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火焰原子吸收法测定载金炭中金的不确定度评定

赵峰 , 李瑞仙 , , 张旺强

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.06.015

火焰原子吸收法测定载金炭分析过程中,不确定度主要来源于样品的称量、试液的定容体积、标准溶液配制、标准曲线拟合、样品重复性测定5个部分.其中,最重要的分量是由吸光度值通过标准曲线拟合求出样品质量浓度而引起的不确定度.

关键词: 载金炭 , , 原子吸收法 , 不确定度评定

磁电阻材料研究进展

陈志君 , 王皓 , 傅正义

材料导报

综述了磁电阻材料的研究进展,总结了磁电阻材料各类体系的研究方法和研究特点,分析了其发展方向与研究趋势.

关键词: 磁电阻效应 , 双交换作用 , 颗粒膜

磁阻抗效应研究的最近进展

钟智勇 , 张怀武 , 刘颖 , 王豪才

功能材料

本文简要介绍最近几年来有关磁阻抗效应理论的研究概况,并综述磁阻抗材料的研究进展;指出为了更好地理解磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的.

关键词: 磁阻抗效应 , 非晶磁性材料 , 纳米晶磁性材料

磁电阻材料的研究与应用

钟喜春 , 曾德长 , 魏兴钊 , 顾正飞

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.03.002

介绍了一种新型的磁性功能材料--磁电阻材料,综述了其研究进展情况.并就它在磁电阻传感器、高密度磁记录读出磁头、磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等磁电子元器件上的应用进行了论述.

关键词: 磁电阻材料 , 磁电子元器件 , 应用

磁电阻多层膜结构的研究进展

戴川 , 陈冷

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.12.001

归纳了磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对磁电阻效应的影响.

关键词: 磁电阻多层膜 , 合金体系 , 界面粗糙度 , 元素混合 , 织构

不同磁相纳米颗粒膜的磁电阻

唐多强 , 普敏莉 , 杨新娥

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.044

用玻恩(Born)散射方法计算了具有两类不同磁相的颗粒膜的磁电阻(GMR),结果表明,在低温(4.5K),小磁性颗粒(包含原子数n ≤12)对磁电阻只有很小的贡献,磁电阻值随颗粒包含原子数的增多而增加.在室温下,磁电阻主要由大磁性颗粒(n≥12)产生.理论计算较好地解释了实验所观测到的结果.

关键词: 纳米结构 , 磁性颗粒膜 , 磁电阻

CCTO/Cu介电陶瓷

郑兴华 , 肖娟 , 严容 , 黄旭 , 郑可炉

硅酸盐通报

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能.Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O.CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相.但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀.CCTO/Cu陶瓷均具有介电常数(>104,1 kHz)和较低的损耗(~10-1).CCTO/Cu陶瓷的介电常数与其半导体部分密切相关.相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性.

关键词: 介电常数 , 烧结温度 , CCTO/Cu陶瓷

磁阻抗效应的非对称特性

钟智勇 , 石玉 , 刘颍 , 贾利军 , 张怀武

功能材料

磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.

关键词: 非对称磁阻抗效应 , 交换耦合 , 非晶磁性材料 , 磁传感器

磁阻抗效应及其传感器

孙智勇 , 赵志明 , 郑鹉 , 王艾玲 , 姜宏伟 , 王霞

金属功能材料

回顾电感和电阻的阻抗,对磁性导体的阻抗进行分析,对封闭式的三明治模型阻抗用Maxwell磁矢量方程和Landau-Lifshitz方程计算进行分析;对制作磁阻抗传感器元件的材料进行比较;对磁阻抗线性传感器电路、三轴磁阻抗效应传感器电路、GMI传感器低功耗测量集成电路进行分析和总结.

关键词: 磁阻抗效应 , 磁阻抗效应传感器 , 阻抗测量

钆硅锗确有磁热效应

卢定伟 , , 金新

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.01.011

室温磁制冷在近几年取得重要进展,尤其是造出了高性能的样机和发现了磁热材料.但近来因为磁熵变发生在一级相变点,在磁熵变的计算上国际诸研究小组出现了分歧.本文对此进行了详细的讨论,给出了统一的处理方法,结果表明钆硅锗的确具有磁热效应.

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