尚里曼
,
陈兴品
,
李晓光
,
梅霖
材料热处理学报
采用电子背散射衍射(EBSD)、显微硬度和电子通道衬度像(ECC)等方法研究了一种Al-Mn合金的均匀化制度对随后的再结晶过程的影响.结果表明,合金的再结晶动力学和再结晶织构取决于最初的均匀化工艺,退火过程中同时产生的析出相与再结晶有强烈的相互作用.经过双级均匀化(620℃/10 h+440℃/12 h)处理的合金的再结晶温度比经单级均匀化(620℃/10 h)处理的明显降低;单级均匀化处理析出的析出相对晶界迁移有较强的钉扎作用,再结晶后晶粒形貌与双级均匀化处理样品有很大差异;文章最后讨论了均匀化工艺对再结晶织构的影响.
关键词:
Al-Mn合金
,
均匀化
,
再结晶
,
织构
李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率
杨登辉
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
何知宇
,
曹礼强
,
陈成
,
谢虎
稀有金属材料与工程
采用改进的垂直布里奇曼法在自制的三温区炉内生长出尺寸达φ24 mm×70 mm的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光仪(XRF)以及傅里叶红外光谱仪(FTIR)对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征.加工制作出ZGP光参量振荡器(ZGP-OPO),采用2.1 μm、7kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3～5 μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W.上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用.
关键词:
ZnGeP2
,
单晶生长
,
XRD
,
IR透过谱
,
ZGP-OPO
承刚
,
杨春和
,
陈建荣
,
王海丽
,
周南浩
人工晶体学报
在500 ℃高真空条件下,制备了KPb2Cl5原料,对原料进行了XRD分析,表明该方法能得到纯相的KPb2Cl5.利用改进的布里奇曼法进行了生长KPb2Cl5单晶的实验,得到了直径15 mm的原晶,并测试了晶体样品的基本红外透过性能.结果显示:不镀膜的情况下,3～20 μm的中红外波段,透过率约为80%,具有很好的红外光学性能.
关键词:
KPb2Cl5单晶
,
布里奇曼法
,
红外透过
王立苗
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
肖怀安
人工晶体学报
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.
关键词:
铜
,
单晶生长
,
垂直布里奇曼法
,
蚀坑观察
赵欣
,
金应荣
,
朱兴华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.04.024
碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.
关键词:
碘化铅
,
气相输运法
,
垂直布里奇曼法
,
多晶体
,
单晶体生长
李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
,
王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
关键词:
CdZnTe
,
vertical bridgman method
,
finite element method
,
experimental study
刘俊成
,
谷智
,
介万奇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.015
模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对结晶界面的形态和晶体组分偏析的影响.结果表明:当熔体的过热温度减小时,熔体中自然对流的强度显著降低,固液界面的凹陷深度有所增加,晶体的轴向等浓度区显著加长,而晶体组分的径向偏析明显增大.坩埚的侧面强化换热增加了自然对流强度,也增大了固液界面的凹陷,但是对溶质成分的偏析影响较小.坩埚加速旋转引起的强迫对流强度远大于自然对流,显著增大了固液界面的凹陷,使熔体中的溶质分布成为均一的浓度场,显著减小了晶体组分的径向偏析,增加了晶体组分的轴向偏析.
关键词:
材料科学基础学科
,
晶体生长
,
数值模拟
,
组分偏析
,
传热传质
李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
,
王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.003
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体 生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因.模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面.实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案.
关键词:
CdZnTe
,
垂直布里奇曼法
,
有限元法
,
实验研究
