梁伟华
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王秀丽
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赵亚军
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庞学霞
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王英龙
材料导报
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对厚度为0.54～3.30nm纳米Si薄膜的电子结构、光学性质及弹性常数进行了计算.结果表明,纳米Si薄膜是直接带隙半导体材料;随着纳米Si薄膜厚度的减小,带隙逐渐增大;薄膜的光学吸收边发生蓝移,吸收带出现宽化现象;弹性常数、杨氏模量和泊松比呈现尺寸效应.
关键词:
纳米Si薄膜
,
第一性原理
,
光学性质
,
弹性常数
杨少鹏
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邱晓丽
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赵方超
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秦向东
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庞学霞
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傅广生
人工晶体学报
以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶ Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的掺杂浓度x分别为0%,1%,2%,5%,10%,研究了它们的电致发光特性.结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1%,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5 V降到了10.5 V.当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降.
关键词:
磷光
,
有机电致发光
,
ZnO
于帆
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薛坤
,
孙继荣
,
隋浩华
工程热物理学报
基于低频方波脉冲加热一冷却非稳态连续测量原理,应用PPMS多物性测量系统在温区150～360 K和外磁场O~9 T下对典型的庞磁电阻材料La2/3Cal/3MnO3的热导率进行了实验研究.结果表明,在外磁场作用下庞磁材料在居里温度附近会发生明显的热导率增大(或热阻率减小)的磁致热阻现象,但磁热阻效应的程度在数值上要明显低于庞磁电阻效应.
关键词:
热导率
,
磁致热阻效应
,
庞磁电阻材料
高国棉
,
陈长乐
,
王建元
,
韩立安
,
王永仓
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
关键词:
LTMO薄膜
,
电子掺杂
,
CMR效应
,
光诱导效应
李冠欣
,
李合琴
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.012
研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1, 0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为. 研究表明该材料具有菱形(R3C)结构, 材料的居里温度TC均在室温或室温以上, 样品的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现3个峰, 定义中间最高电阻峰温度为TP1, 低温电阻峰温度为TP2, 高温电阻峰温度为TP3. 综合磁化强度测量的结果, 认为TP1与居里温度TC相对应, 来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变, 同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应, TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离. 另外, 磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为, 其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高, 样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布.
关键词:
庞磁电阻效应
,
相分离
,
团簇玻璃态
刘国勋
,
宋维锡
,
宋泝生
,
柯俊
,
章守华
金属学报
<正> 随着我国現代化工业的发展,从事金属材料的工作者的队伍迅速扩大,他們迫切需要較深入地掌握金属学及其近代发展。近年来,虽然出版了一些較深入的金属理論的譯著,但是适合于从事金属的生产和使用的一般工作者,使他們能正确系統地掌握現代金属学的基本概念和基本知識的参考书还是較少的。現代冶金丛书中徐著“金属学原理”的出版,可望滿足一部分这种迫切需要。 全书分八章。第一章金属的結构,介紹了固体金属的結构类型,金属原子大小的概念,晶体中的点、
关键词:
