唐昌平
,
张新明
,
邓运来
,
李理
,
周洋
,
赵凤景
,
许理
,
张国义
中国有色金属学报
研究高低温循环热处理对EW94合金挤压-T6态板材组织与力学性能的影响.结果表明:在(-196℃,12h)+(RT,12 h)制度下,循环热处理对合金的力学性能无明显影响;经(-196℃,12 h)4(≤200℃,12 h)循环热处理N(N≤15)次后,样品抗拉强度有所提高;经(-196℃,12 h)+(200℃,12 h)循环4次后,样品抗拉强度达到峰值,为413 MPa;经(-196℃,12 h)+(250℃,12 h)循环处理后,样品抗拉强度略有下降,伸长率略有提高;而经(-196℃,12 h)+(300℃,12 h)循环处理后,样品抗拉强度,急剧下降至307 MPa,但伸长率由2.8%提高到5.6%;随循环次数的增加,合金力学性能基本保持稳定.合金在高低温循环过程中的相变是影响其力学性能的主要因素.
关键词:
高低温循环
,
时效
,
析出相
,
断裂
,
伸长率
秦志新
,
陈志忠
,
于彤军
,
张昊翔
,
胡晓东
,
杨志坚
,
李忠辉
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001
研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.
关键词:
氮化镓基LED
,
欧姆接触
,
氧化
陈志忠
,
秦志新
,
胡晓东
,
于彤军
,
杨志坚
,
章蓓
,
姚光庆
,
邱秀敏
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.002
用1 mm×1 mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED.其200 mA下的发光功率为13.8 mW,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的10倍.同时改变注入电流,发现功率曲线直到200 mA仍没有出现饱和或下降的趋势,白光的色温从5 300 K下降至4 800 K.同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响.
关键词:
白光LED
,
大功率
,
荧光粉
,
色温
吴承祯
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.05.013
本文对欧洲、德国、日本、中国的水泥标准中通用水泥的分类进行了系统的比较,可知德国和日本在通用水泥的分类方面都采纳了欧洲水泥标准,明确说明水泥中混合材料的名称及掺入量,这有利于用户决定掺合料的品种和数量.我国普通硅酸盐水泥中的混合材料只规定活性混合材料和非活性混合材料,不能向用户确切表明混合材料的品种.因此建议在通用水泥的分类中取消普通硅酸盐水泥的名称,参照欧洲水泥标准进行修订,即使混合材料掺入量仅6%～15%,也需标明其品种.
关键词:
水泥标准
,
通用水泥
,
分类
卢钦
,
左然
,
刘鹏
,
童玉珍
,
张国义
人工晶体学报
针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响.研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体.
关键词:
MOCVD
,
化学反应
,
AlN
,
数值模拟
赵江
,
左然
,
刘鹏
,
童玉珍
,
张国义
人工晶体学报
对大尺寸氢化物气相外延(HVPE)反应器的流场和温场进行二维数值模拟研究,旨在提高托盘表面温度和温度分布均匀性.基准模拟显示,靠近喷头的加热器对托盘温度的影响大于底部加热器,随着加热器功率增大,温度分布均匀性变差.在基准模拟的基础上,提出在反应器底部设置隔热钼屏的托盘升温方法.优化后的模拟显示,托盘温度升高约48 K,而温度均匀性变化不大.在使用4层钼屏的基础上,通过在石墨托盘内部开圆柱槽,显著提高了托盘温度分布均匀性,并使温度进一步提升约5K.
关键词:
HVPE反应器
,
数值模拟
,
温场
陆敏
,
杨志坚
,
潘尧波
,
陆羽
,
陈志忠
,
张国义
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009
采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.
关键词:
紫光二极管
,
MOCVD
,
GaN
,
量子阱结构
商树萍
,
于彤军
,
陈志忠
,
张国义
材料研究学报
测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,
研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢;
与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的
电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明, 在 LED的工作过程中,
缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低, LED光功率下降.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
,
null
商树萍
,
于彤军
,
陈志忠
,
张国义
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.008
测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降.
关键词:
无机非金属材料
,
GaN
,
紫光LED
,
可靠性
