材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

SiC单晶生长研究进展

SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响.对今后的研究方向提出了看法.

关键词: SiC , 单晶生 , 长PVT法

原料对碳化硅单晶生长的影响

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

无机材料学报

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C=1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实。

关键词: 碳化硅原料 , SiC single crystals , phase transition , Si/C ratio , pinhole

大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长

陈之战 , 肖兵 , 施尔畏 , 庄击勇 , 刘先才

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.

关键词: 碳化硅单晶 , 晶体生长 , PVT法 , 微管道

原料对碳化硅单晶生长的影响

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.005

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值.晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C＝1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实.

关键词: 碳化硅原料 , 碳化硅单晶 , 相转变 , Si/C摩尔比 , 针孔

击针断裂分析

韩晶 , 王立辉 , 李辉

物理测试

某公司生产的猎枪在进行空枪射击试验时,部分击针发生了断裂.笔者采用化学成分分析、金相检验、扫描电镜观察等方法对断裂形成原因进行分析.试验结果表明,击针断裂的机制为疲劳断裂,击针的化学成分和基体金相组织正常.但击针表面有脱碳层导致击针表面弱化,使得击针表面硬度和强度明显低于基体,加速了疲劳源的形成,且击针承受较大交变应力的作用,加速了疲劳源的扩展.综合分析认为:击针断裂属于表面产生脱碳层导致的早期疲劳断裂.

关键词: 击针 , 脱碳 , 疲劳

复合材料层合板弹击性能数值研究

陈炎 , 孙秦

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.01.022

针对纤维增强复合材料层合板不同弹击速度条件下的弹击特性问题,基于大型有限元软件LS-DYNA3D,建立了一套适用于不同铺层顺序、铺向角以及不同弹击速度的数值模拟方案,对纤维增强复合材料铺向角、铺层顺序对其弹击性能的影响作用进行了数值分析研究.结果表明,增加长纤维的使用比例,可有效提高结构的吸能及抗弹击特性,且在低速弹击条件下铺向角与铺层顺序对弹击性能有明显作用,而在高速条件下几乎无影响.

关键词: 纤维增强复合材料 , 数值模拟 , 弹击特性 , 层合板 , LS-DYNA3D