吕玉珍
,
杨瑞枫
,
梁芳
,
赵子华
,
齐兴义
,
杨青林
,
邓元
,
嵇天浩
,
郭林
,
徐惠彬
功能材料
采用水解法合成了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的Fe2O3纳米材料(包括球形与纳米棒、球形与纳米线)和未经PVP修饰的菱形α-Fe2O3纳米材料.产物的紫外吸收边约为480nm,较体相材料明显"蓝移".PVP修饰的纳米Fe2O3的矫顽力、饱和磁化强度和剩余磁化强度较未修饰的产物均有提高.
关键词:
Fe2O3纳米材料
,
水解法
,
聚乙烯吡咯烷酮(PVP)
,
高分子修饰
陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
null
,
null
陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.04.004
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
形状记忆
,
磁致伸缩
杨亚卓
,
赵新青
,
孟令杰
,
杨尚林
,
徐惠彬
金属学报
系统研究了低Nb含量(原子分数为4.5%)的Ni-Ti-Nb形状记忆合金的微
观组织形态和相变特征以及预变形对相变滞后的影响. 结果表明, Ni/Ti比的微小变化对合
金的微观组织产生重要影响, 从而影响合金的相变特征. 低Nb含量的Ni-Ti-Nb形
状记忆合金仍然具有宽滞后效应. 研究了在相同温度下分别处于马氏体和奥氏
体状态时低Nb合金的变形行为, 并结合热弹性马氏体相变动力学作了相关解释.
关键词:
形状记忆合金
,
Ni-Ti-Nb
,
martensite
郭洪波
,
徐惠彬
,
宫声凯
,
刘福顺
稀有金属材料与工程
采用电子束物理气相沉积(EB-PVD)方法在DZ22合金基体上沉积制得了由NiCoCrAlY粘结层和YSZ(Yttria Stabilized Zirconia)陶瓷顶层组成的双层结构的热障涂层. 研究了NiCoCrAlY粘结层表面的喷丸强化处理对热障涂层的抗氧化性能的影响, 利用MTS测试了经等温氧化不同时间后的热障涂层内部的结合强度, 并采用SEM和XRD观察和分析了涂层的界面结合以及相组成. 结果表明, 等温氧化后热障涂层内部的结合强度急剧降低, 在拉伸和剪切应力作用下, 涂层沿着TGO(Thermally Grown Oxide)层内部断裂失效, 强度为0.3 MPa的表面喷丸处理能显著提高热障涂层的抗氧化性能和涂层内部TGO层的结合强度.
关键词:
电子束物理气相沉积
,
喷丸强化
,
抗氧化性能
,
结合强度
姜训勇
,
刘庆锁
,
徐惠彬
,
宋德瑛
功能材料
本实验采用直流磁控溅射法制备了一种非晶的富TiNiTi薄膜,其成分为Ni46.34%(原子分数),Ti 53.66%(原子分数).采用变温方法研究了这种非晶薄膜的晶化动力学.测得非晶薄膜晶化的激活能为271kJ/mol,平均Avrami指数为1.17.采用以上获得的动力学参数计算了薄膜在773K的等温晶化动力学曲线.计算结果与实验结果吻合较好.在薄膜的晶化过程中伴随着Ti2Ni的析出.
关键词:
富Ti NiTi薄膜
,
非晶
,
晶化动力学
,
变温方法
郭洪波
,
徐惠彬
,
宫声凯
,
刘福顺
金属学报
研究了一种新型梯度结构的EB-PVD(电子束物理气相沉积)热障涂层的热循环性能,并分析了涂层的失效机制.结果表明,由于NiCoCrAlY粘结层以及在粘结层上形成的Ni3Al薄层发生了选择性氧化,从而在粘结层和梯度过渡层之间形成了一层Al2O3层.随着热循环时间增长,Al2O3层不断增厚,而且在热循环应力作用下,涂层最终沿Al2O3层内部断裂失效.
关键词:
EB-PVD
,
null
,
null
,
null
高芳
,
蒋成保
,
刘敬华
,
徐惠彬
金属学报
系统地研究了铸态和淬火态Fe81(Ga1-xMx) 19 (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3; M = Si, Ge, Sn)合金的相组成和磁致伸缩特性。结果表明：Si、Ge元素分别添加到Fe81Ga19合金中保持了合金的A2相结构。添加少量的Si、Ge（x = 0.1）不会降低合金的饱和磁致伸缩值，其中淬火态Fe81(Ga0.9Ge0.1)19样品的饱和磁致伸缩值比淬火态Fe81Ga19合金明显提高；此后，增加Si、Ge含量，抑制了Ga-Ga原子团簇的形成，破坏了产生大应变时的最佳原子占位，造成饱和磁致伸缩值显著下降。铸态和淬火态Fe81(Ga1-xSnx)19 (x = 0.1, 0.2, 0.3)合金为A2和FeSn(Ga)双相结构。随着Sn含量的增加，非磁性FeSn(Ga)相的数量增加，合金的饱和磁致伸缩值呈降低趋势。其中，在铸态Fe81(Ga0.9Sn0.1)19合金中获得了最大的饱和磁致伸缩值，为41 ppm，略高于铸态Fe81Ga19合金。
关键词:
Fe-Ga合金
,
phase structure
,
magnetostriction
,
Si addition
