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纳米GaP材料的介电特性

张兆春 , 邹陆军 ,

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.007

对在450 ℃条件下进行1 h普通烧结制的纳米GaP块体(~51 nm)的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ)与频率(f)、温度(T)的关系进行了研究. 测量结果表明: 烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响; 几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论. 在介电特性温度谱图上出现极值, 表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制; 同时, 介电特性温度谱图上附加峰的出现预示着纳米GaP块体存在某种复合缺陷.

关键词: 纳米 , GaP , 相对介电常数 , 介电损耗

反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响

郝霄鹏 , 展杰 , 房伟 , 李玲 , 董守义 , , 徐现刚 , 蒋民华

功能材料

研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明:以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200~400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含量随之增加;继续升高温度立方相含量在480℃达到极大值,这时样品中仍然是六方相氮化硼与立方氮化硼共存,但立方氮化硼占优势;继续升高温度,立方氮化硼迅速减少,六方氮化硼含量增加.

关键词: 苯热合成 , 氮化硼 , 立方相

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

王立民 , 刘振刚 , 董守义 , 于美燕 , 郝霄鹏 , , 徐现刚 , 王琪珑

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.005

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.

关键词: 纳米晶 , 表面氧化 , 活化 , 配位键

用水热方法合成氮化硼过程中反应原料种类的影响

李凯 , 廉刚 , 姜海辉 , 高志增 , , 赵显 , 王琪珑 , 陶绪堂 , 蒋民华

功能材料

利用选相原位合成方法制备了立方氮化硼(cBN),研究了硼源和氮源种类对产物物相的影响.利用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)以及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行了表征.结果表明:如果利用硼酸作为反应原料,可以在优化的条件下得到纯相cBN;当硼酸被硼酸铵取代时,制备的样品变成了六方氮化硼(hBN)和cBN的混合物.另一方面,用三聚氰胺取代部分NaN3作为氮源时,样品几乎是纯相的hBN.对上述结果进行了简要分析,并在此基础上给出了水热合成氮化硼过程中反应原料的选择原则.

关键词: 立方氮化硼 , 选相原位合成方法 , 物相控制

ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器的制备和性质表征

徐红燕 , 刘秀琳 , 李梅 , 余丽丽 , 王成建 , 蒋民华 ,

功能材料

以ZnO纳米粉(平均粒径30nm)为原料,利用水热热压方法制备了多孔的ZnO体块纳米固体,测试了以多孔纳米固体为原料制成的厚膜气敏传感器对挥发性有机化合物(VOCs)乙醇、丙酮、苯、甲苯和二甲苯蒸气的气敏特性,并与用ZnO纳米粉制备的厚膜传感器进行了比较.结果发现,与ZnO纳米粉相比,用ZnO多孔纳米固体制备的厚膜传感器在空气中的电阻大大减小,最佳敏感温度降低、响应时间和恢复时间大大缩短.通过综合分析ZnO纳米粉和ZnO多孔纳米固体的XRD、TEM及厚膜传感器的SEM测试结果研究了厚膜传感器气敏特性的差异.

关键词: ZnO多孔纳米固体 , 气敏传感器 , 响应时间

MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

黄根生 , 王成新 , 黄柏标 , , 高善民 , 秦晓燕 , 于淑琴

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.013

采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.

关键词: AlAs/GaAs反射膜 , 反射率 , 导纳矩阵法 , 金属有机化学气相沉积

GaP纳米复合发光材料的合成及性质

潘教青 , , 张兆春 , 黄柏标 , 秦晓燕 , 蒋民华 , 彭俊彪

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.013

用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.

关键词: GaP , 纳米晶 , 复合发光材料 , 水热合成

GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

董守义 , 郝霄鹏 , 于美燕 , 李凯 , 王琪珑 , 蒋民华 ,

功能材料

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微观形貌和物相的影响,结果表明:在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时,制备的氮化硼纳米晶呈现"树枝"状形貌,且样品中立方氮化硼为主要物相.文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论.

关键词: 溶剂热方法 , 氮化硼 , 微观形貌 , 非均相成核

水热处理对SnO2厚膜气敏传感器性能的影响

徐红燕 , 李梅 , 刘秀琳 , 孙海燕 , 王成建 , , 蒋民华

功能材料

研究了水热处理对于SnO2厚膜气敏传感器性能的影响.为了便于作对比,首先把SnO2纳米粉(平均粒径约200nm)平均分为两份:一份不经处理,直接用传统的厚膜传感器制备工艺制成气敏传感器(称为"原粉传感器");另一份经过200℃水热处理后,用同样的工艺制备成厚膜气敏传感器(称为"预处理粉传感器").利用乙醇、丙酮、CH4、H2和CO气体对这两种气敏传感器的性能进行了测试,结果表明预处理粉传感器的灵敏度和选择性明显优于原粉传感器.为了分析出现这种差异的原因,我们对这两种传感器的显微结构进行了分析,并在此基础上对实验现象进行了讨论.

关键词: SnO2纳米粉 , 水热处理 , 气敏传感器 , 灵敏度 , 选择性

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚 , 于美燕 , 白玉俊 , 郝霄鹏 , 王琪珑 , 于乃森 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词: 磷化镓 , 纳米晶 , 纳米棒 , X射线衍射 , 关键因素

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