刘钢
,
张秀艳
,
徐跃
,
张敏
,
贾明君
,
张文祥
,
吴通好
催化学报
doi:10.3724/SP.J.1088.2010.00434
以纳米孔炭(NC)为载体,采用浸渍法制备了一系列MnOx/NC催化剂,并用于以空气为氧源的苯甲醇液相氧化反应.通过X射线衍射、X射线光电子能谱、N2吸附-脱附和H2-程序升温还原等手段对催化剂进行了表征,考察了催化剂中Mn负载量和焙烧温度,以及反应条件等对反应性能的影响.结果表明,10%MnOx/NC催化剂的活性较高,反应4h后苯甲醇转化率可达80.4%;明显高于活性炭负载的MnOx催化剂.这主要归因于其表面存在大量高分散、且易于还原的Mn物种.
关键词:
纳米孔炭
,
氧化锰
,
负载型催化剂
,
苯甲醇
,
氧化反应
,
苯甲醛
,
活性炭
徐跃
,
高霖
,
崔崇
,
钱凤
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2011.02.005
本文采用无压浸渗法,研究了Mg对Al/SiC.(SiC体积分数为40%-70%)陶瓷基复合材料制备及组织影响.结果表明,Al浸渗液中添加Mg可以显著提高铝液的浸润性,因为Mg扩散并富集于Al/SiCp界面,通过界面反应促使Al2O3膜的破裂降低界面张力,增加了铝合金液的流动性,而且Mg与骨架孔隙内的气氛反应形成负压,促进无压浸渗的自发进行.
关键词:
Al/SiCp陶瓷基复合材料
,
无压浸渗
,
组织
,
致密度
,
机理
徐光明
,
郭宇锋
,
花婷婷
,
徐跃
,
吉新春
功能材料与器件学报
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键.本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因；然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理；而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点；最后对未来技术的发展进行了展望.
关键词:
LDMOS
,
超薄SOI
,
界面电荷
,
低k介质
,
纵向耐压
徐跃
,
黄海云
功能材料与器件学报
本文针对十字形CMOS霍尔器件提出了一种精确的行为性仿真模型.该模型由一个90°旋转对称的无源网络构成,包含4个电流控制的霍尔电压源,12个非线性电阻和8个寄生电容.该行为性模型完全考虑了霍尔器件的各种重要物理效应以及寄生电容和接触电阻的影响,使用Ver-ilog_A语言进行描述,非常适合在Cadence Spectre环境下进行霍尔器件和电路全集成的仿真.使用AMS 0.8 μm CMOS工艺参数对该模型做了电路仿真,仿真结果与实验结果达到了很好的一致性,显示出该模型具有极高的仿真精度同时又无需复杂的计算量.
关键词:
十字形CMOS霍尔器件
,
行为性模型
,
Verilog_A语言
,
电路仿真
牛晓巍
,
徐跃
,
王婧姝
,
华伦
,
张贺
,
韩炜
稀有金属材料与工程
以硝酸铝Al(NO3)3·9H2O和正硅酸四乙酯(TEOS)为主要原料,采用溶胶-凝胶法在镍铬铁合金(NiCrFe)载体上制各不同硅铝摩尔比的玻璃陶瓷涂层,研究不同制备条件对涂层形貌、结晶质量及结合强度的影响.XRD、SEM及热冲击、超声振荡、拉伸试验结果表明,与传统涂层相比,该涂层可以提高比表面积,增强柴油车金属基(NiCrFe)后处理器与催化剂的结合强度,且焙烧温度较低,制备工艺简单.其中,载体经900℃预处理,硅铝摩尔比为5:1的涂层经70℃烘干2h,650℃焙烧2 h后得到最佳样品.
关键词:
溶胶-凝胶
,
玻璃陶瓷涂层
,
NiCrFe合金
,
结合强度
徐跃
,
邓小军
绝缘材料
基于局部放电测试系统，构建了不同温度和频率下聚酰亚胺薄膜的老化寿命模型，研究了频率和温度对聚酰亚胺薄膜损伤特性的影响。结果表明：不同温度下聚酰亚胺薄膜的电晕老化寿命与施加的电压频率成非线性衰减关系；频率增加，导致放电残余电荷不易扩散和单位时间内放电次数增多，绝缘寿命缩短；随着温度的升高，放电现象可能经历显著增强、平稳、再剧烈的3个阶段。
关键词:
温度
,
频率
,
聚酰亚胺薄膜
,
局部放电
,
老化寿命
徐跃
,
高霖
,
崔崇
,
钱凤
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2011.04.005
本文采用无压浸渗法,研究浸渗时间对Al/SiCp陶瓷基复合材料组织、致密度、硬度的影响.浸渗保温时间1h,能浸透,但致密度差,硬度低.保温时间3h,发生粉化现象.结果表明浸渗保温时间2h是无压浸渗较好的工艺参数.
关键词:
A1/SiCp陶瓷基复合材料
,
无压浸渗
,
组织
,
致密度
,
硬度
徐跃
,
张彤
,
李柳暗
,
李红东
,
吕宪义
,
金曾孙
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.03.007
利用XRD(包括sin2ψ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力.结果表明,薄膜的残余应力为压应力,随着薄膜制备过程中硼流量的增加,应力值有减小的趋势.薄膜的微观应力随着硼流量的增加,由拉应力转变为压应力然后又转变为拉应力.残余应力和微观应力的变化归因于一定量的硼掺杂导致的多晶膜中晶粒尺寸、晶面取向及孪晶变化的共同作用.
关键词:
无机非金属材料
,
CVD金刚石膜
,
硼掺杂
,
XRD
,
残余应力
,
微观应力
张水洞
,
汪鹏
,
徐跃
,
彭响方
高分子材料科学与工程
doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2017.05.020
聚丁二酸丁二醇酯(PBS)综合性能优越,但因熔体黏度低而难以用于制备微孔塑料.论文采用离子化改性提高PBS熔体黏度,用于超临界二氧化碳(sc-CO2)发泡.将丁二酸与丁二醇预缩聚后,添加二乙醇胺盐酸盐和二异腈酸六亚甲基酯(HDI)进行扩链反应,制备氨基离子浓度(UIC)为1％ ～5％的PBS离聚物(PBSUI),再以sc-CO2发泡制备PBSUI微孔塑料.采用动态流变仪和X射线衍射测试PBSUI的流变行为和结晶性能,随着UIC的增加,由离子簇聚集产生的物理交联提高了PBSUI的熔体黏度和松弛时间,发泡前后PBSUI结晶度和球晶的直径均降低.扫描电镜结果表明,随着UIC增加,PBSUI泡孔由圆形转变为多边形,泡孔平均直径(D)、壁厚和开孔率下降,而泡孔密度(Nf)和发泡倍率则上升.当UIC为3％,PBSUI的D为2.05 μm,Nf达1.73×1010 cm-3,发泡倍率超过10,由离子簇聚集引起的物理交联和异相成核作用,显著提高了PBSU的发泡性能,获得了泡孔形态良好的微孔泡沫塑料.
关键词:
聚丁二酸丁二醇酯
,
离聚物
,
超临界流体发泡
,
簇聚集
,
微孔结构
