCl2催化的Yamamoto缩聚反应将不同比例的含噻吩单体与间苯单体共聚,合成了聚(5-(2-乙基己氧基)-1,3-苯撑-co-(2,5-二苯撑-4-基-噻吩))(PmP-DPT),并测试了4种不同比例共聚物的紫外-可见光吸收光谱,光致发光光谱和LED器件的电致发光光谱,系统地表征了共聚物的光电性能.结果表明,噻吩的加入形成了新的发光中心,实现了从间苯链段到含噻吩发光中心的有效能量转移,当噻吩摩尔分数约为1%时,可得到效率为0.47%的色坐标(CIE)为0.17和0.13的蓝光PLED器件.当噻吩摩尔分数为10%时,可得到效率为2.59%的色坐标(CIE)为(0.21,0.36)的蓝绿光PLED器件.
关键词:
聚合物发光二极管
,
聚间苯
,
噻吩
,
能量转移
,
蓝光聚合物
,
电致发光
