彭小敏
,
夏长清
,
戴晓元
,
马科
稀有金属材料与工程
采用电弧离子镀(AIP)技术在耐热钛合金(近TC6)基体表面沉积制备NiCrAIY涂层.通过OM、SEM与EDS、XRD分析研究不同真空热处理制度对NiCrAlY涂层/钛合金基体体系的影响.结果表明:经650℃真空热处理后,NiCrAlY涂层中开始有γ'-Ni3Al相析出,750℃时含量增加,870℃时含量明显减少;从650℃开始,NiCrAlY涂层/钛合金基体开始发生界面反应,随着温度的升高,界面分层并加厚同时出现裂纹,在870℃下,NiCrAlY涂层,钛合金基体界面由外至内出现Ni3(Al,Ti)、TiNi和Ti2Ni中间化合物层;在750℃下,主要发生了Ni、Ti元素的扩散,Cr元素在870℃开始发生扩散.当温度升高到950℃时,由于Ni、Ti元素大量互扩散导致宏观疏空带出现,同时在基体和界面反应层交界处出现裂纹,这些都将引起涂层的退化失效.
关键词:
NiCrAlY涂层
,
真空热处理
,
Ti合金
,
元素扩散
戴晓元
,
夏长清
,
华熳煜
,
彭小敏
材料热处理学报
采用金相显微镜和透射电子显微镜研究了含钪Al-Zn-Mg-Cu-Zr系铝合金组织的再结晶,测试了不同温度下退火1h合金的硬度.结果表明:含0.20%Sc的7xxx系铝合金(冷变形量50%)的再结晶起始温度为475℃,再结晶终了温度为525℃.合金在均匀化以及热加工过程中析出细小、弥散的二次Al,(Sc,Zr)粒子钉扎位错、亚晶界和晶界,使回复过程中的位错运动受阻,保持基体内较高的位错的密度,阻碍加热时位错重新排列呈亚晶界以及更进一步发展成大角度晶界的过程;阻碍了再结晶核心长大过程,阻碍大角度晶界的迁移,从而提高再结晶温度.
关键词:
Sc
,
二次Al_3(Sc
,
Zr)粒子
,
再结晶
戴晓元
,
夏长清
,
彭小敏
中国有色金属学报
采用透射电子显微镜,研究含钪Al-Zn-Mg-Cu-Zr系铸态合金在退火过程中二次Al3(Sc,Zr)粒子的析出形貌、尺寸及分布.结果表明:含0.20%Sc的7系铝合金铸态试样在450 ℃退火2 h后,α(Al)基体内析出呈豆瓣状的二次Al3(Sc,Zr)粒子;在450 ℃退火32 h后,Al3(Sc,Zr)粒子尺寸为16～23 nm;在450 ℃退火32 h后的二次Al3(Sc,Zr)相与α(Al)基体完全共格.
关键词:
铝合金
,
二次Al3(Sc
,
Zr)粒子
,
Sc
,
析出
孙宇梁
,
王永生
,
田玉林
,
王均英
,
黄文学
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341
彭宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证彭宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对彭宁阱的核心电极施加合适的电压产生的.采用公式推导法和最小二乘法两种方法计算得到了LPT核心电极需加电压幅值.对于公式推导法,电压值完全从理论出发,经公式推导后计算得到;最小二乘法的出发点是使取样偏差的平方和最小,且通过仿真模拟考虑了电极的实际几何形状.由这两种方法得到的非四极项系数C4和C6,可用于估算因偏离理想四极电场所产生的实验误差.虽然这两种方法的出发点不同,但都可以在阱中心产生需要的四极电场.
关键词:
彭宁阱
,
质量测量
,
四极电场
,
电极电压
宣天美
,
尹桂林
,
葛美英
,
林琳
,
何丹农
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.01.023
半导体金属氧化物气敏传感器被广泛应用于有毒性气体、可燃性气体等的检测.ZnO是一种重要的半导体气敏材料,特别是纳米ZnO,由于其粒子尺寸小,比表面积大,成为被广泛研究的气敏响应材料之一.简要介绍了纳米ZnO气敏传感器的气敏机理、主要特性,综述了通过新型纳米形貌、结构制备以及元素掺杂改性提升纳米ZnO气敏性能等方面的研究进展,并进一步指出了纳米ZnO气敏传感器研究中存在的问题和未来的研究方向.
关键词:
氧化锌
,
掺杂
,
气敏传感器
徐明霞
,
刘丽月
,
郑嘹赢
,
樊丽莹
,
徐廷献
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.003
采用溶胶-凝胶工艺制备了用于汽车新型传感器的氧敏薄膜材料,包括过渡金属氧化物(MoOx、TiOx、CrOx)、钙钛矿型(SrTiO3/LaNiO3、LaNiO3、LaCrO3)和类钙钛矿型(La1-xMxNiO4)纳米粒子薄膜.结果表明,与传统氧传感器用的ZrO2、TiO2半导体材料相比,这三类材料的阻温系数小,敏感度高,响应速度快
关键词:
薄膜材料
,
氧敏特性
,
纳米粒子
,
溶胶
,
-凝胶法
方萌
,
胡玲
,
杨磊
,
史常东
,
吴玉程
,
汤文明
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.11.029
高硅 SiCp/Al 复合材料化学镀镍是其表面金属化的关键步骤,化学镀前的敏化工艺易造成该复合材料表面Al 合金的过度腐蚀,形成腐蚀孔洞缺陷,金属化后的试样表面粗糙度增加,并对后续的钎焊工艺产生不利影响.本文采用 SnCl2＋HCl 溶液对高硅SiCp/Al复合材料进行敏化处理,研究了敏化时间和敏化液浓度对试样表面质量的影响.结果表明,敏化0．5 min 后试样表面 Al 合金腐蚀程度小,沉积的Sn(OH)2颗粒数量少.敏化1．5 min 以上,试样表面Sn(OH)2颗粒数量多,但 Al 合金完全腐蚀,留下大而深的腐蚀孔洞；降低敏化液浓度也不能明显提高敏化试样的表面质量.敏化1．0 min 后,试样表面 Al 合金连续分布,无大而深的腐蚀孔洞,Sn(OH)2颗粒数量适中.经过1 min敏化的高硅 SiCp/Al 复合材料试样表面化学镀层质量良好.
关键词:
电子封装材料
,
高硅 SiCp/Al复合材料
,
化学镀
,
敏化
,
腐蚀
刘国晖
钢铁
阐明了小锻比锻造的概念,首次提出平面变形化的原理及纵向锥面砧可实现小锻比锻造.应用纵向锥面砧还可实现无横向拉应力锻造,提高轴类锻件的横向力学性能.小锻比锻造新工艺具有广阔的应用前景.
关键词:
平面变形化
,
纵向锥面砧
,
无横向拉应力
,
横向力学性能
