方互
金属学报
<正> 金属材料表面渗铝,防止高温氧化和抗热腐蚀是沿用已久的方法。迄今为止,广为应用的渗铝工艺仍是粉末包装固渗法。此法操作繁重,粉尘有害健康,特别是在工艺上对于异形小孔结构,要获得整个工件表面有均匀的渗层,有极大的困难。因此,出现有用惰性气流载以金属卤化物或有机金属化合物进行化学气相沉积的气渗方法。我们试验了一种不需要惰性气作载体,在低压下进行气体渗铝的方法。经过在镍基、铁基高温合金等零件上的实际试用,效果良好。
关键词:
陈松
,
胡昌义
,
郭俊梅
,
杨家明
稀有金属材料与工程
研究了Ir/Re喷管制备过程中的Ir/Mo互扩散问题.在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Mo相图数据,建立并推导Ir/Mo扩散模型和解.计算得到Ir3Mo相中的互扩散系数为:D=9.0×10-9exp(-1.46 eV/kT)(cm2/s),Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=5.0×10-10exp(-1.1eV/kT)(cm2/s).确定喷管中Ir/Mo互扩散的特点,给出估算Ir3Mo相层厚的方法.确定Re在Ir3Mo相中的扩散主要是受Ir控制.
关键词:
Ir
,
Mo
,
Re
,
扩散
陈松
,
胡昌义
,
杨家明
,
郭俊梅
,
邓德国
稀有金属材料与工程
在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Re相图数据,建立了一个全新的Ir/Re两相扩散模型.计算得到在1200℃～2000℃时Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=1.17×10-6 exp(-1.80 eV/kT)(cm2/s),Re基固溶体中的互扩散系数为:D=1.36×10-8exp(-1.21 eV/kT)(cm2/s).确定喷管中Ir/Re为晶界扩散.
关键词:
Ir
,
Re
,
扩散
,
CVD
陈松
,
刘泽光
,
陈登权
,
罗锡明
,
许昆
,
邓德国
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.006
从扩散机制、扩散动力学、热力学以及相结构等方面, 总结了室温范围内Au/Sn互扩散的主要特点. 给出了Au/Sn互扩散中生成的 AuSn, AuSn2, AuSn4等金属间化合物的主要性质. 详细总结了不同Sn含量的Au/Sn扩散中, 初始态、中间态和最终态的金属间化合物的形成次序、形貌、分布、演化等特征. 采用热力学方法定量计算了不足量的Au或Sn的条件下Au/Sn扩散中各中间相的生成吉布斯自由能, 较好地解释了中间相的演化规律. 给出了Au/Sn扩散的扩散数据, 以及主要中间相的生长特点, 介绍了Kirkendall效应导致的相关效应.
关键词:
金
,
锡
,
扩散
,
热力学
,
金属间化合物
王结良
,
梁国正
,
赵雯
,
吕生华
,
何洋
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2003.04.009
在37篇文献的基础上对聚氨酯进行互穿网络改性的最新研究进展进行了综述;比较了用聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、环氧树脂、乙烯基树脂等对聚氨酯互穿网络改性的效果.指出了各种互穿体系的特性,并在此基础上展望了聚氨酯互穿网络聚合物的发展趋势.
关键词:
聚氨酯
,
互穿聚合物网络
,
聚丙烯酸酯
,
聚苯乙烯
,
聚硅氧烷
,
环氧树脂
,
乙烯基树脂
文娇
,
刘畅
,
俞文杰
,
张波
,
薛忠营
,
狄增峰
,
闵嘉华
功能材料与器件学报
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/SiGe/Si异质结中Si/SiGe异质界面互混的现象.结果表明:应变弛豫前Si/SiGe异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/SiGe异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散.总之,Si/SiGe互扩散作用越强诱发Si/SiGe异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化.
关键词:
Si/SiGe互扩散
,
热载荷
,
硼浓度梯度
任晓
,
陈国清
,
周文龙
,
张俊善
硅酸盐通报
本文研究了Ni-Cu扩散偶界面元素的互扩散行为.对热压扩散连接法制备的Cu-Ni-Cu扩散偶进行退火处理,采用电子探针显微成分分析仪观察扩散偶界面互扩散区的微观组织特征,结合Boltzmann-Matano法研究扩散区内元素的互扩散行为.结果表明:在扩散偶界面处Cu原子的扩散通量远大于Ni原子的扩散通量,互扩散区内Ni原子的距离-浓度曲线关于Matano面不对称,暗示互扩散系数与Ni原子的浓度有关.在每一种退火温度下,互扩散系数均随互扩散区α固溶体中Ni原子分数的增加而单调增大,并且随α固溶体中Ni原子分数的增加,频率因子和互扩散激活能均单调增大.
关键词:
Ni-Cu
,
扩散偶
,
互扩散
,
扩散系数
苏芳臣
,
高超
,
相颖杰
,
陈建均
上海金属
利用化学气相沉积(CVD)技术制备6.5％Si钢时,Fe/Si合金互扩散行为对于工业化生产时控制硅的扩散起着至关重要的作用.采用CVD技术,通过控制扩散温度的变化,制备了一系列硅含量3.1％和14.3％的Fe/Si合金扩散偶.利用扫描电子显微镜观测了Fe/Si合金的互扩散结果,获得了不同扩散温度下的硅含量分布曲线,并结合Boltzmann-Matano法及Grank修正法进行处理.研究表明:随着扩散温度的升高,硅的扩散距离也随之增大;在1 000～1 200℃温度范围内,Fe/Si合金的互扩散系数随硅含量的增大而增大,其范围在(0.43 ～16.8)×10-12 m2/s,且Fe/Si合金的互扩散行为遵循Arrhenius经验公式;进一步计算得到Fe/Si合金互扩散的激活能和频率因子,范围分别在48.88 ～ 55.12 kcal/mol及1.57 ～2.55 cm2/s之间,并随着硅含量的增大而增大.
关键词:
Fe/Si合金
,
互扩散系数
,
激活能
,
频率因子
