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霍尔电推进系统中的微流量控制器

介绍了微流量控制器在霍尔电推进系统中的应用状况.微小流量的精确控制是霍尔电推进系统协调工作的基础.根据内部节流元件的不同,目前国际上电推进系统中使用的微流量控制器主要有金属毛细管式、金属多孔材料式和节流孔板式等几种形式.俄罗斯研制的微流量控制器多为金属毛细管式和节流孔板式;美国和欧洲电推进系统上使用较多的是金属多孔材料式微流量控制器.此外,近年来国外新发展了一种磁致伸缩材料的流量比例控制阀,也可用于电推进系统的微流量控制.国内研制的整体式结构金属多孔材料微流量控制芯体,可以取代目前正在使用的普通过滤多孔材料,使其无论是性能、寿命,还是可靠性等方面都有极大的提高.

关键词: 微流量控制器 , 金属多孔材料 , 霍尔电推进系统

低温下实验测量庞磁电阻材料的热导率

于帆 , 薛坤 , 孙继荣 , 隋浩华

工程热物理学报

基于低频方波脉冲加热一冷却非稳态连续测量原理,应用PPMS多物性测量系统在温区150～360 K和外磁场O~9 T下对典型的庞磁电阻材料La2/3Cal/3MnO3的热导率进行了实验研究.结果表明,在外磁场作用下庞磁材料在居里温度附近会发生明显的热导率增大(或热阻率减小)的磁致热阻现象,但磁热阻效应的程度在数值上要明显低于庞磁电阻效应.

关键词: 热导率 , 磁致热阻效应 , 庞磁电阻材料

La0.82Te0.18MnO3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性

高国棉 , 陈长乐 , 王建元 , 韩立安 , 王永仓 , 宋宙模

稀有金属材料与工程

用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.

关键词: LTMO薄膜 , 电子掺杂 , CMR效应 , 光诱导效应

粤西北庞西垌银矿床化探元素多元统计分析

张科 , 曹新志 , 孙华山

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2004.06.005

通过对地化元素量值的多元统计分析可以推测地化元素在成矿过程中的演化特征,进而为预测找矿提供有用的深层次信息.本文通过对庞西垌矿区有关元素的聚类分析、因子分析研究揭示了矿区内成矿作用复杂、具有多次矿化叠加的现象,说明了Ag、Au矿化分离、无直接的内在联系以及矿区内Ag的成矿强度远大于Au的内在原因.文中根据元素的共生组合及相关性特征还指出了Cu、Pb、Zn、Sb可作为区内找银的近矿指示元素.

关键词: 聚类分析 , 因子分析 , 地球化学元素 , 银矿床

铁电性、高温超导电性和庞磁电阻(CMR)效应的共性特征探讨

汪春昌 , 朱静

材料导报

从结构和相变两个方面探讨了铁电性、高温超导电性和庞磁电阻(CMR)效应的共性,指出这类性质是集体电子行为,是由各种结构层次(晶体结构、电子结构及自旋结构)相互作用、相互耦合共同引起的.

关键词: 铁电性高温超导电性庞磁电阻(CMR)效应结构相变

Na掺杂钙钛矿型锰氧化物的庞磁电阻效应及团簇玻璃态行为

李冠欣 , 李合琴

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.012

研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1, 0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为. 研究表明该材料具有菱形(R3C)结构, 材料的居里温度TC均在室温或室温以上, 样品的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现3个峰, 定义中间最高电阻峰温度为TP1, 低温电阻峰温度为TP2, 高温电阻峰温度为TP3. 综合磁化强度测量的结果, 认为TP1与居里温度TC相对应, 来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变, 同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应, TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离. 另外, 磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为, 其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高, 样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布.

关键词: 庞磁电阻效应 , 相分离 , 团簇玻璃态