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0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料的制备工艺条件优化

, 胡珊 , 郑辉 , 王少博

材料科学与工程学报

采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体.将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料.研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响.结果表明,溶液混合工艺较好,且当极化电场强度为6kV·mm-1、温度为110℃进行极化20min时,陶瓷粉体质量分数为90%的复合材料的压电性能最好,压电常数d33值达35.9 pC·N-1.

关键词: 压电复合材料 , PZN-PZT , PVDF , 压电性能

KH570对PZN-PZT/PVDF压电复合材料性能的影响

, 胡珊 , 徐合 , 王少博

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.05.011

采用丙烯酰氧基的硅烷偶联剂(KH570)对压电陶瓷锌铌锆钛酸铅(PZN-PZT)进行表面改性.然后将改性后的PZN-PZT陶瓷粉体与聚偏二氟乙烯(PVDF)复合,制备出PZN-PZT/PVDF 0-3型压电复合材料,研究了KH570含量对压电复合材料铁电性、介电性及压电性能的影响.结果表明:KH570的加入有效地改善了复合材料的压电性,当KH570含量为1.2%时压电复合材料的d33达到29.8pC/N.

关键词: 压电复合材料 , 硅烷偶联剂 , 铁电性 , 介电性能 , 压电性能

有机涂层/金属腐蚀无损检测技术研究进展

刘栓 , 赵海超 , 顾林 , , 陈建敏 , 余海斌

电镀与涂饰

综述了4种有机涂层/金属体系无损检测技术(包括交流阻抗谱、X射线检测、脉冲涡流检测和超声波检测)的基本原理、使用方法和研究进展,指出了有机涂层腐蚀检测方面目前存在的问题,展望了无损检测技术的发展趋势.

关键词: 金属 , 有机涂层 , 腐蚀 , 无损检测

纳米增强铁基合金成相机制研究进展

, 刘永长

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160102

综述了核能系统用纳米增强铁基合金成相机制,阐述了机械球磨过程中形成的超细晶在后续热压烧结过程中发生的长大和粗化行为,介绍了纳米增强相的存在形式与形成过程,分析了奥氏体转变时动力学问题,对比了界面推进的指前因子和激活能等重要参数,提出了MgAl2O4原位增强铁基合金的方法,并展望了该材料的应用前景,总结了其成相机制和工程应用方面存在的问题.

关键词: 成相机制 , 纳米相 , 增强相 , 奥氏体化 , 动力学

氧化石墨烯对磷酸盐无机涂料防腐性能的影响

史述宾 , , 周楠 , 闵永安 , 余海斌

涂料工业

在磷酸盐无机涂料中添加不同量的氧化石墨烯(GO),通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对其结构和微观形貌进行表征,并对涂层的电化学性能进行了测试.结果表明:磷酸盐无机涂层是由粒径大小不一的铝粉颗粒相互重叠而成,添加0.09% GO的涂层表现出更好的防腐性能.相比空白涂层,腐蚀后涂层表面形貌更为致密;同时腐蚀电位(Ecorr)从-0.611 V增加至-0.559 V,腐蚀电流(Jcorr)从5.131 μA·cm-2降低至0.583 μA·cm-2,涂层的初期(10d以内)电化学阻抗提高了2~3倍,涂层显示出优异的耐腐蚀性能.

关键词: 磷酸盐无机涂料 , 氧化石墨烯 , 防腐性能

PZT陶瓷粉体及其PVDF压电复合材料的制备与性能

胡珊 , 沈上越 ,

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2007.02.004

采用溶胶-凝胶法合成PZT压电陶瓷粉体,经XRD和SEM分析显示,陶瓷颗粒已形成了钙钛矿型结晶相,颗粒大小在0.1~1μm之间.采用溶液共混法将PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZT/PVDF压电复合材料.结果表明,增加PZT含量有利于复合材料压电性能的提高,当陶瓷体积分数达70%时,复合材料的压电常数最高.

关键词: PZT , PVDF , 压电复合材料

制备高纯度酸金的工艺研究

王大维 , 李岩松

贵金属

在旋转蒸发体系中,研究酸金的制备方法,并探索了不同条件下酸金产品的金含量。实验结果表明在105℃下蒸发45 min 为相对最优制备条件;用90℃蒸馏水洗涤90 min 为酸金最佳后续处理条件。

关键词: 无机化学 , 酸金 , 金含量 , 洗涤水 , 洗涤处理

用MCNPx程序计算宽能谱中子姆仪的响应曲线

苏有武 , 朱小龙 , 李武元

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.02.008

利用MCNPx程序计算了宽能谱中子姆仪的响应曲线. 计算表明, 增加铅层对低能中子的响应没有明显的影响, 但在高能区(几百MeV以上)宽能谱中子姆仪的响应与铅层的厚度有关. 铅层厚度为0.6 cm时响应比普通姆仪提高约3倍, 当铅层厚度增加到1.2 cm时响应高约5倍. 虽然计算结果与ICRP建议书中的H*(10)曲线相比还有一定的差别, 但改变慢化体的结构对提高高能中子的探测效率是有明显效果的.

关键词: MCNPx , 高能中子 , 姆仪

采用线路型避雷器提高35 kV输电线路的耐水平

张要强 , 张帆

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.01.011

研究了在35 kV输电线路雷电"易击段"绝缘子串上并接线路避雷器来提高线路耐水平的方法.建立了雷电波作用下35 kV输电线路电磁暂态仿真计算模型,借助电磁暂态软件(ATP-EMTP)仿真分析了线路避雷器对35 kV输电线路耐水平的影响.计算结果表明,在"易击段"架设线路避雷器后.可明显提高35kV输电线路的耐水平,尤其直击导线时,线路避雷器的作用效果更加明显;雷击杆塔塔顶时,杆塔接地电阻是影响35 kV输电线路耐水平的重要因素.最后,仿真估算了不同避雷器架设方案下35 kV输电线路的耐水平.本研究对于平原地区35 kV输电线路的线路防雷具有重要意义.

关键词: 输电线路 , 杆塔接地电阻 , 线路型避雷器 , 水平

青枯尔氏菌特征菌株高效离子交换色谱快速分离条件的优化

郑雪芳 , 刘波 , 朱育菁 , 陈德局

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2016.06044

建立了高效离子交换色谱和紫外检测系统快速分离青枯尔氏菌的细菌色谱方法.通过比较青枯尔氏菌悬浮在哌嗪-HCl缓冲体系和双蒸水后的菌体数变化及细胞形态变化,分析该缓冲液对青枯尔氏菌生长活性及细胞表面特性的影响.结果表明,青枯尔氏菌悬浮在乎衡缓冲液、洗脱缓冲液和双蒸水中的菌体数量无明显差异,分别为6.467× 109、6.267× 109和6.233× 109 cfu/mL.透射电镜观察发现,3种溶液处理后,青枯尔氏菌均保持完整的细胞结构研究了缓冲液pH值、流速及菌体细胞浓度对青枯尔氏菌色谱分离效果的影响,确定青枯尔氏菌的最佳色谱分离条件为:缓冲液pH值为8.0,流速为2 mL/min,菌体浓度大于1.0× 108 cfu/mL且小于1.0× 1010cfu/mL.该分离条件缩短了分离时间,提高了分离效率,为快速分离青枯尔氏菌提供了一种有效的手段,同时也为细菌等微生物的分离提供了新途径.

关键词: 高效离子交换色谱 , 分离 , 青枯尔氏菌 , 细胞表面特性

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