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物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

杨昆 , 杨祥龙 , , 彭燕 , 陈秀芳 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.

关键词: 物理气相传输 , 4H-SiC , 碳包裹物 , 质量输运 , 形成机制

Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

杨昆 , 杨祥龙 , 陈秀芳 , , 彭燕 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010~1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.

关键词: 物理气相传输 , Ti掺杂 , 6H-SiC , 电阻率

同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力

宋生 , , 杨昆 , 徐现刚 , 胡小波 , 黄万霞 , 袁清习

人工晶体学报

提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法.晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力.文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程.结果表明该样品的残余应力以正应力为主.

关键词: 同步辐射 , 白光形貌术 , 残余应力 , 碳化硅

Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

张福生 , 陈秀芳 , , 肖龙飞 , 谢雪健 , 徐现刚 , 胡小波

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160129

采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征.结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52×1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长.用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍.HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延Ⅲ族氮化物材料适配度,并改善器件的性能.

关键词: 物理气相传输法 , Ge掺杂 , SiC晶体 , 晶格常数

高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

, 徐明升 , 徐现刚 , 胡小波

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150069

利用高分辨 X 射线衍射方法,分析了在4H-SiC(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN 薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得 GaN 薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。

关键词: 氮化镓薄膜 , 高分辨X射线衍射 , 位错密度

立方金属冷轧织构的电算模拟

刘燕声 , 徐家桢 , 梁志德

材料研究学报

本文采用Taylor 模型,在假设临界滑移系开动几率均等和各滑移系作用简单叠加等条件下,模拟计算了{110}〈111〉,{112}〈111〉,{123}〈111〉滑移系开动时体立方金属多晶冷轧织构,并与实测体立方金属多晶冷轧织构取得了较好的一致。

关键词: 织构模拟 , cold rolling texture , simulation by computer

基于小波包分析的磁信号消噪

陈林 , 唐跃进 , 李敬东 , 梁伟

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.016

磁图(Magnetocardiography)是一种无创性记录和分析心脏电磁场的方法.由于心磁场强度极其弱小,必须使用超导量子干涉仪(SQUID)才能检测,其中心磁信号消噪处理十分重要.本文对磁测量中的消噪进行了研究,在小波分析的基础上,提出使用小波包分析方法消噪,通过实验发现小波包分析消噪能获得很好的效果.

关键词: 磁图 , 小波包 , 傅立叶变换

冷轧钢卷“型卷”缺陷的预报及防治技术开发

白振华 , 司红鑫 , 周庆田 , 何高 , 李鹏程 , 李忠

钢铁

针对冷轧钢卷卸卷及冷却过程中的“型卷”缺陷问题,结合冷轧薄带卷取过程中钢卷配置内套筒的设备及相关工艺特点,详细分析了“型卷”缺陷产生的原因,首次引入了表征“型卷”发生概率的钢卷失稳因子新概念,从统计学角度给出了“型卷”缺陷的判断条件,并在此基础上,提出了“型卷”预报技术,开发出了基于设备参数优化选择的经济实用型“型卷”治理技术,编制了冷轧钢卷‘型卷’缺陷预报及套筒选择软件,降低了冷轧钢卷卸卷及冷却过程中“型卷”缺陷发生率.

关键词: 冷轧 , 卸卷 , 型卷 , 钢卷失稳因子

NaCl晶体中氧族离子稳定的(F+2)H

林碧洲 , 许承晃 , 吴季怀 , 邱继晨

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.022

描述了掺氧族离子(O2-,S2-,Se2-)NaCl晶体中(F+2)H的制备过程,报道了氧族离子稳定的(F+2)H的吸收光谱和发射光谱,测量了这些(F+2)H的室温避光稳定性.研究表明,氧族离子对F+2的稳定作用顺序为O2-<Se2-<S2-,而受这三种离子扰动的(F+2)H的光谱峰位相对于纯F+2的移动大小亦为这一顺序.这一顺序与它们相应元素的电子亲合能顺序相同(分别为1.47,2.02,2.07eV).从而,纠正了根据离子大小为预测的结果O2-<S2-<Se2-.本文结果对(F+2)H色心激光晶体材料的研究具有指导意义.研究还表明,随着离子半经的增大,生长出优质的掺杂晶体越来越困难.

关键词: 色心激光 , 激活 , 掺杂效应 , 稳定性

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