夏君磊
,
赵世玺
,
周振平
,
张仁刚
,
刘韩星
材料导报
总结了锂离子电池电极材料设计的方法,包括第一原理方法、电化学方法、动力学方法、热力学方法.各种方法研究的重点内容不同,第一原理方法主要用于对材料性能的预测以及机理方面的微观解释,电化学方法的研究重点是电极材料和所处的环境之间的作用,动力学方法是关于锂离子在电极材料中的运动行为的研究,而热力学方法力图从热力学函数值及其变化来反映材料的宏观或微观性质.各种方法都有自己的优点和适用范围,但目前倍受科学工作者关注的是前两种方法.
关键词:
材料设计
,
电极材料
,
锂离子电池
王宝义
,
张仁刚
,
万冬云
,
王雨田
,
魏龙
材料导报
ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用.介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势.
关键词:
ZnS薄膜
,
电致发光
,
制备方法
张仁刚
,
卓雯
,
刘继琼
,
王红军
,
高恒
人工晶体学报
采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.
关键词:
ZnS薄膜
,
溅射
,
硫化
张仁刚
,
赵世玺
,
周振平
,
夏君磊
,
刘韩星
功能材料
综述了近几年来电解质(即液态电解质和固态电解质)的研究进展,主要是介绍如何提高液态电解质的性能和固态电解质的性能.对液态电解质主要是电化学稳定性的提高,而对固态电解质则包括对离子电导率、电化学稳定、机械性能等的提高.虽然在锂离子电池中,对电池性能起决定作用的是电极材料,但只有对正、负极匹配合适的和性能好的电解质才能达到对锂离子电池性能的优化和提高.因而电解质性能的好坏对锂离子电池的性能有重要的影响.
关键词:
液态电解质
,
聚合物电解质
,
锂离子电池
赵世玺
,
刘韩星
,
张仁刚
,
李强
,
欧阳世翕
无机材料学报
采用溶胶-凝胶包裹法对尖晶石LiMn2O4及其阳离子掺杂LiM0.1Mn1.9O4(M=Li,Ni)正极材料进行了表面改性研究.X射线衍射及电子探针线扫描分析表明,表面改性以后的晶粒仍为尖晶石结构,表面改性离子Co的浓度由表及里逐步减小.电解液溶蚀实验及电化学循环测试表明,表面改性后的正极材料LiM0.1Mn1.9O4的抗溶蚀性明显增强,循环性能优良.性能改善的原因是表面改性以后,尖晶石晶粒表层Mn3+离子浓度降低,Mn4+离子浓度大大增加,减少了Mn3+发生歧化反应的机会.
关键词:
锂离子电池
,
cathode materials
,
LiMxMn2-xO4
,
surface modification
张仁刚
,
卓雯
,
王玉华
,
彭顺金
,
陈克亮
,
徐千山
人工晶体学报
以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征.提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性.另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS.硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80％,带隙为3.61 ～3.70 eV.
关键词:
ZnS薄膜
,
溅射
,
空气退火
,
硫化
赵世玺
,
刘韩星
,
张仁刚
,
李强
,
欧阳世翕
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.010
采用溶胶-凝胶包裹法对尖晶石LiMn2O4及其阳离子掺杂LiM0.1Mn1.9O4(M=Li,Ni)正极材料进行了表面改性研究.X射线衍射及电子探针线扫描分析表明,表面改性以后的晶粒仍为尖晶石结构,表面改性离子Co的浓度由表及里逐步减小.电解液溶蚀实验及电化学循环测试表明,表面改性后的正极材料LiM0.1Mn1.9O4的抗溶蚀性明显增强,循环性能优良.性能改善的原因是表面改性以后,尖晶石晶粒表层Mn3+离子浓度降低,Mn4+离子浓度大大增加,减少了Mn3+发生歧化反应的机会.
关键词:
锂离子电池
,
正极材料
,
LiMxMn2-xO4
,
表面改性
张辉
,
杨高强
,
张仁刚
,
王宝义
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.010
采用阳极氧化铝模板(AAO)技术与硫化工艺结合制备了FeS2纳米线阵列.硫化后得到的FeS2纳米线保持了硫化前Fe纳米线的有序阵列.在硫化过程中,FeS2结晶温度较高,并且结晶完毕后,硫化时间对其影响较小.对样品进行表面分析表明,硫元素在表面除以FeS2存在外,仍有一部分以多聚体或单质形式吸附在纳米线上.
关键词:
阳极氧化铝模板
,
电沉积
,
热硫化
,
FeS2纳米线
