王虎
,
李琛琛
,
唐鋆磊
,
李勇怀
,
朱元强
,
景亚
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201604011
以喹啉为母体,以氯化苄、溴化苄为季铵化试剂,制得两种喹啉季铵盐缓蚀剂.采用失重法、电化学方法、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS)法考察两种缓蚀剂单独使用以及不同复配条件下的缓蚀性能.结果表明:溴化苄基喹啉(BQB)与增效剂复配后,其缓蚀率可以达到98.73%;在相同条件下BQB的缓蚀性能优于氯化苄基喹啉(BQC)的;两种喹啉季铵盐在碳钢表面的吸附符合Langmuir吸附等温式,是一个自发、放热的混合吸附过程;BQC的吉布斯吸附自由能和活化能均大于BQB的.
关键词:
缓蚀剂
,
喹啉季铵盐
,
吸附机理
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
李群
,
王清
,
董闯
,
王英敏
,
羌建兵
钛工业进展
获得具有优异性能的亚稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化,而如何有效进行合金的成分设计是亚稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元亚稳β-Ti合金的设计方法,包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇+连接原子”结构模型的设计方法,其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计,为合金设计开辟了新的设计思想。
关键词:
亚稳β-Ti合金
,
成分设计方法
,
团簇结构模型
中国材料进展
用背散射电子衍射(EBSD)技术测试了室温轧制高纯铝的微取向分布,提出了表征亚结构定量信息的概念并开发了分析软件,研究了亚晶的尺寸及其平均取向差的定量特征.结果表明,平均取向差(θcry)小于15°的亚晶数量占95%以上,其平均直径约6μm~7μm,随亚晶平均取向差增大,亚晶平均尺寸增大;亚晶尺寸与其自身平均取向差和周围亚晶平均取向差的平均值(θenv)有关,当θcry/θenv>1时,其尺寸大于周围亚晶尺寸的平均值;反之也成立.
关键词:
高纯铝
,
轧制
,
取向
,
亚结构
,
背散射电子衍射(EBSD)