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锗单晶材料的生长与应用

, 席珍强 , 瑞丽 , 秀芳 , 孙法

材料导报

锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域.简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展.

关键词: , 单晶 , 直拉法

锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性

赵凡 , , 潘礼庆 , 邱红梅 , 赵雪丹 ,

材料导报

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品.X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长.通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变.薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中.通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB.这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合.

关键词: 氧化铜 , 稀磁半导体 , 铁磁性机理 , 掺杂

纳米电介质研究与应用新进展

秀敏 , 蒲孝文 , 李康 ,

绝缘材料

综述了国内外近年来在纳米电介质基础与应用研究领域内的最新进展。从纳米电介质的结构设计、聚合物基体树脂、功能性无机填料、有机-无机界面化学、纳米电介质的制备工艺等方面进行了阐述,重点介绍了聚酰亚胺、环氧树脂基纳米电介质的基础研究与应用进展状况,并对纳米电介质的未来发展趋势进行了展望。

关键词: 纳米电介质 , 绝缘 , 聚酰亚胺 , 环氧树脂

铝在机械合金化合成TiC过程中的加速效应研究

刘彦霞 , 鲁玉祥 , , 缪伟民 , 任云鹏

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.z2.003

应用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等分析技术,研究了不同含量的Al对机械合金化合成TiC的影响.结果表明,Ti-C-Al反应体系机械合金化合成产物为TiC-Al,所合成TiC的晶粒尺寸已达到纳米级.在Ti-C体系中加入一定量的Al对机械合金化合成TiC具有加速作用,其机制是Al在反应过程中充当了催化剂,中间产物可能是某些铝-钛化合物.

关键词: 机械合金化 , 反应合成 , TiC , 加速效应 , 纳米材料

添加剂对铅硅酸盐低熔点玻璃热性能的影响

花巍 , , 杨云霞 , 陈国荣

硅酸盐通报

采用常规玻璃熔融退火工艺制备了两组铅硅酸盐玻璃试样,玻璃组成为(物质的量含量,下同):(55-x)PbO-(10+x)B2O3-30SiO2-5ZnO(x=0,5,10,15)和(55-x)PbO-10B2O3-30SiO2-5ZnO-xSB2O3(x=5,10,15),以及与两组参照的传统铅硅酸盐玻璃55PbO-5Al2O3-10B2O3-30SiO2.利用热膨胀仪观察氧化物添加剂对玻璃转变温度范围△T(T1-Tg)的影响.实验结果表明,随着氧化硼加入量的不断提高,玻璃的转变温度(Tg)与软化温度(Tf)随之提高,而△T先减小后增大,即出现所谓的硼反常现象.当添加的氧化锑量在5%~10%(物质的量含量,下同)范围时,与参照样品相比,玻璃的软化温度(Tf)基本保持不变而转变温度(Tg)则提高10℃以上.当添加的氧化锑量达到15%时,玻璃的转变温度(Tg)与软化温度(Tf)均显著下降,但△T基本保持不变.

关键词: 铅硅酸盐玻璃 , 添加剂 , 玻璃转变温度 , 玻璃软化温度

改性甲基丙烯酸共聚物分散剂对陶瓷复合料浆流变性及坯体强度的影响

费贵强 , 沈一丁 , 王海花 , 李刚辉 ,

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.018

烯丙基聚氧乙烯醚与甲基丙烯酸和甲基丙烯酸甲酯可通过自由基共聚获得两亲结构的水溶性高分子MPMA,可作为陶瓷浆料分散剂.研究了MPMA用量对石英/长石/粘土复合浆料流变性及坯体强度的影响,并分析了其原因及分散稳定作用机理.结果表明:MPMA的加入显著优化了料浆的流变性能并提高了成型后陶瓷的强度.在pH值为9~10时,MPMA的最佳用量为0.57 wt%(相对绝干浆料),料浆的Zeta电位绝对值由28.5 mV升高到65.5 mV,零剪切黏度由690.9 mPa·s降低到81.6 mPa·s,触变面积最小,陶瓷料浆基本呈Newton流动特性,显示了很好的分散性.与添加无机分散剂的陶瓷坯体相比,添加MPMA的陶瓷坯体强度由160 MPa升高到268 MPa.

关键词: 高分子分散剂 , 陶瓷复合料浆 , 流变性 , 强度

MoS2修饰TiO2纳米管阵列光电化学性能研究

于濂清 , 黄承兴 , , 董开拓 , 郝兰众

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160107

通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和硫脲作为钼源和硫源,并添加半胱氨酸为辅助剂,水热法制备纳米花状二硫化钼修饰的TiO2纳米管阵列.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和拉曼光谱对复合材料的晶型、形貌、物相等进行分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性扫描伏安曲线、电化学阻抗谱和莫特-肖特基曲线.结果表明:MoS2/TiO2复合材料形貌比较规整均匀,MoS2纳米花尺寸约为200 nm;MoS2与TiO2复合有利于形成异质结,促进光生电子和空穴的分离;当钼酸钠浓度为0.8 mmol/L时制备的复合材料光化学能转化率为纯氧化钛的2.89倍,达到了1.65%,而且复合材料的电荷转移电阻降低了约50%,光生载流子浓度提高了24倍,达到了3.38× 1023 cm-3,具有非常优异的光电化学性能.

关键词: 阳极氧化 , TiO2纳米管阵列 , 二硫化钼 , 水热法

AgX(Cl,Br)-TiO2复合材料光电化学研究

, 安玉 , 于濂清 , 董开拓 , 李焰 , 郝兰众

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150467

以阳极氧化法制备的高度有序TiO2纳米管阵列作为基底,用沉积法在TiO2纳米管上复合AgCl和AgBr纳米颗粒形成AgX-TiO2异质结.采用XRD、FESEM等分析结果表征,结果表明:AgCl以厚度为50 nm、长度为1μm的片状结构堆叠分布,AgBr的沉积过程较温和,沉积速度相对更慢,均匀分散在TiO2纳米管表面;随着沉积次数增加,纳米管阵列表面形貌发生改变.光电化学研究表明:样品经过复合AgBr后,可以有效提高TiO2纳米管阵列的光电转化效率,当AgBr沉积1次时,其光电转化效率达到2.67%,而复合的AgCl对于TiO2纳米管阵列的光电效率改善效果欠佳.

关键词: 阳极氧化法 , 二氧化钛纳米管 , 卤化银 , 光电化学

基于埋地金属管道杂散电流的腐蚀与防护

封琼 , , 汪洋 , 于濂清 , 李焰

腐蚀与防护 doi:10.11973/fsyfh-201702002

采用实验室模拟的方法研究来自直流运输系统产生的杂散电流对埋地金属管道腐蚀的影响,并通过强绝缘性能的涂层保护、杂散电流收集网、牺牲阳极保护、排流跨接保护等措施来有效减轻或消除杂散电流对埋地金属管道的腐蚀.结果表明:采取这几种防护措施在一定程度上均可以缓解杂散电流带来的腐蚀问题,其中排流跨接的保护效果最佳.然而在实际施工过程中,单一的防护措施均存在一定的局限性,需要综合考虑杂散电流的大小以及其他管道的情况,采用灵活有效的防护措施.

关键词: 杂散电流 , 埋地管道 , 涂层 , 杂散电流收集网 , 牺牲阳极 , 排流跨接

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