孙彦
,
方志丹
,
龚政
,
苗振华
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
关键词:
量子点
,
应力缓冲层
,
半高宽
,
光致荧光谱
方志忠
,
李承福
金属学报
<正> 机器制造工业上常用結构鋼的机械性能,在含碳量一定时,通常是組織的函数。合金元素的加入,主要是增加鋼的淬透性和回火抗力;合金結构鋼获得广泛应用的原因之一,便是它具有較碳鋼高得多的淬透性。 在实践中,人們最关心的是強度指标,由标准頂端淬火試驗是无法获得鋼料心部強度数据的。为解决鋼的淬透性和組織、性能間的关系,方志忠曾提出一种新的頂端淬火法。本文是在已往工作基础上作进一步試驗研究,以求用簡单的試驗方法来确定不同截
关键词:
