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针对暗原色先验模型对于图像明亮区域不适应，暗原色估计偏大，导致透射率估计偏小，出现色彩失真现象，本文介绍一种新的暗原色修正方法.提出一种逆暗原色概念，将雾化图像的暗原色与逆暗原色进行融合处理得到一种新的修正暗原色，从而获得比较真实的明亮区域透射率，有效消除了明亮区域的色彩失真.以有效细节强度、色调还原程度、结构信息及综合测评作为图像质量评价指标，与目前流行算法进行对比实验，本文算法的色调还原程度指标平均值提高41．1％，综合测评指标平均值提高48．7％.实验结果表明，本文算法在改善明亮区域色彩失真及提高去雾图像总体质量方面优于目前流行算法.

关键词: 图像去雾 , 暗原色先验 , 逆暗原色 , 明亮区域

晶体硅微粉气相氮化及氮氧化条件

明亮 , 尹传强 , 魏秀琴 , 周浪

材料科学与工程学报

氮化硅及氮氧化硅粉体在多晶硅光伏产业中有重要应用.本文研究其气相反应形成条件.研究结果显示,晶体硅微粉的气相氮化及氮氧化特性与体材大不相同,它使得硅的氮化和氮氧化得以在体系中氧分压远高于热力学临界平衡氧分压、处于氧化硅稳定区的条件下实现.其原因在于反应过程中粉体表层氧化反应后耗氧,使粉体内部实际氧分压大幅度降低.实验结果表明,晶体硅微粉的气相氮化约需1400℃方能有效进行,在气相反应条件下,α-Si3N4与βSi3N4均能形成,随保温时间延长,旷Si3N4相对量提高;晶体硅微粉在氮-氧混合气体中的氮氧化行为对气氛的氧分压十分敏感,氧分压较高时形成SiO2并阻止反应进一步进行,较低时形成Si3N4,氧分压为0.1atm时较适合Si2N2O形成.

关键词: 硅 , 氮化硅 , 氮氧化硅 , 粉体 , 热力学平衡

多壁碳纳米管修饰电极测定氨氯地平

明亮 , 习霞 , 陈婷婷 , 刘杰

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.07.016

运用循环伏安法、线性扫描伏安法及示差脉冲伏安法等测试技术研究了氨氯地平在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了一种直接测定氨氯地平的电化学分析方法.结果表明,与裸玻碳电极相比,多壁碳纳米管修饰电极能显著提高氨氯地平的氧化峰电流.在优化的实验条件下,氧化峰电流与氨氯地平浓度在1.0×10-7-7.5×10-5 mol/L范围呈现良好的线性关系,检出限为4.0×10-8 moL/L.对1.0×10-5moL/L氨氯地平溶液平行测定10次的RSD为4.2%.测定了氨氯地平片剂中氨氯地平的含量.结果满意.

关键词: 氨氯地平 , 伏安测定 , 碳纳米管 , 化学修饰电极

一种改进的容差机制图像去雾算法

龚昌来 , 罗聪

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163111.1098

针对经典容差机制图像去雾算法存在的对部分明亮区域透射率提升力度不够，难以彻底消除色彩失真问题，本文提出一种改进算法。将原算法中对明亮区域透射率根据容差进行双曲线提升修正变为线性提升修正，使透射率平稳提升，并适当增大了透射率提升力度，有效消除色彩失真。以方差和色调还原度作为图像去雾的客观质量评测指标，与暗原色先验算法和经典容差机制算法进行对比实验。实验结果表明，本文算法在改善明亮区域色彩失真及提高图像去雾效果方面优于对比算法。

关键词: 图像去雾 , 暗原色先验 , 透射率 , 容差机制 , 明亮区域

CdSe量子点的合成及其对潜指纹的荧光显现研究

许尊炼 , 伊魁宇 , 马子宁 , 王猛 , 刘显峰

合成材料老化与应用

以水热法在水相中直接合成了巯基乙酸修饰的CdSe量子点,并将合成的CdSe量子点进行表征、纯化.在波长365 nm紫外光的激发下,CdSe量子点发射出明亮的黄绿色荧光,荧光发射峰约位于528nm,将得到的CdSe量子点纳米发光材料应用于非渗透性客体上潜指纹的荧光标记成像研究,发现CdSe量子点溶液显现的手印纹线流畅,显现细节特征明显,呈现明亮的黄绿色荧光指纹,具有很高的实用价值和鉴定价值.

关键词: CdSe量子点 , 潜指纹 , 荧光显现