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磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征

赵志明 , 马二云 , 张晓静 , 田亚萍 , , 百穹 , 曹智睿 , 白力静 , 张国君 , 蒋百灵

功能材料

摘要:在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20-30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。

关键词: 磁控溅射技术 , Si/Si1-xNx多层膜 , Si纳米晶 , Si3N4纳米晶 , TEM

CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究

赵志明 , 丁宇 , 曹智睿 , 田亚萍 , , 张国君 , 蒋百灵

材料导报

利用磁控溅射技术在Sode-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响.结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω·cm.

关键词: Mo薄膜 , 磁控溅射 , XRD , SEM

抗白血病药物克拉滨的合成

夏然 , 孙莉萍 , 渠桂荣 , 陈磊山

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.11.160027

报道了抗白血病药物克拉滨的合成新方法:在NaH作用下,廉价易得的6-氯嘌呤高选择性地在β位和1-氯-2-脱氧-3,5-二-O-对氯苯甲酰基-D-核糖缩合;β-缩合物的2位在三氟乙酸酐和四丁基硝酸铵作用下引入硝基;在NH4 Cl/EtOH作用下,2-硝基转化为2-氯;最后在饱和NH3/CH3 OH溶液中完成保护基脱除和6-氯氨解两步反应,以4步共43.5%的总收率得到抗白血病药物克拉滨。该方法完全避免了α异构体的生成,原料廉价易得,分离纯化不需柱层析,且反应扩大到100 g规模时,收率无下降,具有较好的应用前景。

关键词: 氯嘌呤 , 克拉 , 硝化反应 , 规模合成

固相微萃取-高效液相色谱联用分析环境水样中的痕量(艹)

王超英 , 陶敬奇 , 李碧芳 , 马志玲 , 李攻科

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2002.01.015

应用固相微萃取与高效液相色谱联用技术(SPME-HPLC)分析了环境水样中的痕量(艹)/()。对SPME的条件如萃取时间、萃取温度、离子强度、解吸方式、解吸溶剂、解吸时间和HPLC条件进行了优化,建立了SPME-HPLC分析环境水样中痕量(艹)/()的方法,并将其用于分析自来水、雨水、矿泉水和江水等实际水样。方法的线性范围为0.013 μg/L~3.0 μg/L,检出限为2.7 ng/L ,相对标准偏差(RSD,n=6)为5.6%,回收率为103.2%~119.3%。该方法适合于环境水样中痕量(艹)/()的分析,体现了SPME在样品前处理中快速、灵敏、简单、无溶剂的特点。

关键词: 固相微萃取 , 高效液相色谱 , 联用 , (艹)

准分子激光与角膜组织的相互作用及在光矫正中的应用

沈建新 , 周儒荣 , 宗仁鹤

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.013

准分子激光在光手术中获得了迅速发展,193 nm的准分子激光刻蚀角膜表面,改变角膜表面的光学结构从而矫正光不正,而且由于其微小的力学和热效应,不会损伤邻近组织.本文研究了激光和生物组织的相互作用,定性确定了光斑与角膜表面粗糙度关系,定量分析了193 nm准分子激光高斯光束的切削量与能量密度的关系.在此基础上,给出准分子激光应用到眼科治疗机中的原理图、光程度与激光消融量的关系和具体算法,最后通过PMMA板的实验验证,并已应用到临床,取得了良好的效果.

关键词: 准分子激光 , 生物机理 , 光矫正 , 眼科

弧型连铸机精度的控制

周继勋 , 李小军

钢铁研究

针对铸机扇形段开口度超标更换频繁,结晶器倒锥度跑偏,铸坯偏析、内裂等精度控制不合格等问题,对弧型连铸机扇形段进行了有效的过程控制,达到了铸机扇形段精度参数精确控制的要求,使扇形段使用寿命达到6个月以上,结晶器倒锥度和接缝超标控制在不大于1次/月。

关键词: 连铸机 , 扇形段 , 结晶器 , 精度控制

Volterra位错芯屈服区构型

于志伟 , 许晓磊 , 刘路

金属学报

根据各向同性连续介质中的弹性应力场和Mises屈服准则,计算出Volterra位错芯屈服区的二维几何构型.结果表明:在无限弹性体中,刃型Volterra位错芯屈服区呈哑铃状,且在滑移面上屈服半宽度最大reg=5.9b(b为Burgers矢量模),攀移面上屈服半宽度最小rec=1.4b;螺型Volterra位错芯屈服区为圆形,屈服半径rs=4.1b.在半无限弹性体中.受自由表面镜像位错的作用,螺型位错芯屈服中心向表面偏移,屈服区形态依赖于螺型位错线与自由表面的间距.

关键词: Volterra位错 , null , null

Volterra位错芯屈服区构型

于志伟 , 许晓磊 , 刘路

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.03.003

根据各向同性连续介质中的弹性应力场和Mises屈服准则,计算出Volterra位错芯屈服区的二维几何构型.结果表明:在无限弹性体中,刃型Volterra位错芯屈服区呈哑铃状,且在滑移面上屈服半宽度最大reg=5.9b(b为Burgers矢量模),攀移面上屈服半宽度最小rec=1.4b;螺型Volterra位错芯屈服区为圆形,屈服半径rs=4.1b.在半无限弹性体中.受自由表面镜像位错的作用,螺型位错芯屈服中心向表面偏移,屈服区形态依赖于螺型位错线与自由表面的间距.

关键词: Volterra位错 , 屈服区 , 几何构型

影响埋电缆载流量的因素的研究

孟凡凤 , 张兵 , 方晓明 , 柴进爱 , 李彦明

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.03.020

根据土壤埋电缆的温度场特性,利用有限元法对热场进行剖分和计算,经过迭代计算出有土壤埋电缆的载流量.通过多张图表,分析了影响土壤埋电缆载流量的各个因素以及各因素对载流量的影响规律.

关键词: 有限元 , 埋电缆 , 载流量

纤维的细观动态拔出模型分析

徐松林 , 唐志平 , 戴翔宇 , 郭扬波

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.01.020

在Chanvillard关于非纤维静态拔出模型基础上,建立非纤维的细观动态模型.此模型通过纤维与基体接触界面剪应力的传递考虑纤维的动态拔出过程,并考虑应变率效应.同时,适当选取阈值,建立基于细观损伤演化的纤维脱粘和拔出动态模型.此模型可以很好地模拟Chanvillard关于非纤维的静态实验结果,并能反映复合材料的应变率影响.

关键词: 细观动态模型 , 拔出行为 , 纤维

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