蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
陈牧
,
颜悦
,
张晓锋
,
刘伟明
,
周辰
,
郭志强
,
望咏林
,
厉蕾
,
张官理
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.2.001
化学气相沉积法合成的石墨烯薄膜在实现石墨烯产业化应用过程中,依赖于大面积薄膜转移技术的突破性进展.本文按照中介物过渡转移法、直接干法和湿法转移法、大规模卷对卷转移法分类介绍了现有的30多种石墨烯薄膜转移方法,从微观机理到宏观实现方法对比了三类方法的优缺点和适用范围:中介物过渡转移法主要用于实验室阶段科学探索,转移后的薄膜质量高但尺寸小;直接干法和湿法转移法减少了中介物过渡流程,但仍处于小试阶段;大规模卷对卷转移法借鉴了半导体薄膜工业成熟的卷对卷技术,实现了米级尺寸薄膜的高效和可重复性转移,是目前批量化转移石墨烯薄膜的最有效途径.
关键词:
石墨烯薄膜
,
转移技术
,
目标基片
,
中介物过渡转移
,
卷对卷转移
陈牧
,
颜悦
,
刘伟明
,
周辰
,
郭志强
,
张晓锋
,
望咏林
,
厉蕾
,
张官理
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2014.6.001
全固态薄膜锂电池利用固态电解质替代传统电解液,采用多层薄膜堆垛的平面结构,属于新一代的锂离子电池,在军民两用的可穿戴设备、便携式移动电源、汽车和航空动力电池等领域应用前景广阔.该类电池因高安全性、长循环寿命、高比容量和高能量密度等优势性能受到业界广泛关注.本文概述薄膜锂电池的分类和充放电原理,总结正负极、电解质薄膜材料的发展历程和薄膜制备手段的改进,对比各类电池材料的电化学性能,引入该方向最新的研究进展:三维薄膜锂电池,可变形的柔性电池,高电压、大容量电池组.汇总国外商用电池产品、关键优势技术、电池制备设备,提出薄膜锂电池亟待解决的科学问题和国内潜在的产业化方向.
关键词:
薄膜锂电池
,
磁控溅射
,
正极薄膜
,
安全性
,
LiPON
张雪华
,
赵维娟
,
孙洪巍
,
邱霞
,
孙新民
,
李国霞
,
郭敏
,
谢建忠
,
郭木森
硅酸盐通报
显微结构分析是研究古陶瓷结构和烧制工艺的重要方法.本文选取清凉寺窑汝官瓷样品5片,汝州张公巷窑青瓷样品5片,利用场发射扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察所选青瓷釉的显微结构,并进一步探讨了两窑的青瓷釉析晶-分相结构,结果表明:清凉寺窑和张公巷窑出土的青瓷釉都具备析晶-分相结构特征,釉的分相结构与钙长石析晶相伴生,分相的形貌有孤立液滴状和三维连通状.从而揭示青瓷釉迷人外观下所隐含的科学规律.
关键词:
清凉寺窑汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
显微结构
,
析晶
,
分相
钟艳莉
,
李洁
,
张官理
,
杨康
,
纪建超
,
哈恩华
电镀与涂饰
以溶液聚合工艺制备了数均分子量在20 000左右、羟基值为40 ~ 48 mgKOH/g的丙烯酸树脂,将该树脂与固化剂N-75按适宜的比例混合为底涂层,淋涂于800 mm×400 mm的洁净有机玻璃(PMMA)表面,在真空镀膜机中依次沉积TiO2膜和Au膜,获得了PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜.研究了不同配方的丙烯酸树脂合成工艺和混合溶剂的选择及配比对PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜性能的影响,讨论了“形变”的原因.研究发现,当乙酸丁酯和丙二醇甲醚醋酸酯以1:1的质量比为混合溶剂,树脂和混合溶剂的质量比为1:3时,所得涂膜具有良好的附着力.以Tego270为助剂,其质量分数为0.2%时能有效减少薄膜的“形变”缺陷.
关键词:
有机玻璃
,
真空镀
,
二氧化钛
,
金
,
导电膜
,
底涂层
,
丙烯酸树脂
刘宏燕
,
颜悦
,
望咏林
,
伍建华
,
张官理
,
厉蕾
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.4.010
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜.综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则.化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物.根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种.在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导.进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用.In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力.此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点.
关键词:
氧化铟
,
氧化锡
,
氧化锌
,
透明导电氧化物
望咏林
,
颜悦
,
沈玫
,
贺会权
,
张官理
材料导报
综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.
关键词:
氧化物薄膜
,
透明导电机理
,
制备工艺
,
ITO
,
AZO