蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
张雪华
,
赵维娟
,
孙洪巍
,
邱霞
,
孙新民
,
李国霞
,
郭敏
,
谢建忠
,
郭木森
硅酸盐通报
显微结构分析是研究古陶瓷结构和烧制工艺的重要方法.本文选取清凉寺窑汝官瓷样品5片,汝州张公巷窑青瓷样品5片,利用场发射扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察所选青瓷釉的显微结构,并进一步探讨了两窑的青瓷釉析晶-分相结构,结果表明:清凉寺窑和张公巷窑出土的青瓷釉都具备析晶-分相结构特征,釉的分相结构与钙长石析晶相伴生,分相的形貌有孤立液滴状和三维连通状.从而揭示青瓷釉迷人外观下所隐含的科学规律.
关键词:
清凉寺窑汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
显微结构
,
析晶
,
分相
刘宜华
,
岳龙强
,
徐丽
,
黄佶
,
季刚
,
王成建
,
张汝贞
,
胡季帆
,
梅良膜
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.004
在La0.67Ca0.33MnO3中进行了掺Gd研究，结果发现，经1400℃烧结的样品，获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加，材料的相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，居里温度逐渐下降，磁电阻比明显提高。掺入11%的Gd后，可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。
关键词:
钙钛矿结构
,
稀土掺杂锰氧化物
,
超大磁电阻(CMR)
刘宜华
,
张汝贞
,
王成建
,
黄宝歆
,
代由勇
,
原晓波
,
梅良模
功能材料
在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究,结果发现,随掺Dy量的增加,两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加.在Ca系样品中,掺入13%的Dy后,在5T的磁场下,最大磁电阻比达到7900%.在Ba系样品中,掺Dy对磁电阻的影响要小得多.掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释,但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系.
关键词:
稀土掺杂锰氧化物
,
庞磁电阻
,
晶格效应
刘宜华
,
王成建
,
张汝贞
,
季刚
,
黄宝歆
,
岳龙强
,
梅良模
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.002
在La0.5Ba0.5CoO3中,系统研究了Ce对La的替代效应.Ce的掺入首先产生了电荷转移效应.材料高温磁化率测量表明,每个Ce原子向Co的3d壳层转移2.86个电子,结果随Ce掺入量增加,材料磁矩成线性下降.另外,随Ce含量增加,材料居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.在所研究的温度范围内,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电.由于电荷转移效应,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大.当La全部被Ce替代后,室温下材料的电阻率提高了五个数量级以上.
关键词:
La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物
,
电荷转移
,
尺寸效应
,
变程跳跃导电
黄宝歆
,
刘宜华
,
原晓波
,
王成建
,
陈卫平
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.006
将Bi2O3掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0 67Sr033MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出.随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0-0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降.当x=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级.Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响.低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03 Bi使室温磁电阻由-4.4%提高到-5.6%.
关键词:
Bi掺杂
,
La0.67Sr0.33MnO3磁电阻效应
,
自旋相关散射
,
自旋相关隧穿
刘宜华
,
张汝贞
,
王成建
,
岳龙强
,
栾开政
,
梅良模
,
黄佶
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.05.010
随掺Gd量的增加,La-Gd-Ca-Mn O化合物的金属绝缘体相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,磁电阻比明显提高,掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应,随掺Gd量增加,不可逆效应明显增大。
关键词:
稀土锰氧化物
,
巨磁电阻效应
,
不可逆磁电阻效应
原晓波
,
刘宜华
,
黄宝歆
,
王成建
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.012
系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba033MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响,随着Ti含量的增加,材料的磁化强度和居里温度快速下降,电阻率急剧增大,电阻率的峰值逐渐向低温移动.Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大,主要是显著提高了材料的本征磁电阻.1%的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强,1T磁场下,室温磁电阻达到-8.4%,比未掺杂的La0.67Ba0.33MnO3材料增强了50%.
关键词:
La0.67Ba0.33MnO3
,
Ti掺杂
,
磁电阻
,
电阻率
,
磁化强度
黄宝歆
,
刘宜华
,
张汝贞
,
原晓波
,
王成建
,
郝小鹏
中国稀土学报
将用溶胶-凝胶法得到的La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)微粉与ZrO2的颗粒进行复合,制备了(LCMO)x/(ZrO2)1-x渗流复合体系.当LCMO的体积分数为40%时,复合体系达到渗流阈值,此时材料在低温下的磁电阻得到显著增强.77 K时在10 mT的磁场下,(LCMO)0.4/(ZrO2)0.6的磁电阻比为7.8%,相对于LCMO增加了712%.低场磁电阻(LFMR)的增强是由于载流子在二者界面处发生的自旋相关隧穿效应.由于界面反应,不可避免地产生了Zr离子对Mn离子的B位替代,从而引起材料磁性M和居里温度Tc的下降.在x＜60%时,Tc保持在220 K附近基本不变,说明该B位替代是有限的.
关键词:
无机非金属材料
,
复合体系
,
庞磁电阻
,
界面隧穿
,
低场磁电阻
,
稀土
黄宝歆
,
刘宜华
,
王军华
,
张林
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料
用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fex(In2O3)1-x.实验结果表明样品的微结构、磁性和巨磁电阻效应受制备条件(如本底真空度、衬底温度、溅射电压等)以及热退火处理的强烈影响.较高的衬底温度有利于基体In2O3的晶化和Fe颗粒的成长.适当的热退火能促使Fe颗粒生长,使晶格畸变减小,从而改善膜的微结构.室温下,磁性测量表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程.高温退火后,颗粒的大小已超过单畴粒子的临界尺寸,引起矫顽力下降.
关键词:
微结构
,
超顺磁性
,
巨磁电阻
,
Fe-In2O3颗粒膜
