薛成山
,
艾玉杰
,
孙莉莉
,
孙传伟
,
庄惠照
,
王福学
,
杨兆柱
,
秦丽霞
,
陈金华
,
李红
稀有金属材料与工程
Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激发波长为490 nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545 nm的绿光发光峰.
关键词:
氮化
,
Mg3N2粉末
,
光致发光
何建廷
,
庄惠照
,
薛成山
,
田德恒
,
吴玉新
,
刘亦安
,
胡丽君
,
薛守斌
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜.
关键词:
PLD
,
ZnO
,
薄膜
,
六方纤锌矿结构
刘亦安
,
薛成山
,
庄惠照
,
张晓凯
,
田德恒
,
吴玉新
,
孙莉莉
,
艾玉杰
,
王福学
稀有金属材料与工程
以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
氨化
,
GaN晶粒
杨兆柱
,
薛成山
,
庄惠照
,
王公堂
,
秦丽霞
,
李红
,
陈金华
,
黄英龙
,
张冬冬
功能材料
为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
关键词:
磁控溅射
,
GaN
,
V
,
纳米线
黄英龙
,
薛成山
,
庄惠照
,
张冬冬
,
王英
,
王邹平
,
郭永福
,
刘文军
功能材料
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60～100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
磁控溅射
,
GaN纳米线
,
Mg
,
氨化
刘亦安
,
薛成山
,
庄惠照
,
张晓凯
,
田德恒
,
吴玉新
,
孙莉莉
,
艾玉杰
,
王福学
稀有金属材料与工程
以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
氨化
,
GaN晶粒
艾玉杰
,
薛成山
,
孙莉莉
,
孙传伟
,
庄惠照
,
王福学
,
杨昭柱
,
秦丽霞
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200～600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.
关键词:
GaN
,
磁控溅射
,
纳米棒
宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
孙莉莉
,
薛成山
,
艾玉杰
,
孙传伟
,
庄惠照
,
张晓凯
,
王福学
,
陈金华
,
李红
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
关键词:
磁控溅射
,
氨化
,
GaN薄膜
,
Ti
吴玉新
,
薛成山
,
庄惠照
,
田德恒
,
刘亦安
,
孙莉莉
,
王福学
,
艾玉杰
稀有金属材料与工程
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.
关键词:
磁控溅射
,
氨化
,
氮化镓纳米棒
,
光致发光
