丁士进
,
王鹏飞
,
张剑云
,
张卫
,
王季陶
,
张冶文
,
夏钟福
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.02.008
以Teflon AF 1600为原料,用旋涂法制备了非晶含氟聚合物(AF)薄膜通过扫描电镜(SEM)、傅立叶转换红外(FTIR)光谱和X射线光电子(XPS)光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征.所得薄膜具有无针孔,较光滑和平整的表面,300℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善.AF薄膜在300℃以下具有良好的热稳定性,在400℃退火后CF3吸收峰强度稍有降低.在400 ℃退火后,其所含的CF3键合构型显著降低,CF2、CF等其它构型没有明显的变化,由于CF3基剖的分解有少量无定型碳生成
关键词:
旋涂
,
AF薄膜
,
热稳定性
张欣梧
,
娄可行
,
王家兴
,
张露娇
,
张冶文
,
张晓青
功能材料
研究了基于辐照交联聚丙烯（XPP）的压电驻极体功能膜的机电性能。利用介电谐振谱测定了XPP膜的弹性模量;通过准静态方法测量了该功能膜的压电系数d33及其压强特性曲线;对压电相应的时域谱进行了分析;最后讨论了该功能膜的力学疲劳特性。结果表明XPP压电驻极体膜的弹性模量为1.3MPa,压电系数d33在10～100kPa的压强范围内都具有良好的线性度;时域谱揭示了XPP膜的粘流特性;XPP膜的输出电压和压力呈现良好的线性关系;经历60万次的循环力载荷,压电系数d33没有明显的变化。
关键词:
机电性能
,
压电驻极体
,
交联聚丙烯
李晓波
,
陈嵘
,
张冶文
,
夏钟福
功能材料
通过和杜邦公司产Kapton H商品膜驻极体性能比较,系统研究了由国产ZPKI型聚酰亚胺前体溶液制备薄膜的驻极体性能.通过常温和高温正负电晕充电,补偿法表面电位衰减测量及开路热刺激放电(TSD)电流谱等技术,研究了常温和高温驻极时PI膜的电荷稳定性及其电荷输运特性,高温致密化处理对样品驻极体性能的影响,以及正负电晕充电稳定性的化学结构分析.
关键词:
聚酰亚胺
,
驻极体
,
TSD
张晓青
,
WedelA
,
BuechtemannA
,
夏钟福
,
张冶文
无机材料学报
1. 通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．
关键词:
多孔
,
SiO2
,
film
,
electret
,
characteristic
宫斌
,
张冶文
,
郑飞虎
,
肖春
,
吴长顺
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.01.028
本文利用激光脉冲压力波法(PWP)研究了纯低密度聚乙烯(LDPE)材料以及掺杂一定量(重量百分比0.5%)四种无机粉末(TiO2、SiO2、BaTiO3、Al2O3)后的低密度聚乙烯(LDPE)材料在高电场持续作用下体内空间电荷的动态分布和等温衰减情况,并结合热刺激放电法(TSC)分析了掺杂前后材料中的陷阱分布状态,更好地了解空间电荷的行为特性.实验表明,掺杂无机粉末能够改变材料中的陷阱能级状态,从而改变空间电荷的动态分布和等温衰减特性.其中掺杂BaTiO3 粉末的低密度聚乙烯(LDPE)材料中产生了最深的陷阱,抑制了空间电荷的电极再注入和体内运输.
关键词:
空间电荷
,
低密度聚乙烯
,
无机粉末
,
压力波法
,
热刺激放电法
张晓青
,
夏钟福
,
潘永刚
,
张冶文
功能材料
非晶态二氧化硅(SiO2)具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器.但是,热氧化SiO2驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响.利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅/二氧化硅(SiN4/SiO2)双层膜,可使其内应力相互补偿.本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性.实验结果表明,Si3N4/SiO2双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性,Si3N4/SiO2双层膜系统的电荷寿命比SiO2驻极体约高两个数量级.常温恒压电晕充电,电荷被储存在Si3N4/SiO2双层膜的近自由面附近,随着充电温度的提高,平均电荷重心向驻极体内部迁移.但是在低于300℃的充电温度下,平均电荷重心不能达到Si3N4和SiO2的界面处.电荷输运受缓慢再捕获效应控制.
关键词:
驻极体
,
双层薄膜
,
电荷储存
,
电荷输运
邱勋林
,
夏钟福
,
吴越华
,
王飞鹏
,
张冶文
,
功能材料
通过不同条件下的正负电晕充电,等温表面电位衰减测量,热刺激放电(TSD)电流谱分析和热脉冲技术,首次研究了偏氟乙烯(VDF)和三氟氯乙烯(CTFE)共聚物P(VDF/CTFE)的驻极体性质,结果指出:共聚物驻极体的空间电荷热稳定性明显优于PVDF;TSD谱分析说明这种材料驻极体也是极性驻极体,即体内同时包含有偶极和空间电荷.本文还对样品的正负电晕充电后的电荷储存稳定性做了对比;研究了材料的能阱分布,确定了样品在不同温度电晕充电时平均电荷重心的迁移规律.
关键词:
偏氟-三氟氯乙烯共聚物
,
驻极体
,
偶极子
张晓青
,
夏钟福
,
张冶文
,
功能材料
通过控制溶胶-凝胶(sol-gel)工艺条件,利用相应条件下样品的红外光谱,等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等,考察了Si基多孔SiO2薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系.实验结果表明,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响;烧结温度和时间对电荷的储存稳定性的影响较大.
关键词:
多孔
,
SiO2
,
薄膜驻极体
,
电荷储存稳定性
郑飞虎
,
张冶文
,
肖春
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.038
空间电荷是聚合物在交流或直流高压作用下发生老化和击穿的主要原因之一,以往的研究基本认为由于空间电荷的注入并集聚使介质内部电场严重畸变,从而使介质老化最终引起击穿,相应的解释模型都是在有外加电场作为前提建立的.但是,根据最新的实验研究发现,外加电场并不是介质击穿的必要条件,介质的击穿可以发生在空间电荷的脱阱过程中而与外加电场无关.本文阐述了空间电荷与绝缘高聚物的老化和击穿的关系,并且结合最新的研究成果,揭示了介质内部空间电荷的存在是击穿的重要条件,而且击穿是发生在空间电荷的脱阱过程中.
关键词:
空间电荷
,
击穿
,
聚合物
