单英春
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徐久军
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李江涛
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黄秋凤
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张丽
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帖少东
稀有金属材料与工程
采用两步热压烧结(Hot Pressing, HP)方法制备了高致密度的Y-α-SiAlON(Y1410,即m=1.4, n=1.0)陶瓷,研究了升温速率、烧结时间和驻留温度对陶瓷物相组成、微观结构以及光学性能的影响.结果表明:SiAlON陶瓷的相组成不受升温速率的影响,升温速率较快 (20 ℃/min) 时陶瓷的晶粒尺寸相对较小、分布较均齐、透过率相对较高,1.1 mm厚样品最大近红外透过率为50.2%,比升温速率为10 ℃/min的陶瓷高8.0%;烧结时间较短 (1 h) 时陶瓷的晶粒尺寸相对较小,透过率较高,1.1 mm厚样品最大近红外透过率为43.6%,而当烧结时间为2 h时陶瓷中有新相生成,且微结构均匀性较差,其最大透过率比烧结时间为1 h的低8.0%;较低的驻留温度易促进β-SiAlON形成和柱状晶发育,对提高SiAlON陶瓷透光性不利.
关键词:
SiAlON
,
两步热压烧结
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微结构
,
光学性能
王天虎
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王晓东
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徐讲良
工程热物理学报
本文建立了发光二极管（LED）芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱（MQWs）区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱（QW）内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。
关键词:
发光二极管
,
多量子阱
,
内量子效率
雷嗣军
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马青
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尹大根
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尚飞
,
柳奉烈
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122701.0056
介绍了TRIZ理论的基本原理和方法,运用矛盾冲突矩阵对液晶显示器LED背光源的散热问题进行了分析.由于LED背光源散热问题属于物理矛盾,在结合TRIZ理论科学效应和现象知识库的基础上,提出了基于条件分离的LED背光源散热问题的解决方案.理论分析和模拟计算结果表明,利用半导体的帕尔帖效应对背光源进行散热能获得非常理想的散热效果.
关键词:
发明问题解决理论
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LED背光源
,
散热
,
半导体制冷
