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TFT-LCD边角漏光不良机理分析及改善研究

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173206.0455

目前,薄膜晶体管型液晶显示器(Thin-Film Technology Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已成为显示领域的主流产品,而液晶面板是TFT-LCD的一个重要组成部分.LCD边缘漏光会导致画面失真,影响可视效果,造成画面显示品质下降、良率降低,因此改善边缘漏光成为急待解决的问题.本文研究了液晶与PI膜层取向异常对边角漏光的影响、LC Pattern设计对边角漏光的影响、Si-Ball型号对边角漏光的影响等,结果证明LC Pattern设计对边角漏光具有较好的改善效果,Pattern拉伸可改善边角漏光但更易造成液晶穿刺现象,小滴优化不仅能改善边角漏光而且也能防止液晶穿刺.另外小型Si-Ball对边角漏光改善效果最优,同时从信赖性验证等方面可以排除较小Si-Ball,限定出Si-Ball选择范围.

关键词: TFT-LCD , 边角漏光 , LCPattern , Si-Ball

基于结构相似的CIE L?a?b?颜色信号向孟塞尔色序系统分级转换

叶程 , 刘真 , 吴光远 , 朱明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163106.0626

针对传统数学建模法无法实现CIELAB颜色信号向孟塞尔色序系统精确转换的问题，提出一种基于结构相似的分级转换算法。首先使用Pearson相关系数分析CIELAB颜色系统与孟塞尔色序系统间的结构关系，接着在此基础上采用分级转换的方式先后得到CIELAB颜色信号对应的孟塞尔明度V、色调 H 和彩度C 三色标，并在第二级转换求色标H时使用了一种多次插值求最小色差的新方法，以保证算法的计算精度。对2735组检验样本的测试结果表明，本文算法具有良好的计算精度和可靠性，并可被广泛应用于各类图像颜色信号处理系统中。

关键词: 跨媒体 , 图像信号处理 , 颜色空间转换 , CIELAB颜色空间 , 孟塞尔色序系统

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

低维材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.

关键词: 低维材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低维材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低维材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二维方孔光栅的平面三维显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三维显示 , 纵横视差 , 像质因子

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

三维RIM充模模拟

任世杰 , 戴干策

高分子材料科学与工程

采用混合数值方法对三维RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三维问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三维有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.

关键词: 反应注射成型 , 充模 , 数值模拟

高维量子态存储

丁冬生 , 周志远 , 史保森

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.008

量子通信网络主要由用于存储和操纵量子态的存储单元和联络存储单元之间的信息载体构成.光子是信息载体的最佳选择,存储单元可以由固态材料或气态原子组成.相对于二维空间,编码于一个高维空间的光子可以携带更大的信息量.若能够实现编码于高维空间的量子态存储,则在增大存储单元存储容量的同时,还可以提高网络的信道容量和传输效率,因而高维量子态的存储研究成为当前量子信息领域的热点领域.简要回顾了国内外在高维量子态存储方面的进展,着重介绍了近期基于冷原子系综实现单光子条件下高维量子态存储的突破性进展,提出了构建高维量子网络需要解决的关键问题.

关键词: 量子光学 , 量子存储器 , 高维编码态 , 轨道角动量 , 存储