韩少卿
,
韩金智
,
赵芹
,
陈贵锐
,
彭奇均
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2006.02.008
根据纳滤过程和渗透原理数学模型,采用一元线性方程推导出料液和渗滤液中葡萄糖、海藻糖浓度与累积渗透体积的指数曲线,并对糖浓度的实测值和预测值进行比较.经过渗滤处理,葡萄糖和海藻糖回收率分别达86.96%和83.64%,而其他低聚糖损失率小于3%,指数方程能较好预测渗滤过程浓度变化.
关键词:
纳滤
,
渗滤
,
酵母
,
葡萄糖
,
海藻糖
吴菁岚
,
韩勇
,
李秋萍
,
彭奇均
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2003.04.026
以蔗糖、葡萄糖为表征物,研究了在不同超载方式和超载程度时,糖醇在制备色谱(PLC)上的分离行为及各柱分离参数的变化规律.结果表明,单组分体积超载可用理论塔板数N、峰宽W进行描述,浓度超载用N、拖尾因子Tf进行描述;双组分超载方式用N、分离度Rs等柱分离参数进行描述.提出了一种以N作为超载的通用表征参数,Tf、W和Rs分别为比较好的表达单组分浓度超载、体积超载和双组分超载点表征参数的超载表征方法.通过上述参数分析得到蔗糖、葡萄糖的单组分浓度超载点分别为150,200 g/L;双组分混合样品受彼此竞争吸附的影响,各浓度超载点分别提前到120,180 g/L;而体积超载点在单、双组分中保持相同.研究表明,蔗糖、葡萄糖在Pb型配位分离相上表现为凹型吸附等温行为,因此不适合采用浓度超载的进样方式.
关键词:
制备色谱
,
超载
,
分离参数
付勇
,
吴国光
,
彭奇均
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.04.020
从8种不同结构的阴离子交换树脂中筛选出D318树脂对水溶液中苏氨酸和谷氨酸的静态吸附分离及其热力学性质进行了研究.结果表明,langmuir模型对实验数据的拟合度优于Freundlich模型,且苏氨酸和谷氨酸在树脂吸附过程中都表现为优惠吸附.热力学研究结果表明,在293~313 K条件下,苏氨酸吸附量为8~10 mg/g的吸附焓变为30.026~31.615 kJ/mol,自由能变为-14.337~-26.340 kJ/mol、吸附熵变为-448.616~-16.855 J/(mol·K);而谷氨酸吸附量为30~50 mg/g的吸附焓变为-58.036~-60.053 kJ/mol,自由能变为-85.017~-137.647 kJ/mol、吸附熵变为92.084~247.905 J/(mol·K).
关键词:
阴离子交换树脂
,
苏氨酸
,
谷氨酸
,
吸附分离
,
热力学性质
孙宇梁
,
王永生
,
田玉林
,
王均英
,
黄文学
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341
彭宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证彭宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对彭宁阱的核心电极施加合适的电压产生的.采用公式推导法和最小二乘法两种方法计算得到了LPT核心电极需加电压幅值.对于公式推导法,电压值完全从理论出发,经公式推导后计算得到;最小二乘法的出发点是使取样偏差的平方和最小,且通过仿真模拟考虑了电极的实际几何形状.由这两种方法得到的非四极项系数C4和C6,可用于估算因偏离理想四极电场所产生的实验误差.虽然这两种方法的出发点不同,但都可以在阱中心产生需要的四极电场.
关键词:
彭宁阱
,
质量测量
,
四极电场
,
电极电压
程长征
,
程香
,
牛忠荣
,
周焕林
复合材料学报
利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口奇性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为奇性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重奇性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶奇性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性奇性指数亦可以根据本法求出.
关键词:
压电材料
,
切口
,
裂纹
,
奇性指数
,
渐近展开
周厚兵
,
周小红
,
张玉虎
,
郑勇
,
李广顺
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
M.Koizumi
,
A.Osa
,
Y.Hatsukawa
原子核物理评论
应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区奇A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.
关键词:
E-GOS曲线
,
相变
,
形状演化
李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率