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新型有机热释电晶体--酒石酸铵系列晶体研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.006

本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴化铵和甘氨酸,研究了晶体生长形态并作了比较.测定了酒石酸铵系列晶体的红外光谱、晶胞参数和主要热释电性能.发现酒石酸铵系列晶体的热释电性能,其品质因子具有与TGS晶体相同的数量级.

关键词: 有机热释电晶体 , 溶液法生长晶体 , 酒石酸铵系列晶体 , 热释电性能

掺质TGS系列晶体生长与性能研究

王希敏 , 韦建环 , 张红 , 肖卫强 , 常新安 , 臧和贵 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.005

采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.

关键词: 掺质TGS系列晶体 , 溶液晶体生长 , 生长形态 , 热释电性能

双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究

常新安 , 臧和贵 , 肖卫强 , 张晓红 , 江少林 , 王希敏 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.003

本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+和Nb5+KTP(KTNNP)晶体，以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数，以等离子发射光谱(ICP-AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示，掺Nd3+和Nb5+后，KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化，而且体系中Nd3+的分配系数明显增大，并随Nb5+浓度的增大而增大，从而体现了Nb5+对Nd3+的协同效应。另外，掺质后，晶体的单胞体积一般略有增大，但未呈现出规律性。

关键词: KTNNP晶体 , 生长习性 , 晶体形态 , 分配系数 , 协同效应

新安子钨锡矿深部矿体综合回采方案研究

余斌 , 黄泽兰 , 张全寿

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.01.006

新安子钨锡矿深部435m中段以下共有矿脉14条,矿石量121.48万t,具有很高的综合回采利用价值.文中详细叙述了深部矿体综合开发利用技术方案、投资估算和经济效益.方案研究表明,深部矿体综合开发利用的实施既能为矿山带来显著的经济效益,同时将极大地提高矿产资源开发利用水平.

关键词: 深部矿体 , 开采方案 , 新安子钨锡矿

四方DKDP晶体生长中的单斜相

常新安

人工晶体学报

关键词:

ADP及KDP晶体纵向压电系数d33的计算及其验证

王越 , 常新安 , 刘国庆 , 蒋毅坚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.007

ADP(磷酸二氢铵)和KDP(磷酸二氢钾)晶体都属于42m点群,是20世纪早期的著名压电晶体,具有易于大尺寸生长的优点.但它们在主轴坐标系中只有厚度切变压电系数(d14, d36),没有纵向压电系数(d33,k33),而这种纵向压电效应在实际应用中较多.本文通过利用坐标变换的方法,计算了这两种晶体纵向压电性能在空间的分布.通过计算,首先我们发现这两种晶体在空间存在着纵向伸缩压电效应,其次我们还得到了它们在空间的纵向压电系数的最大值和切型.ADP晶体:d33,max=8.66×10-12C/N,切型为(xywl)45°/50°;k33,max=0.07,切型为(xywl)45°/50°.KDP晶体:d33,max=4.54×10-12C/N,切型为(yzlw)45°/55°;k33,max=0.04,切型为(yzlw)45°/48°.ADP晶体的纵向压电性能略好于KDP.另外,本文还分别对上述计算结果进行了实验验证,实验结果与计算结果基本一致.对两种晶体压电器件的进一步开发和利用具有理论指导意义.

关键词: 磷酸二氢钾 , 磷酸二氢铵 , 压电效应 , 机电耦合系数 , 切型

掺三氟乙酸TGS晶体生长及其性能研究

常新安 , 艾琳 , 臧和贵 , 肖卫强 , 涂衡

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.046

本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试.结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场.

关键词: 三氟乙酸 , TGS晶体 , 晶体生长 , 居里点

Al3+:KTP晶体生长及其相关性质研究

常新安 , 华晓晓 , 臧和贵 , 陈学安 , 肖卫强 , 代美娟

人工晶体学报

采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数.采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势.

关键词: Al3+:KTP晶体 , 分配系数 , 晶胞参数 , 倍频效应

DKDP晶体亚稳相生长研究

常新安 , 王希敏 , 肖卫强 , 臧和贵 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.009

本文通过大量DKDP晶体亚稳相生长实验,对影响DKDP亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究,并简要探讨了其影响机理,提出了消除或减弱不利影响的措施,为生长优质大尺寸DKDP晶体提供了依据.

关键词: 非线性光学晶体 , DKDP晶体 , 亚稳相生长 , 溶液晶体生长 , 生长机理

Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

臧和贵 , 常新安 , 张书峰 , 陈学安 , 肖卫强

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.039

采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

关键词: Ga3+:KTP晶体 , 分配系数 , c向电导率

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