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CeO_2缓冲层热处理对Tl-2212薄膜超导特性的影响

谢清连 , 游峰 , 黄国华 , 李建映 , 左涛 , 何明 , , 张玉婷 , 赵新杰 , 方兰 , 阎少林

人工晶体学报

本文采用原子力显微镜(AFM)和XRD研究了生长在蓝宝石(11-02)基片上的CeO_2缓冲层在不同的退火温度和退火时间下表面形貌和相结构的变化,以及对Tl-2212薄膜超导特性的影响.AFM和XRD研究表明,CeO_2薄膜在流动氧环境中退火,表面形貌发生显著的变化;CeO_2薄膜在最佳条件下退火后,可获得原子级光滑表面,结晶质量明显提高.实验结果表明,缓冲层的结晶质量和表面粗糙度与Tl-2212薄膜的超导特性密切相关.在经过最佳条件退火后的CeO_2缓冲层上制备了厚度为500 nm无裂纹的Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(T_c)达到107 K,液氮温度下临界电流密度(J_c)为3.9 MA/cm~2(77 K,0 T),微波表面电阻(R_s)约为281 μΩ(77 K,10 GHz).

关键词: Tl-2212超导薄膜 , 缓冲层 , AFM

Tl2Ba2CaCu2O8薄膜高温超导滤波器研制

左涛 , , 孙磊 , 王传亮 , 赵新杰 , 孙冬艳 , 张畅 , 徐长亮 , 王利 , 方兰 , 阎少林

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.015

开发了一种基于模型的高温超导滤波器仿真设计方法和一种紧凑的组群式G型谐振器结构,研制出了用于WCDMA系统上的带宽为20MHz中心频率为1950MHz的8阶高温超导滤波器. 该滤波器由Tl2Ba2CaCu2O8薄膜制作而成,制作在LaAlO3衬底上,尺寸大小仅为26mm×18mm. 实测结果显示滤波器的最小插入损耗为0.25dB,带外抑制大于70dB,回波损耗好于-16dB,实测的滤波器带宽、中心频率以及边带陡峭度也与仿真设计结果吻合很好,验证了设计方法和制作工艺的准确性.

关键词: 高温超导 , 滤波器 , 仿真

不同厚度Tl-2212薄膜的表面形貌及超导特性研究

谢清连 , , 潘吟松 , 张玉婷 , 黄国华 , 赵新杰 , 方兰 , 阎少林

稀有金属材料与工程

采用直流磁控溅射法和后退火技术在蓝宝石基片上制备了Tl-2212超导薄膜,考察了Tl-2212薄膜的厚度对其形貌和超导特性的影响.实验结果表明,随着超导薄膜厚度增加,其表面形貌由致密平整的结构演化为片状晶体结构,临界转变温度rc和临界电流密度Jc先增大后减小,微波表面电阻Rs先减小后增大.在退火的CeO2缓冲层上所制备的无裂纹薄膜的最大厚度达到600 nm,并仍然具有良好的超导性能.

关键词: Tl-2212超导薄膜 , 蓝宝石 , 表面形貌 , 超导特性

Tl-2212本征约瑟夫森结型负阻器件及负阻放大器

周铁戈 , 李永刚 , , 张旭 , 赵新杰 , 左旭 , 阎少林 , 方兰

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.041

我们利用Tl-2212超导薄膜制作出了的本征约瑟夫森结型负阻器件.对于4 μm长3 μm宽的微桥型负阻器件,峰值电压为0.09V,峰值电流为1.44mA,谷值电压为0.75V,谷值电流为1.05mA,线性区间内负阻阻值约为-1400Ω.利用这种器件,制作了简单的负阻并联式电流放大器.实验证明它确实对信号具有电流放大作用,放大倍数可以通过改变负载电阻的大小来改变.

关键词: 负阻器件 , 本征约瑟夫森效应 , Tl-2212超导薄膜

YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究

谢清连 , 游峰 , 蒙庆华 , , 周铁戈 , 赵新杰 , 方兰 , 阎少林

人工晶体学报

本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.

关键词: Tl-2212超导薄膜 , YSZ , CeO2缓冲层

高温超导薄膜生长机理初探

赵新杰 , , 陈恩 , 左涛 , 周铁戈 , 陈思 , 阎少林 , 方兰 , 左旭

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.047

在3×10×0.5mm3的LaAlO3(001)基片上,利用直流磁控溅射生长一层厚度约为700nm的非晶态Tl2Ba2CaCu2Ox先驱薄膜.将先驱薄膜与热处理过的Tl2Ba2Ca2Cu3Oy块材(作为Tl源)一起在720~860℃温度下退火.为了研究薄膜的初期成核情况,退火时间一般为5分钟.利用XRD和完全抗磁性测试方法对样品的成相情况进行研究,结果显示,在薄膜生长的初期,较高的退火温度可以获得较大尺寸的初期生长核,但是退火温度达到860℃时,初期成核的晶粒尺寸变小.

关键词: Tl-2212 , 高温超导薄膜 , 生长机理 , 热处理

基于准分形结构的具有二次谐波抑制作用的小型化高温超导滤波器的研究

杜佳男 , 葛德勇 , 高晓昕 , 解伟 , 王培 , 赵新杰 , 何明 , 张旭 ,

低温物理学报

为了抑制平面带通滤波器的二次谐波,实现高温超导滤波器的小型化,本文提出了两种新型的准分形结构谐振器,并分别将其应用到微带滤波器的设计与仿真之中.第一种谐振器由希尔伯特分形结构改变而来,由于其相对紧凑度更高,并且保留希尔伯特分形结构的基本性质,因此仿真结果不仅具有更好的二次谐波抑制效果还有更小的体积优势.第二种谐振器由Minkowski分形结构改变而来,基于此谐振器设计了一款八阶带通滤波器,仿真及测试结果表明:基于此谐振器所设计滤波器与传统的微带滤波器相比,二次谐波被推迟了1.5GHz左右,并且体积减小约三分之一.结果证明两种滤波器均具有良好的二次谐波抑制效果和小型化的优势.

关键词: 二次谐波抑制 , 高温超导滤波器 , 小型化 , 准分形结构

Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

, 阎少林 , 赵新杰 , 方兰 , 李永刚 , 何明

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.004

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.

关键词: Tl-2212 , RABTiS , 缓冲层 , YSZ , CeO2

T12Ba2CaCu2O8高温超导薄膜的太赫兹传输研究

万杰 , , 何明 , 吴敬波 , 房玉荣 , 金飚兵

低温物理学报

我们在T12Ba2CaCu2O8高温超导薄膜上制备了不同形状的周期性亚波长结构,利用太赫兹时域光谱系统测量其太赫兹响应,样品的温度变化范围为8K到室温.在低于超导转变温度以下,我们观测到太赫兹传输谱有明显的变化,显示矩形小孔和ELC结构的谐振在进入超导态时均会发生显著增强,并且出现了随温度变化的调谐现象.

关键词: T12Ba2CaCu2O8薄膜 , 高温超导 , 异常透射

在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

, 阎少林 , 赵新杰 , 方兰 , 李永刚 , 何明

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.070

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.

关键词: Tl-2212 , RABTiS , 缓冲层 , YSZ , CeO2

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