董逊
,
倪金玉
,
李亮
,
彭大青
,
张东国
,
李忠辉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).024
利用MOCVD法,在7．62 cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN 异质结材料.利用XRD、AFM、Hall 等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN 薄膜中 In 含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构；与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN 异质结的高温电子输运特性更好,773 K 下 InAlN/GaN 异质结的迁移率为130 cm2/(v?s),明显高于 AlGaN/GaN异质结的67 cm2/(v?s).
关键词:
MOCVD
,
InAlN
,
迁移率
张东国
,
李忠辉
,
彭大青
,
董逊
,
李亮
,
倪金玉
人工晶体学报
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.
关键词:
MOCVD
,
缓冲层
,
AlGaN/GaN
,
二维电子气
李亮
,
李忠辉
,
罗伟科
,
董逊
,
彭大青
,
张东国
人工晶体学报
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.
关键词:
GaN薄膜
,
MOCVD
,
同质外延
付国忠
,
刘建平
,
赵晓峰
,
刘建明
,
吕庆功
,
彭龙洲
钢铁
在对轧制时钢管的温降原因进行分析的基础上,给出一种定张减温降计算模型,该模型考虑了辐射、接触传导、内部传导对温度的影响.通过对轧制实验测定得到钢管的温降数据与此模型实例计算的结果进行对比分析,表明该模型比较准确,能够满足生产实际的要求,可用于自动控制系统中定张减温降的计算,从而为控制系统比较准确地对轧机进行设定及调整提供依据.
关键词:
定张减
,
温降
,
模型
刘永祥
,
张宝福
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.09.002
沂沭断裂在山东地质演化史中发挥了重要作用,它由四条主干断裂组成,每条断裂具有自己的形成演化过程和变形特征.表现在自西向东形成活动时间由老(前古生代)变新(中-新生代);力学性质由扭张-压扭-走滑;伴生(NNE向)与派生(NW向)断裂由密到疏相间展布,显示倒N字型构造型地工,控制着鲁东金矿床类型及特征.基底滑脱层为地壳高导层(深17km),其中的热液体沿低级序断裂上升,对古老的重熔花岗质岩石进行广泛的碱交代作用,在不同的构造部位及层次上被改造为具不同结构与构造的花岗岩.碱交代作用的排硅、提取矿质的过程,促使热液具有了成矿能力,并随断裂构造的时空特征而变化.
关键词:
沂沭断裂
,
演化规律
,
鲁东金矿床
,
成生关系
王若民
,
詹马骥
,
季坤
,
严波
,
王夫成
,
杜晓东
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201703023
通过对高压输电用耐张线夹及夹持导线的宏观形貌、化学成分、腐蚀产物进行分析,探讨了该线夹腐蚀失效的原因.结果表明:该线夹在压接时即存在铝线断股现象,服役过程中使酸性雨水更易进入到压接管内部,对线夹与钢芯铝绞线结合面进行腐蚀生成腐蚀产物,导致耐张线夹电阻增大;随着腐蚀的进行,线夹电阻不断增大,其温度也随之升高;当温度超过临界温度时,热平衡状态被打破,最终线夹过热,导致高温烧损失效;应加强线夹压接管位置的红外测温监控,及时更换温度明显异常的压接管.
关键词:
耐张线夹
,
腐蚀
,
热击穿
,
钢芯铝绞线
