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第二代高温超导涂层导体由于具有高的不可逆场和在高磁场下的优异导电性能成为目前各国竞相研发的热点.涂层导体制备需要金属材料作为基体,这就要求基体带材有较强立方织构、小的晶界取向差、均匀的晶粒尺寸和较高的表面质量,镍钨合金是目前已知的理想基体材料之一.采用显微硬度实验、EBSD(电子背散射衍射分析)和XRD等技术研究冷轧变形量为98％的Ni-5％W(原子分数)合金基带在不同温度退火后立方织构的变化.EBSD数据结果表明,合金基带在700,900和1200℃退火相同时间后,随着退火温度的升高,晶粒大小分布虽逐渐变均匀,晶粒的形状也更趋向于等轴晶,但平均晶粒尺寸迅速增长,从4.29 μm增加到53.80 μm.基带的立方织构百分含量从49.7％快速增加到93.8％,小角度晶界的含量也由10.4％增加到79.6％,而∑3晶界长度百分比却由47.70％下降到9.68％.同时,XRD的ω扫描半高宽(FWHM)结果显示,随着退火温度的升高,半高宽变化程度不大,从5.9增加到6.8后又下降到5.9,这说明在1200℃时立方织构已很尖锐.该研究结果表明较高的退火温度更有利于获得理想取向的立方织构.

关键词: EBSD , 镍合金 , 再结晶 , 立方织构

退火工艺对镍基带中立方织构形成的影响

陈兴品 , 尚都 , 余晓伟 , 肖睿 , 刘庆

材料热处理学报

应用电子背散射衍射(EBSD)技术研究退火工艺(单步法和两步法)对形变量为99%的镍基带中立方织构形成的影响.结果表明,随着退火温度的升高,镍基带中立方取向和其它取向的晶粒平均尺寸不断增加,立方取向晶粒的平均尺寸比其它取向晶粒的平均尺寸要大,而且随着退火温度的升高,这种晶粒尺寸优势不断的增加;低温退火时退火工艺对立方织构含量影响不明显,而高温退火时其立方织构含量大幅增加;相对于单步退火法,两步退火法能有效的提高镍基带中立方织构的含量.

关键词: 镍基带 , 立方织构 , 电子背散射衍射(EBSD) , 两步退火

应变方式对Bi-2223/Ag超导带材中微裂纹的形成及临界电流的影响

陈兴品 , 余晓伟 , 尚都 , 郑军 , 刘庆

稀有金属材料与工程

对比研究了拉伸、弯曲和压缩3种应变方式对Bi-2223/Ag高温超导带材中微裂纹的形成以及临界电流的影响.实验结果表明:带材的临界应变值在不同的应变方式作用下表现出明显的差异.同时,超导芯中裂纹的扩展途径也有所不同,弯曲时裂纹从带材上表面向内扩展,而拉伸时裂纹的产生则具有随机性.重点讨论了带材内部微裂纹的产生机理.实验发现,带材在拉伸过程中产生轧向裂纹和横向裂纹,而在压缩过程中以轧向裂纹为主,横向裂纹较少.正是这两种裂纹的交互作用导致带材临界电流的降低.

关键词: Bi-2223/Ag高温超导带材 , 应变方式 , 力学性能 , 裂纹形成 , 临界电流

打造新材料名都历练政府角色——第八届淄博新材料技术论坛暨国际科技成果招商洽谈会专访

中国材料进展

关键词:

倾力打造“新材料产业名都”——访淄博市副市长、淄博市高新技术产业开发区管理委员会主任庄鸣

中国材料进展

淄博市作为新材料产业快速发展，成功实现老工业基地转型的代表，连续7次荣获全国科技进步考核先进市称号，先后被评为中国优秀创新型城市、中国最具创新绩效城市，被国家科技部批准为国家新材料成果转化及产业化基地、国家火炬计划淄博医药制造业特色产业基地、国家火炬计划淄博博山泵类产业基地、国家火炬计划淄博先进陶瓷产业基地和国家火炬计划淄博功能玻璃特色产业基地。

关键词: 高新技术产业开发区 , 新材料产业 , 淄博市 , 管理委员会 , 国家火炬计划 , 创新型城市 , 新材料成果转化 , 产业基地

Cu-Ag合金在650～750℃空气中的氧化

牛焱 , 吴维山文

腐蚀学报（英文）

研究了含25,50与75wt%Ag的Cu-Ag合金在650～750℃空气中的氧化。结果表明,在所有的情况下合金均生成氧化铜的外氧化膜,其下为由Ag与Cu2O组成的混合内氧化带。对Cu-50Ag与Cu-75Ag合金在其内氧化带前沿尚出现含Cu的Ag基固溶体的单相层。合金氧化时Ag以金属态留下,在金属Cu的消耗带中自然地成为惰性标记。也有少许细Ag颗粒嵌入生成的外氧化膜中,纯Cu和三种合金的氧化都遵循抛物线规律,其氧化速率常数随合金中Ag含量的增加而降低,从多侧面讨论合金的双相组织对其氧化过程的影响。

关键词: Cu-Ag合金 , null , null

练好基本功,加强高性能器件研究-国家自然科学基金2009年半导体科学领域申请项目概况分析

何杰

半导体学报（英文版）

2009年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头,但各学科分支的发展仍不平衡.虽然经过近几年的迅猛发展,半导体学科在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果,与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷,但在很多关键科学问题和基础工艺方面的进展尚很不尽如人意,制约了学科的进一步发展,也导致许多成果难以转化为可实用化的技术,形成生产力.这需要引起广大科研人员的注意,如何在申请和评审基金过程中很好地把握这一点,需要我们今后几年不断地思索和探究.本文将简述2009年半导体领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2009年半导体学科领域资助的项目清单,供有关科技工作者参考.

关键词: 自然科学基金 , 半导体科学 , 项目申请