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La-Gd-Ca-Mn-O的磁性、电性和磁电阻效应

刘宜华 , 岳龙强 , 徐丽 , 黄佶 , , 王成建 , 张汝贞 , , 梅良膜

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.004

在La0.67Ca0.33MnO3中进行了掺Gd研究,结果发现,经1400℃烧结的样品,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加,材料的相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,居里温度逐渐下降,磁电阻比明显提高。掺入11%的Gd后,可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。

关键词: 钙钛矿结构 , 稀土掺杂锰氧化物 , 超大磁电阻(CMR)

La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物的磁性和输运特性

刘宜华 , 王成建 , 张汝贞 , , 黄宝歆 , 岳龙强 , 梅良模

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.002

在La0.5Ba0.5CoO3中,系统研究了Ce对La的替代效应.Ce的掺入首先产生了电荷转移效应.材料高温磁化率测量表明,每个Ce原子向Co的3d壳层转移2.86个电子,结果随Ce掺入量增加,材料磁矩成线性下降.另外,随Ce含量增加,材料居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.在所研究的温度范围内,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电.由于电荷转移效应,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大.当La全部被Ce替代后,室温下材料的电阻率提高了五个数量级以上.

关键词: La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物 , 电荷转移 , 尺寸效应 , 变程跳跃导电

La0.7Ca0.3MnO3中的双交换作用与小极化子效应

陈勤 , 范晓娟 , , 陈辉 , 章建辉 , 李晓光

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.015

本文研究了La0.7Ca0.3MnO3多晶样品的输运性质、电子顺磁共振(EPR)谱随温度的变化规律.实验发现,材料电阻率、热电势在居里温度附近各形成一个尖锐的峰,而在居里温度上、下有着完全不同的变化规律,EPR谱结果也与之完全吻合.可以认为在居里温度以下双交换作用使eg电子退局域而减小电阻率;而在居里温度以上由Jahn-Teller晶格畸变形成的小极化子使eg电子局域化而增大电阻率.进而证实是双交换作用和小极化子效应共同导致了CMR效应的出现.

关键词:

La0.5Ba0.5CoO3中的Pr掺杂效应

张汝贞 , 王成建 , 刘宜华 , , 栾开政 , 梅良模

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.003

用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物,系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性.结果表明:Pr掺杂没有改变Co的3d电子的巡游特性.随Pr掺杂量增加,材料的分子磁矩单调下降,其原因是当Pr逐渐取代La时,Co离子的3d电子逐渐由中间自旋态向低自旋态转变.随Pr含量增加,材料的居里温度逐渐下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.电阻测量表明:在所研究的温度范围内,居里温度以下,所有掺Pr材料的导电机制为热扩散型.居里点以上,导电机制为变程跳跃导电.

关键词: La0.5-xPrxBa0.5CoO3化合物 , 尺寸效应 , 巡游电子 , 变程跳跃

磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件

任妙娟 , , 陈延学 , 宋红强 , 梅良模 , 刘宜华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.022

用磁控溅射及光刻工艺制成了 5μ m× 5μ m 的 Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达 17μ V.测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性.

关键词: 磁控溅射 , 三端结器件 , 双极性输出

氧分压对Zn 1-xCo xO 1-δ磁性半导体磁特性的调控作用

, 张云鹏 , 颜世申 , 梅良模 , 张泽

金属学报

利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn 1-x Co x O 1-δ 进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn 1-x Co x O 1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素. 在缺氧环境下, 薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn 1-x Co x O 1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成, 两相对薄膜宏观磁性均有贡献; 在富氧的环境下, 非晶Zn-Co-O相消失, 出现了CoO反铁磁相, 纤锌矿结构Zn 1-x Co x O 1-δ中的氧缺位大量减少, 晶粒长大到10-20 nm, 室温铁磁性逐渐减弱, 直至消失.

关键词: 室温铁磁性半导体 , oxygen partial pressure

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