张文康
,
毛卫民
,
王一德
,
李慧峰
,
白志浩
钢铁
研究了热轧板晶粒尺寸对无取向硅钢织构、成品晶粒尺寸、铁损和磁感的影响.结果表明,随着热轧板晶粒尺寸的增加,成品晶粒尺寸增加、高斯织构组分{110}〈100〉增强、γ纤维织构组分减弱,导致铁损显著降低、磁感显著提高.
关键词:
无取向硅钢
,
磁性能
,
热轧板晶粒尺寸
,
晶体织构
张文康
,
毛卫民
,
王一德
,
薛志勇
,
白志浩
钢铁
研究了热轧加热温度、终轧温度、卷取温度对w(Si)=1.50%无取向硅钢晶粒组织、织构演变、铁损和磁感的影响.结果表明,随着铸坯加热温度的提高,冷轧无取向硅钢成品晶粒尺寸减小,有利织构组分增加,铁损增加,磁感提高.提高终轧温度可以促进热轧板的再结晶,增加成品中有利织构组分,降低铁损,提高磁感.卷取温度对成品的晶粒大小没有显著的影响,但提高卷取温度能增加成品中有利织构组分,降低铁损,提高磁感.
关键词:
无取向硅钢
,
热轧工艺
,
组织结构
,
磁性能
程灵
,
杨富尧
,
马光
,
陈新
,
张文康
,
程志光
材料导报
阐述了国内外高磁感取向硅钢的生产研究水平与发展趋势,包括通过提高高斯晶粒取向度、细化磁畴、涂覆张力涂层、减薄钢片厚度进一步降低铁损以及低温加热技术和短流程技术新工艺.分析高磁感取向硅钢在我国大型电力变压器上的应用情况,结果表明,发展更薄规格高磁感、低铁损、低磁致伸缩取向硅钢可为大型变压器的安全性、节能性及环保性提供有效保障.
关键词:
电力变压器
,
取向硅钢
,
铁损
,
磁感
党宁
,
李志超
,
唐荻
,
张文康
,
孙强
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.05.001
利用X射线衍射织构分析技术和电子背散射衍射微织构分析技术,对0.20mm CGO硅钢薄板在高温退火缓慢升温过程中表层和次表层的织构演变规律进行了研究.结果表明:0.20mm CGO硅钢在高温退火过程中经历了低温回复、初次再结晶、初次再结晶晶粒长大和二次再结晶形成最终锋锐Goss织构的演变过程.Goss取向晶粒最初起源于变形回复基体中残存于{111}<112>形变带上少量的Goss晶粒亚结构,600℃保温2h后,Goss取向晶粒率先从变形基体中转变形核,在随后的升温过程中逐渐发生再结晶,Goss取向晶粒在此过程中并不具有尺寸优势,700℃时初次再结晶完成,基体中以γ纤维织构和{112}<110>织构为主;随着退火温度的升高,Goss晶粒的含量和平均晶粒尺寸逐渐增加,在900~1000℃之间,Goss取向晶粒迅速“吞噬”其他取向晶粒形成锋锐的Goss织构,1000℃时已经发生了二次再结晶.
关键词:
硅钢
,
退火
,
高斯织构
,
再结晶
党宁
,
李志超
,
张文康
,
孙强
材料热处理学报
采用不同的二次冷轧压下率分别制备了0.27、0.23和0.20 mm的CGO硅钢,利用X射线衍射仪(XRD)和电子背散射衍射技术(EBSD)对3种不同厚度试样的初次再结晶织构组分含量和分布状态进行了对比研究.结果表明,经过不同二次冷轧压下率,试样中初次再结晶基体的织构类型相同,以γ织构和α取向线上{112} <110>至{111} <110>区间的织构为主,二次冷轧压下率越大,初次再结晶基体中Goss晶粒的含量越多,位向更准确,{111} <110>和{111} <112>等有利织构的含量也越多,有利于增强二次再结晶后Goss织构的锋锐程度,并使成品的磁性能得到提高.
关键词:
CGO硅钢
,
二次冷轧压下率
,
Goss织构
,
再结晶
赵建伟
,
张文康
,
苗晓
钢铁
研究二次冷轧压下率对于硅的质量分数为3.0%的无取向硅钢组织结构和磁性能的影响。结果表明:当第二次冷轧压下率从0变化至16.7%时,铁损逐渐增加,磁感逐渐降低。当第二次冷轧压下率大于16.7%时,随压下率的增加,铁损逐渐减小,磁感逐渐增加。当第二次冷轧压下率大于38%时,二次冷轧法所能获得的磁性能明显优于一次冷轧法。
关键词:
二次冷轧
,
压下率
,
无取向硅钢
,
组织
,
磁性能
中国腐蚀与防护学报
<正> 由国家科委组团,以张文奇为团长,石声泰为副团长,并有刘翔声、曹楚南、韦镇球等同志参加的中国腐蚀与防护学会代表团自1980年7月26日至8月16日访问了美国,8月17日至8月23日访问了日本,分别受到了美国腐蚀工程师协会和日本腐蚀防蚀协会以及两国的腐
关键词:
中国腐蚀与防护学报
<正> 中国腐蚀与防护学会第一届第二次理事会于1982年12月17日至21日在北京钢铁学院召开。出席会议的理事47人,各地方分会及各专业学术委员会的负责人也列席了会议。张文奇付理事长代表常务理事会作了题为“动员广大腐蚀科技工作者,为全面开创社会主义现代化建设的新局面贡献力量”的工作报告,传达
关键词:
吕洪君
,
郭俊旺
,
彭斐
,
吴天昊
,
解光军
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.01.005
量子电路是实现量子态幺正演化的手段,一位和两位门是构成量子电路的基础.Barenco用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能,张登玉在Barenco的工作基础上对用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能进行了改进.通过对Barenco方案和张登玉方案的分析和研究,提出了一个用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能的新方案,该方案结构更简单,且所用的两位门更易于实现,同时指出和改正了张文的不太准确的结论.
关键词:
量子信息
,
量子逻辑电路
,
量子逻辑门
,
幺正变换
,
Toffoli门