王敬义
,
尹盛
,
陶甫廷
,
吴京波
,
冯信华
,
苏睿
,
许淑慧
,
陈正强
,
陈文辉
,
罗文广
稀有金属材料与工程
根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器.工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间.实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅.
关键词:
等离子体纯化
,
纯化反应
,
表面刻蚀
王敬义
,
王宇
,
陶甫廷
,
陈文辉
,
张巍
,
冯信华
,
陶臻宇
,
尹盛
稀有金属材料与工程
限于工艺条件, 我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时, 提纯效果可忽略不计, 本文经过详细的分析、计算和论证表明, 沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步. 文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的判据. 这对于提高等离子体总的冶金效应和将其推向应用都具有很大的意义.
关键词:
等离子体冶金
,
沉降时间
,
提纯速率
尹盛
,
王敬义
,
李战春
,
张繁
,
沈亮
,
赵伯芳
稀有金属材料与工程
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法.实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%.处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法.文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近.这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段.
关键词:
粉粒表面刻蚀
,
刻蚀提纯
,
太阳级硅
,
直流等离子体
王飞
,
尹盛
,
王家鑫
,
陈亮亮
功能材料
针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm.为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法.通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm.提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%.
关键词:
粉粒纯化
,
工艺参数
,
鞘层
,
太阳级硅
尹盛
,
何笑明
功能材料
太阳级硅材料是制造廉价太阳电池的理想材料.冷等离子体提纯与湿法冶金是制造太阳级硅材料的两种重要方法.它们各有优缺点,使之结合起来则可以取长补短,大大提高硅材料的提纯效果.文中制备了纯度达5mol/L的硅材料,基本达到制造太阳电池的要求.
关键词:
冷等离子体
,
湿法冶金
,
太阳级
,
提纯
张五星
,
薛丽红
,
邹雪城
,
曾祥斌
,
尹盛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.011
通过溶胶-沉淀法制备出完全钙钛矿结构的 Ba0.71Sr0.29TiO3( BST)粉末,粉末的颗粒尺寸约为 300 nm.但得到的 BST粉末不稳定,在乙酸中容易分解.通过 TG- DTA和 XRD分析,直接沉淀得 到的粉末颗粒失重大,而且由于颗粒所吸附的有机物阻碍了 Ba2+和 Sr2+的扩散,造成了直接沉淀的 BST颗粒内部的组分不均匀和结晶不完全.通过对直接沉淀的 BST粉末进行 150- 200 ℃的水热 后处理,其结晶性得到了很大的改善,稳定性也得到了提高.实验表明,水热处理具有与烧结相似 的效果,但 BST粉末的分散性得到了改善.
关键词:
BST
,
粉末
,
溶胶-沉淀法
,
水热处理
,
结晶
刘陈
,
徐重阳
,
尹盛
,
钟志有
,
王长安
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.014
为了研究有机电致发光器件光电性能随工作参数的变化,对 ITO/TPD(50nm)/Alq3(50nm)/Mg/Al的实验数据进行分析,发现该器件在低压时属于注入电流限制,高压时为陷阱电荷限制 (TCLC).另外,采用实验数据验证复合理论 ,发现通过电场数据和电流密度数据( F2/J)能够直接 地反映器件量子效率随电流密度的变化趋势.
关键词:
有机发光器件 (OLED)
,
八羟基喹啉铝 (Alq3)
,
量子效率
,
电荷输运
尹盛
,
曹伯承
,
赵亮
,
王敬义
功能材料
通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75 9,6提高到99.56%.在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96 9,6,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考.
关键词:
冷等离子体
,
冶金级硅
,
刻蚀
,
射频
