高景霞
,
王二萍
,
李慧
,
张金平
,
晏伯武
,
张洋洋
硅酸盐通报
微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.
关键词:
微波介质陶瓷
,
体系
,
介电性能
张海波
,
姜胜林
,
张洋洋
,
曾亦可
材料研究学报
采用单层和双层印刷法在氧化铝衬底上制备功能陶瓷厚膜用Pt电极, 研究了烧结温度、升温速率和电极厚度对Pt电极层的表面形貌、表面覆盖率和表面粗糙度的影响,以揭示晶粒长大、气孔生长及致密化机制. 结果表明, 在单层印刷Pt电极的烧结过程中,低温阶段残留的碳使不同温区Pt的主导扩散机制不同.双层印刷Pt电极中第一层在600℃下烧结后,印刷第二层再在1200℃下烧结具有最大表面覆盖率和最小平均粗糙度(其值约为0.82 um),同时具有最好的导电性能(方阻为0.044 Ω/□).
关键词:
金属材料
,
Screen printing
,
Sintering
范茂彦
,
姜胜林
,
谢甜甜
,
张洋洋
,
张丽芳
功能材料
以钡、锶和锰醋酸盐为原料,采用新型溶胶-凝胶法制备锰掺杂4%mol、Ba/Sr分别为60/40、65/35和70/30的纳米粉体,均匀分散于组分相同的BST溶胶中,形成稳定的厚膜先体凝胶.浓度0.4mol/L钛酸钡凝胶薄膜种子层,作为不同组分厚膜之间的中间夹层.利用旋转涂覆工艺在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si复合底电极上,制备出厚度约为6～10μm的BST介电增强型夹层厚膜.XRD测试结果表明,650℃热处理2h后的夹层厚膜为单一钙钛矿相,750℃热处理后2h的夹层厚膜在室温、环境温度25℃、频率1kHz下相对介电常数εγ和介质损耗tanδ分别约为1200和0.03,室温25℃附近较宽范围介温变化率>1.2%/℃,BST夹层厚膜无裂纹出现,表面平整,致密,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料.
关键词:
红外
,
新型sol-gel技术
,
LNo/Pt复合底电极
,
夹层厚膜
,
介电增强
张洋洋
,
赵雅楠
,
闫涛
,
洪国同
,
李洋
工程热物理学报
本文介绍的小型液氮零蒸发系统主要由脉冲管制冷机、低温热虹吸管和小型液氮杜瓦等部件组成.其既可以用于低温液体的长期无损存储,也可以作为一种稳定可靠的复合式低温冷源;具有超长寿命、温度均匀稳定、无需补液以及隔离振动和电磁干扰等优点.文中简要介绍了该套小型零蒸发系统的结构设计与热设计,重点对该系统的运行特性进行了初步分析和实验研究,包括启动过程、运行动态、稳态平衡以及变工况运行等,掌握了低温液体零蒸发系统的运行规律.
关键词:
零蒸发系统
,
脉冲管制冷机
,
热设计
,
无损存储
陈亚波
,
张洋洋
,
姜胜林
,
刘耀平
,
郭婷
功能材料
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释.实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时εr=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷.
关键词:
大功率压电陶瓷
,
PZT
,
相结构
,
低损耗
,
体电阻率
李慧
,
高景霞
,
张金平
,
韦亚晓
,
张洋洋
硅酸盐通报
以勃姆石为原料,通过溶胶凝胶工艺制备微晶氧化铝磨料.研究了球磨时间、胶溶液pH值、干燥工艺及烧结工艺对微晶氧化铝磨料微观结构和力学性能的影响,得到合适的制备工艺参数.采用优化的制备工艺参数,可以得到晶粒尺寸大约为200 nm且粒度分布均匀的微晶氧化铝磨料,其单颗粒(425～550 μm)抗压强度达到8.0 kg、堆积密度达到1.9516 g/mL.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
微晶氧化铝
,
单颗粒抗压强度
,
微观结构
张洋洋
,
洪国同
复合材料学报
介绍了一种特殊的辐轮式低温支撑,针对这种不同材质和辐条数量及其截面形状的辐轮式结构,分别从热学性能和力学性能两方面进行了实验研究,测量了聚醚醚酮(PEEK)和玻璃钢(GRP)两种材料的热导率以及由这两种材料组成的多种结构形式的支撑轮的热阻,对试样进行力学拉伸破坏实验,并对实验结果进行了分析与比较,给出了误差分析.实验结果表明,温度在200 K以下时PEEK材料热导率小于GRP材料,200 K以上时两者相当;支撑轮的热阻随着辐条数量和截面积的增加而减小,且实验测得的热阻是固体传热和辐射换热的综合结果;支撑轮的力学性能随着辐条数量和截面积的增加而提高,GRP材料的支撑轮径向承受载荷能力较强、轴向偏弱,而PEEK材料的支撑轮各方向上承载能力较为均匀,这主要是因为GRP材料是各向异性的.综合热性能和力学性能实验结果,PEEK材料6辐带肋结构的支撑轮是最佳选择.
关键词:
聚醚醚铜
,
玻璃钢
,
辐轮低温支撑
,
热导率
,
热阻
,
力学性能
李慧
,
孙彩霞
,
王博
,
陈贺
,
高景霞
,
张洋洋
硅酸盐通报
用传统的固相无压烧结法制备了Li0.02(Na0.52K0.48)0.98Nb0.8T0.2O3-xAg2O(0≤x≤0.1)无铅压电陶瓷,研究了Ag2O掺杂对陶瓷电性能的影响.研究发现,适当掺杂Ag2O能显著提高陶瓷的电性能,在1090℃的烧结温度下,当掺杂量为0.06时,陶瓷的压电性能最佳,d33、Kp、εr、Pr均达到最大(d33=229 pC/N,Kp=55.2％,εr=802,Pr=23 μC/cm2),矫顽场降到最低(Ec=12 kV/cm),应变达到2.0％.但Ag2O的添加使陶瓷的机械品质因数Qm由139.7降到了58.8,使介电损耗tanδ由1.38％增加到了2.7％.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
(KNa)NbO3
,
Ag2O
,
掺杂量
李慧
,
孙彩霞
,
陈贺
,
王博
,
张洋洋
硅酸盐通报
用传统的固相反应烧结法制备了Li0.02(Na0.53K0.48)0.98 Nb0.8Ta0.2O3-xSb2O3(LNKNT-xSb2O3)无铅压电陶瓷,研究了Sb3+掺杂对陶瓷晶体结构、显微结构及压电性能的影响.研究结果表明,Sb3+掺杂LNKNT陶瓷属于明显的“软性”掺杂,少量掺杂Sb3+能显著提高陶瓷的烧结及压电性能.当烧结温度为1100℃,掺杂量为2wt％时,LNKNT-0.02Sb陶瓷达到最好的压电性能:d33=193 pC/N,KP=49.5％,εr=779,Pr=16μC/cm2,应变达到2.3％,但机械品质因数QM从110.97降低到了85,介电损耗tanδ从1.66％增加到了2.01％.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
(KNa)NbO3
,
Sb3+掺杂
孙彩霞
,
高景霞
,
张金平
,
王二萍
,
张洋洋
硅酸盐通报
采用固相反应制备了（1－x）Ba3（VO4）2-xLi2MoO4微波介质陶瓷，研究了掺入不同质量比的Li2MoO4对Ba3（VO4）2的微观结构和微波介质性能影响，X线衍射（XRD）测试结果表明，Ba3（VO4）2和Li2MoO4二者兼容性良好，无第二相产生。添加具有低熔点及相反（负）频率温度系数的Li2 MoO4能有效降低Ba3（ VO4）2的烧结温度，并随着添加剂Li2 MoO4的增加，此复合陶瓷的相对体密度、介电常数εr 和品质因数Q ×f呈现出先增加随后又降低的趋势，而谐振频率里面温度系数τf逐渐降低。当烧结温度为660℃且添加量30wt％Li2 MoO4的复合微波介质陶瓷获得了最佳的微波介电性能：εr ＝11．99， Q ×f＝39700 GHz，τf ＝－24 ppm／℃。
关键词:
低温烧结
,
Ba3(VO4)2
,
Li2MoO4
,
微波介质陶瓷
