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溶剂热制备纳米钛酸钡粉体的结晶度和尺寸调控?

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.024

以溶剂热的方法制备纳米四方相钛酸钡粉体,通过改变反应时间、前驱物钡钛摩尔比 n (Ba)/n (Ti)来调控粉体的粒径大小、粒度分布和四方相结晶度.BET 比表面积、激光粒度分析、SEM、XRD、FT-IR 测试结果表明,延长反应时间可减少钛酸钡粉体—OH含量,四方相结晶度有所提高,粉体粒径随之变大,粒度分布变宽；随着 n (Ba)/n (Ti)的提高,钛酸钡粉体—OH 含量相应减少,粉体颗粒尺寸呈先增大后减小的趋势,但基于“尺寸效应”,粉体四方相结晶度并未因—OH 含量的减少而线性增大.当反应时间为1 h,n (Ba)/n (Ti)为2．5时,合成钛酸钡粉体粒径小、粒度分布较窄且具有较高的四方相结晶度,适用于制备小于2μm 瓷膜的 MLCC.

关键词: 溶剂热 , 钛酸钡 , 粒度分布 , 尺寸效应 , 四方相结晶度

新铌酸盐Ba6CrNb9O30的合成、结构和介电特性的研究*

方亮 , 张辉 , 吴伯麟 , 袁润章

功能材料

在BaO-Cr2O3-Nb2Os三元系统中,用固相反应法首次合成了新铌酸盐Ba6CrNb9O30.X射线衍射分析与介电特性测试结果表明,在室温下Ba6CrNb9O30属于填满型四方钨青铜结构,晶胞参数为:a=1.25691(3)nm,c=0.39755(3)nm,α=β=γ=90°;Ba6CrNb9O30在165℃从铁电相转变为顺电相.

关键词: 铌酸盐 , XRD , 钨青铜结构 , 介电特性

Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

王海林 , 孙宜华 , 莫观孔 , 方亮 , 王磊 , 黄妞

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at％时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4％,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at％时达最小值7.62×10-3 Q·cm.

关键词: 溶胶-凝胶法 , GZO薄膜 , 透过率 , 电阻率

室温条件下射频磁控溅射法制备AZO 薄膜的结构与光电性能

孙宜华 , 王海林 , 陈剑 , 方亮 , 王磊

中国有色金属学报(英文版) doi:10.1016/S1003-6326(16)64275-9

采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上 RF 磁控溅射制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜。用 X 射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔测试仪分析表征薄膜的显微组织、表面形貌和光电学性能。结果表明，所制备的薄膜均为多晶六方纤锌矿结构，溅射功率对 AZO 薄膜的光电学性能，尤其是电学性能有重要影响。不同溅射功率下薄膜可见光平均透过率均大于85%，当溅射功率为200 W 时，获得最小电阻率4.5×10?4Ω·cm 和87.1%的透过率。AZO 薄膜禁带宽度随溅射功率不同在3.48~3.68 eV 范围内变化。

关键词: AZO薄膜 , 显微组织 , 光电学性能 , RF磁控溅射

α-C:F薄膜的键合结构与电子极化研究

叶超 , 康健 , 宁兆元 , 程珊华 , 辛煜 , 方亮 , 陆新华 , 项苏留

功能材料

利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.

关键词: α-c:F薄膜 , 键结构 , 电子极化

脉冲激光沉积法生长Nd:LUVO4薄膜

王晓霞 , 李红霞 , 张怀金 , 王继扬 , 沈明荣 , 方亮 , 宁兆元

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.006

采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.

关键词: 脉冲激光沉积 , Nd:LuVO4 , 薄膜

团簇离子束技术的应用进展

侯爱国 , 吴卫东 , 王红斌 , 王万录 , 廖克俊 , 方亮 , 唐永健

材料导报

薄膜的制备方法对薄膜的性能和应用有很大影响,精密的电子器件、光学装置等越来越需要高品质的薄膜,这些都需要采用先进的制备方法来制备.结合近年来实验、计算机模拟及理论计算等各方面的研究结果,对应用团簇离子束法制备薄膜及研究团簇粒子方面的研究进展进行了评述,分析了影响薄膜性能的因素,并初步探讨了其成膜机理及团簇粒子的性质.

关键词: 团簇离子束 , 电子结构 , 薄膜

亮镍镀层的脆性问题

袁诗璞

电镀与涂饰

总结了亮镍镀层脆性的一般规律,给出了用以判断亮镍镀层脆性的简单方法,讨论了分别由内应力、异种阳离子引入及有机杂质夹杂所引起的脆性问题.强调了正确采用并补加添加剂的重要性,分析了对镀液盲目进行大处理的不良后果,指出了采用活性炭吸附有机杂质时应注意的问题.

关键词: 亮镍镀层 , 脆性 , 内应力 , 光亮剂 , 杂质 , 活性炭 , 吸附

30CrNi3A合金钢高温锰系磷化工艺研究

谢良波 , 方亮 , 郭培 , 李赟

材料保护

部分高合金钢磷化效果不佳,甚至难以磷化.通过正交试验,对30CNi3A合金钢黑色锰系磷化工艺进行了优化研究,分析了磷化过程中总酸、酸比、Fe2+浓度、表调时间、磷化时间等因素对磷化膜耐腐蚀性能和膜重的影响.结果表明,适当的总酸、酸比、磷化时间以及降低Fe2+浓度有利于提高磷化膜的耐腐蚀性能.为提高磷化膜的耐腐蚀性能,应尽量使磷化膜晶粒细小均匀,增加膜重,提高磷化膜中锰的含量,降低磷化膜中铁的含量.

关键词: 高温锰系磷化 , 30crNi3A合金钢 , 磷化膜 , 耐腐蚀性

Cu--Al预合金粉末中Al内氧化工艺的分析

梁淑华 , 徐磊 , 方亮 , 范志康

金属学报

对高能球磨制备的Cu--Al预合金粉末中Al内氧化的工艺进行了研究。结果表明, 温度是决定临界氧分压P O2的关键因素, 随着温度的升高, 临界氧分压增加。适当提高温度可以减小环境氧分压的控制难度。高能球磨制粉对Al内氧化的热力学条件影响不显著, 但对动力学条件影响显著。当Al的质量分数大于0.5%时, 对于不同的Al含量的Cu--Al预合金粉末应有不同的加热工艺。当工艺参数适宜时, 采用Cu--Al预合金粉末可以制备出组织均匀的Al2O3/Cu复合材料, 其中Al2O3颗粒粒径2---5m,颗粒间距5---10m。

关键词: Cu--Al预合金 , internal oxidation , high energy milling

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