斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545
采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响. 通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察, 发现在PbTe和Cd 0.98 Zn 0.02 Te界面处存在Frank位错. 分析表明, 这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态, 位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
surface structure
,
dislocation
斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
表面微结构
,
位错运动
楼腾刚
,
胡炼
,
吴东锴
,
杜凌霄
,
蔡春锋
,
斯剑霄
,
吴惠桢
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027
采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层, 结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射, 表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料. 光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm, 电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ~ 850 nm, 峰值在800 nm附近. 本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
关键词:
CdSe; 量子点; 电致发光; 光致发光
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01108
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe (0≤ x≤0.050)薄膜. X射线衍射结果表明, Pb1-xSrxSe 薄膜为立方相NaCl型晶体结构, 没有观察到SrSe相分离现象, 薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面. 薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大, Sr含量由Vegard公式得到. 再用理论模拟Pb1-xSrxSe 薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙. 最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe 薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe 外延薄膜
,
transmission spectrum
,
refractive index
,
absorption coefficient
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.018
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xSrxSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb1-xSrxSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe外延薄膜
,
透射光谱
,
折射率
,
吸收系数
楼腾刚
,
胡炼
,
吴东锴
,
杜凌霄
,
蔡春锋
,
斯剑霄
,
吴惠桢
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027
采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ～ 850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
关键词:
CdSe
,
量子点
,
电致发光
,
光致发光
方允樟
,
吴锋民
,
郑金菊
,
孙怀君
,
斯剑霄
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.018
通过 Fe基纳米晶磁芯电感( LN)与由其并联电容构成的 LC回路( LCN)的阻抗频谱曲线和磁 阻抗曲线的比较分析 ,发现 LCN磁阻抗比值 (△ Z/Z0)和磁敏线性区间都比 LN大得多, LCN存在 特征频率: fr0、 frhmax、 fr ,依据特征频率可以确定磁阻抗曲线的形状,实现 LCN磁感灵敏度、磁敏线性 区间等磁敏特性的有效调控.
关键词:
Fe基纳米晶
,
LC回路
,
磁阻抗
徐天宁
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
曹春芳
,
黄占超
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.013
用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.
关键词:
无机非金属材料
,
PbSe单晶薄膜
,
分子束外延
,
应变弛豫
,
螺旋结构
何康
,
李洋
,
潘春旭
材料保护
利用纳米压痕技术，对3把出土于湖北的战国青铜剑残片表面富锡层的力学性能进行测试，并结合金相显微镜、扫描电镜、能谱仪和x射线衍射仪等仪器对其显微组织特征、合金成分进行了系统的表征。研究分析认为：（1）3把青铜剑残片属高锡青铜，表面存在一层由8相和非晶化合物构成的富锡层；（2）其双层结构中的惰性腐蚀层的特征表明富锡层是在长期埋藏环境中由于发生选择性腐蚀而形成的，排除了古代工匠人为处理的可能性。纳米压痕技术为古代金属样品微米级微区的力学性能的准确测试提供了有力的工具。
关键词:
纳米压痕技术
,
材料学特征
,
战国青铜剑
,
湖北出土
,
富锡层
,
选择性腐蚀
