徐平川
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曾体贤
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王志红
人工晶体学报
采用真空热蒸发法技术制备CdSe薄膜,通过XRD、SEM、Hall效应和分光光度计测试了薄膜的结构、表面形貌、I-V特性和光学透过率.结果表明:CdSe薄膜(100)晶面的面间距为0.369 nm,晶粒大小约为10.2 nm,薄膜表面晶粒分布较为均匀；CdSe薄膜与锡和银的肖特基势垒高度分别为0.76V和0.69V；CdSe薄膜的光透过率在远红外区较高,且呈上升趋势；折射率随波长增加按指数规律减小；根据Tauc关系和Urbach规则,获得能量带隙为1.79 eV和Urbach能量为0.217 eV.
关键词:
CdSe薄膜
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热蒸发
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接触势垒
,
带隙能量
,
Urbach能量
