江风益
,
熊传兵
,
彭学新
,
王立
,
李述体
,
姚冬敏
,
莫春兰
,
李鹏
,
周毛兴
,
周力
,
吴蔚登
,
刘和初
材料导报
关键词:
李述体
,
莫春兰
,
李鹏
,
王立
,
熊传兵
,
彭学新
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.
关键词:
MOCVD
,
GaN:Si
,
光致发光
孙宇梁
,
王永生
,
田玉林
,
王均英
,
黄文学
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341
彭宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证彭宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对彭宁阱的核心电极施加合适的电压产生的.采用公式推导法和最小二乘法两种方法计算得到了LPT核心电极需加电压幅值.对于公式推导法,电压值完全从理论出发,经公式推导后计算得到;最小二乘法的出发点是使取样偏差的平方和最小,且通过仿真模拟考虑了电极的实际几何形状.由这两种方法得到的非四极项系数C4和C6,可用于估算因偏离理想四极电场所产生的实验误差.虽然这两种方法的出发点不同,但都可以在阱中心产生需要的四极电场.
关键词:
彭宁阱
,
质量测量
,
四极电场
,
电极电压
郭可信
金属学报
<正> X射线在金属学及金属物理这一学科中的应用日益广泛,它已经是从事金属研究的科学工作者所不可缺少的工具.同时,金属X射线学也已经成为一门新的边缘学科分支,是金属学及金属物理专业的必修课程.但是,在这方面,迄今为止尚无一本我国科学工作者编写的教材或参考书,仅有的几种译本亦都有内容贫乏与过时的缺点.因此,许顺生同志著的“金属X射线学”的出版是值得欢迎的.本书的内容范围相当广泛,并且是此较全面的.全书共26章,可以粗略地分五个部分:第一部分(1—5章):基本理论,包括X射线物理及晶体学基础,X射线衍射的几何及强度理论;第二部分(6—10章):各种实验方法,如劳厄、周转晶体、粉末及小角度散射法;第三部分(11—15章):X射线晶体学的一
关键词:
刘国勋
,
宋维锡
,
宋泝生
,
柯俊
,
章守华
金属学报
<正> 随着我国現代化工业的发展,从事金属材料的工作者的队伍迅速扩大,他們迫切需要較深入地掌握金属学及其近代发展。近年来,虽然出版了一些較深入的金属理論的譯著,但是适合于从事金属的生产和使用的一般工作者,使他們能正确系統地掌握現代金属学的基本概念和基本知識的参考书还是較少的。現代冶金丛书中徐著“金属学原理”的出版,可望滿足一部分这种迫切需要。 全书分八章。第一章金属的結构,介紹了固体金属的結构类型,金属原子大小的概念,晶体中的点、
关键词: