马鹏飞
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阮永丰
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贾敏
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李文润
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张宇晖
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张守超
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王丹丽
硅酸盐通报
用剂量为5.74×1018 cm-2的中子对Al2O3晶体进行了辐照,利用吸收光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复.中子辐照产生了大量的阴离子单空位(F和F+)、阴离子双空位(F2)及其它更高阶的缺陷.通过等时退火,发现低阶的阴离子单空位缺陷在较低温度下即可恢复,而高阶的缺陷则会在退火过程中得到加强,新的吸收峰(更高阶的缺陷)也会在退火过程中出现,在1000℃退火温度下,所有缺陷全部恢复.
关键词:
Al2O3
,
中子辐照
,
缺陷
,
吸收光谱
阮永丰
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马鹏飞
,
贾敏
,
李文润
,
张宇晖
,
张守超
,
王丹丽
人工晶体学报
分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10~(18) n· cm~(-2)、8.2×10~(18) n· cm~(-2)和1.72×10~(19) n· cm~(-2)的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤.结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品.样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构.晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加.
关键词:
SiC
,
中子辐照
,
辐照缺陷
,
钉扎
