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低品位钼精矿石灰焙烧-酸浸提取钼

陈许玲 , 王海波 , 甘敏 , 范晓慧 , , 邓琼 , 王勇 , 曾金林

中国有色金属学报

采用XRD和TG-DSC分析研究低品位钼精矿石灰氧化焙烧过程的反应机理,确定石灰法焙烧?酸浸提钼工艺的优化参数。热重分析表明:石灰法焙烧主要发生Ca(OH)2的分解、MoS2的氧化、MoO2的再氧化及钼酸盐的生成等反应,焙烧过程主要产生MoO2、MoO3、CaMoO4、CaSO4等物相。XRD分析表明:当温度高于600℃、反应时间大于90 min时,焙砂中低价态钼的衍射峰完全消失,此时焙砂主要物相为CaMoO4和CaSO4,辉钼矿被充分氧化;石灰焙烧适宜的条件为Ca(OH)2与钼精矿质量比1:1、焙烧温度650℃、焙烧时间90 min,焙烧过程硫的保留率可达91.49%。钼焙砂酸浸适宜的浸出温度为90℃、浸出时间为2 h、H2SO4浓度为70 g/L、液固比为5:1,此时钼浸出率可达99.12%,CaMoO4被完全溶出。

关键词: 低品位钼精矿 , 石灰焙烧 , 酸浸 , 物相变化

HNO3/NH4NO3预处理工艺强化低钼焙砂浸出

甘敏 , 曾金林 , 范晓慧 , , 陈许玲 , 王勇 , 邓琼 , 王海波

中国有色金属学报

采用湿法浸出法提取低钼焙砂中的钼元素.采用XRD分析低钼精矿氧化焙烧所得钼焙砂的物相组成,发现钼焙砂中因存在钼酸盐及低价钼,导致氨浸的钼浸出率低.采用含HNO3/NH4NO3预处理的方法研究了低品位钼焙砂的强化提钼.结果表明:HNO3/NH4NO3预处理使难溶钼酸盐转化为可溶于氨水的钼酸,同时,在酸盐效应的作用下抑制预处理过程钼的损失,从而提高钼的综合回收率.HNO3/NH4NO3预处理的适宜工艺参数:HNO3浓度120 g/L、NH4NO3浓度100 g/L、液固比3∶1、浸出时间120 min、浸出温度90℃.与非预处理的直接氨浸相比,氨浸渣中残留的钼含量从20.00%降低到5.13%,钼的回收率从75.90%提高到95.38%.

关键词: 低品位钼精矿 , 钼焙砂 , 难溶钼酸盐 , 预处理 , 氨浸

硅氮烷环体的催化聚合及热解制备Si3N4材料

, 罗永明 , 宗波 , 明艳 , 徐彩虹

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.02.010

采用甲基氢二氯硅烷的氨解产物硅氮烷环体(MHSZ)为原料,以四丁基氟化铵为催化剂,制备了高分子量的硅氮烷聚合物(PHSZ),结合红外、核磁、凝胶色谱仪和热重分析了反应时间对合成的PHSZ结构、组成、分子量和陶瓷产率的影响.考察了低温氨气,高温N2气氛处理工艺对热解产物结构和组成的影响.结果表明,随着反应时间的延长,PHSZ高聚物的分子量提高,热失重降低;采用该热解方式PHSZ可转化为含碳量仅为0.5wt%的Si3N4材料,热解样品在1 600℃时完全结晶,晶相主要是α-Si3N4.

关键词: 硅氮烷 , 聚合 , 热解 , 氮化硅

准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

冯亚军 , 徐卓 , 李振荣 , , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01127

(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界, 在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能. 本文选取PbTiO3含量在64.0%~65.5%的准同型相界附近的材料组分, 利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷, 通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究, 发现在x=64.%的组分条件下, BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能, 其室温压电常数d33可达500pC/N, 且居里温度(Tc)达到了438℃, 剩余极化强度和电致应变分别为44uC/cm2和3.5‰. 研究表明, 准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.

关键词: BS-PT , morphotropic phase boundary , high Curie temperature , piezoelectric ceramics

激光脉冲能量对四面体非晶碳薄膜的结构及血液相容性的影响

, 潘仕荣 , 刘毅 , 黄展云 , 陈弟虎

功能材料

采用脉冲激光方法制备了sp3/sp2不同比率的四面体非晶碳薄膜.利用拉曼光谱、紫外可见光谱等材料表征方法, 研究了脉冲激光能量对四面体非晶碳薄膜的微结构及血液相容性的影响.结果表明:脉冲激光能量显著影响四面体非晶碳薄膜中sp3/sp2的比率,调控单脉冲激光能量范围为150~250mJ,可使薄膜的光学带隙从1.41~2.44eV发生变化.血小板粘附实验和动态凝血实验表明制得的薄膜具有优良的血液相容性.分析了四面体非晶碳薄膜的抗凝血机理.

关键词: 四面体非晶碳薄膜 , 血液相容性 , 脉冲激光沉积 , 血小板粘附

HGB含量对SiO2/PF复合材料性能的影响

, 刘锋 , 李建 , 马飞

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2014.03.015

采用模压成型复合材料层压板工艺,制备了HGB质量分数分别为0、3%、5%、10%的SiO2/PF复合材料,研究了HGB含量对其密度、热物理、烧蚀及力学性能的影响规律.结果表明,HGB加入可降低SiO2/PF密度,提高耐热、耐烧蚀及其力学性能.当HGB含量为5wt%时,体系密度为1.634 g/cm3;23℃时cp从1.062提高到1.137 J/(g·K),950℃时,质量保留率为82.08%;线烧蚀率和质量烧蚀率分别为91 μm/s和66.9μg/s,降低了35.9%和20.1%;拉伸、弯曲和剪切强度分别提高了12.86%、21.50%和7.80%.

关键词: SiO2/PF , 中空玻璃微珠 , 隔热性能 , 烧蚀性能 , 力学性能

脉冲激光沉积制备类金刚石薄膜的结构和光学性质

刘毅 , 林晓东 , , , 陈弟虎

材料科学与工程学报

采用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了类金刚石薄膜,利用椭圆偏振光谱,拉曼光谱及X光电子能谱研究了衬底温度对薄膜的结构和光学性质的影响.结果表明较低衬底温度制备的薄膜的光学常数具有典型的类金刚石特征.衬底温度的升高导致了薄膜的有序化,使得薄膜的sp3键成分改变,从而影响了薄膜的光学常数.衬底温度过高,导致薄膜严重石墨化,表面粗糙度增加,不利于制备高质量类金刚石薄膜.

关键词: 类金刚石薄膜 , 脉冲激光沉积 , 结构 , 光学性质

高含硫气田腐蚀监测技术应用研究

杨英 , 魏凯 , , 杨毅

腐蚀学报(英文)

高温、高压、高含H2S、CO2及Cl-地层水对作业生产系统的材料选择、腐蚀监测与防腐工艺提出了严峻考验.针对高含硫的复杂多变腐蚀环境,需开展生产设备腐蚀形态以及分布规律、高含硫气田地面集输系统腐蚀监测技术研究.论文对各种腐蚀监测技术的优缺点进行了比较分析,

关键词: 腐蚀监测技术 , 高含硫气田 , 应用 , 材料选择 , 生产系统 , 腐蚀环境 , 防腐工艺 , 分布规律

准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

冯亚军 , 徐卓 , 李振荣 , , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.017

(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能.本文选取PbTiO3含量在64.0%~65.5%的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64.5%的组分条件下,BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC/N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC/cm2和3.5‰.研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.

关键词: BS-PT , 准同型相界 , 高居里温度 , 压电陶瓷

减温降计算模型

付国忠 , 刘建平 , 赵晓峰 , 刘建明 , 吕庆功 , 彭龙洲

钢铁

在对轧制时钢管的温降原因进行分析的基础上,给出一种定减温降计算模型,该模型考虑了辐射、接触传导、内部传导对温度的影响.通过对轧制实验测定得到钢管的温降数据与此模型实例计算的结果进行对比分析,表明该模型比较准确,能够满足生产实际的要求,可用于自动控制系统中定减温降的计算,从而为控制系统比较准确地对轧机进行设定及调整提供依据.

关键词: , 温降 , 模型

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