陈永亮
,
崔雅静
,
杨烨
,
王磊
,
李仪成
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe_(1-x)Ir_xAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0. 15时,超导转变温度达到最大值17. 3K X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe_(1-x)Ir_xAsO样品具有片层状形貌特征,随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺人了SmFeAsO晶格当中.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
苏春燕
,
陈永亮
,
周大进
,
王小峰
,
李平原
,
崔雅静
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用固相反应法,制备出一系列SmCo1-xFexAsO (x=0,0.05,0.1,0.2)多晶样品.XRD测试结果表明所有样品均为单相,且具有ZrCuSiAs型四方结构,随着掺杂量的增加,晶格参数a逐渐减小,c逐渐增加.磁性测量结果表明,低掺杂量样品在5 ~ 300 K之间先后经历了反铁磁-铁磁-顺磁的磁性转变,低场下的M-T曲线表现出明显的不可逆性,且随着掺杂量的增加,反铁磁转变温度降低,铁磁转变温度向高温方向移动,表明样品的反铁磁性逐渐被抑制,而铁磁性逐渐增强.M-H曲线表明,在反铁磁转变温度以下,掺杂量x<0.2的样品,随着磁场的增加发生了由反铁磁到铁磁性的变磁性转变,且随着掺杂量的增加,在同一温度下的转变磁场变小.在掺杂量x=0.2时,当温度降低到5K时仍没有观察到变磁性转变,在掺杂量x=0.2附近可能存在变磁性临界终点.
关键词:
SmCoAsO
,
Fe掺杂
,
ZrCuSiAs四方结构
,
磁性质
杨烨
,
周杰佛
,
崔雅静
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文研究了在MgBq超导体中Al,C及两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度,不可逆场和临界电流的影响.研究发现,少量的铝掺杂可以提高MgB2超导材料在低场下的临界电流密度,但由于对Tc的抑制而降低其在高场下的载流能力,而碳掺杂则可以有效提高MgB2超导材料的上临界场和不可逆场,从而达到改善其在高场下的载流能力的目的.研究发现,在0-7T外磁场范围内,1%铝和1%碳共同掺杂的样品表现出最佳的载流性能.钉扎力曲线的分析也应证了这一结果.
关键词:
MgB2
,
二硼化镁
,
磁通钉扎
崔雅静
,
陈永亮
,
程翠华
,
Charles C.Sorrell
,
赵勇
稀有金属材料与工程
利用熔盐法制备了Ba0.6-yLayK0.4BiO3和Ba0.6-zPrzK0.4BiO32个系列的样品,其中La和Pr的掺杂量y和z分别为0,0.025,0.05,0.1,0.2,0.3,0.4.X射线粉末衍射结果显示,Pr掺杂使得BKBO晶体结构由最初的立方晶系转变成为正交晶系,但是La掺杂样品却没有发生此种晶体结构的变化.La掺杂样品Ba0.6-yLayK0.4BiO3的准晶格参数aP随掺杂量的增大而线性减小,其变化遵循ap=4.28257-0.02469y(0.025 ≤y≤ 0.4)的规律.样品磁性测量结果表明,掺杂样品的超导转变温度Tc均随着掺杂量的增大而系统性地减小,并且当掺杂量达到0.2时,2个系统中的超导转变均消失.认为掺杂引起的晶体结构扭曲及铋化合价的不均衡导致了BKBO掺杂系统超导电性的变化.
关键词:
Ba0.6K0.4BiO3
,
掺杂
,
晶体结构
,
熔盐法
王法社
,
杨烨
,
陈永亮
,
崔雅静
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.005
La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备.X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构.磁化率测量显示:Sr搀杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K.电阻的测量显示:随搀杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0+αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失.本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的电输运行为和超导特性.
关键词:
空穴掺杂
,
电阻率
,
超导电性
张勇
,
陈永亮
,
崔雅静
,
赵勇
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.004
采用XPS方法对BaPb1-xBixO3超导体以及Hg掺杂BaPb1-xBixO3超导体进行了对照研究,结果表明当Hg取代Pb后,位于18eV和22eV的价带的强度发生变化并与样品的超导转变温度相关联,O1s和Pb4f谱峰也随Hg掺入而发生位移,说明随Hg的掺入BaPb1-xBixO3超导体的化学环境发生改变.
关键词:
X光电子能谱
,
超导体
,
Hg掺杂
,
BaPb0.75Bi0.25O3
崔雅静
,
陈永亮
,
王法社
,
李璟
,
张勇
,
赵勇
稀有金属材料与工程
利用熔盐法在260℃的低温下制备出了单相Ba1-xKxBiO3(BKBO,0.315≤x≤0.6)样品.磁性测量结果表明,在x值整个范围内的BKBO样品都表现出超导电性,x=0.4时,超导转变温度达到最高值(Tc=30.6 K):粉末X射线衍射结果表明,所有样品中均含有少量的BaCO3杂相,它是由于反应过程中Ba(OH)2·8H2O和空气中的二氧化碳反应造成的;扫描电镜观察BKBO微观形貌为片状.为与熔盐法作比较,利用溶胶.凝胶法制备Ba0.6K0.4BiO3,发现此法难以制备出单相BKBO样品.利用热分析和退火处理来研究熔盐法制备Ba0.6K0.4BiO3的热稳定性,发现样品大约在400℃开始分解,表明Ba0.6K0.4BiO3在400℃以上是不稳定的.
关键词:
Ba1-xKxBiO3:熔盐法
,
超导电性
崔雅静
,
陈永亮
,
杨烨
,
王雅真
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过先制备一种纳米尺寸的GdF_3作为GdFeAsO_(1-x)F_x样品中F的反应原料,在相对较低的温度(1120℃)下成功制备出一系列GdFeAsO_(1-x)F_x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)多晶样品.X射线衍射结果表明,超导样品属四方ZrCuSiAs-type结构,晶格参数随着掺F量的增加而减小.扫描电子显微镜测试结果表明,样品具有片层状晶体形貌特征.当掺F量x=0.1时,样品表现出超导电性,超导转变温度为22K,随着掺F量的增多,超导转变温度升高.和其他制备方法相比,这种制备方法更有利于F的掺入,而且可有效减少样品中杂质相的含量.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
杨烨
,
朱晓彤
,
崔雅静
,
周华明
,
赵勇
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.093
利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10 K时,1%掺杂量的样品在零场下Jc=1.89× Acm-2,不可逆场为6.9 T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5 T.20 K时,0.5%掺杂量的样品在零场下Jc=1.15× Acm-2,不可逆场为4 T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.
关键词:
MgB2
,
二硼化镁
,
碳纳米管
,
磁通钉扎