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低温水热法生长 ZnO 纳米棒阵列的电子结构及光学特性

孙英 , 边继明 , 孙景昌 , 梁红伟 , 邹崇文 , 骆英民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636

使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列. 通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测. 结果表明, 六棱柱形ZnO纳米棒沿 c 轴方向的阵列性良好, 且均匀致密的生长在衬底上. 室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列. 使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量, 研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响. 另外, 对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.

关键词: ZnO纳米棒阵列 , hydrothermal , photoluminescence , X-ray absorption near-edgespectroscope

衬底对低温化学池沉积法生长的垂直ZnO纳米棒阵列的结构、形态和光学性能的影响

孙英 , 边继明 , 李庆伟 , 骆英民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10153

衬底的选择是得到高质量ZnO纳米棒的一个重要因素. 在95℃的较低温度下用CBD方法在不同衬底(石英玻璃, 硅和ITO玻璃)上生长ZnO纳米棒阵列. X射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)结果显示六角形的ZnO纳米棒致密垂直地生长在衬底上, 而纳米棒的平均直径和长度则与衬底的性质密切相关. 各种衬底的ZnO纳米棒阵列的室温光致发光(PL)光谱都可以观测到强烈的近带边紫外发射峰, 而无论是晶体还是非晶体, 经常可以观察到的与缺陷相关的深能级发射都几乎观察不到. 这意味着通过这种简便的低温化学方法可以获得高光学性能的ZnO纳米棒阵列. 此外, 不同衬底间UV发射的小幅度迁移可以用压应力来解释, 并用拉曼光谱进行了进一步的证明.

关键词: ZnO , nanorod arrays , chemical bath deposition , photoluminescence

衬底对低温化学池沉积法生长的垂直ZnO纳米棒阵列的结构、形态和光学性能的影响

孙英 , 边继明 , 李庆伟 , 骆英民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10153

衬底的选择是得到高质量ZnO纳米棒的一个重要因素.在95℃的较低温度下用CBD方法在不同衬底(石英玻璃,硅和ITO玻璃)上生长ZnO纳米棒阵列.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)结果显示六角形的ZnO纳米棒致密垂直地生长在衬底上,而纳米棒的平均直径和长度则与衬底的性质密切相关.各种衬底的ZnO纳米棒阵列的室温光致发光(PL)光谱都可以观测到强烈的近带边紫外发射峰,而无论是晶体还是非晶体,经常可以观察到的与缺陷相关的深能级发射都几乎观察不到.这意味着通过这种简便的低温化学方法可以获得高光学性能的ZnO纳米棒阵列.此外,不同衬底间UV发射的小幅度迁移可以用压应力来解释,并用拉曼光谱进行了进步的证明.

关键词: ZnO , 纳米棒阵列 , 化学池沉积法 , 光致发光

低温水热法生长ZnO纳米棒阵列的电子结构及光学特性

孙英 , 边继明 , 孙景昌 , 梁红伟 , 邹崇文 , 骆英民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636

使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.

关键词: ZnO纳米棒阵列 , 水热法 , 光致发光谱 , X射线吸收近带边谱

沿走向分条小进路采矿法在黑沟金矿的应用

李争

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.06.007

对上向水平分层尾砂充填采矿法进行变形,从而解决了黑沟金矿区的中厚且不稳固矿体回采难题,并对该矿体采用沿矿体走向分条小进路采矿法进行了试验.通过几年的应用及实践取得了较好的经济效益.

关键词: 走向分条 , 小进路 , 铁筒顺路

三峡库区栽培重楼中重金属元素的含量与评价

周浓 , 张杰 , 郭冬琴 , 丁博 , 杨丝丝 , 黄均

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.09.2015020602

采集了三峡库区不同产地重楼药材种植基地的根际土壤及其药材,研究了土壤中重金属镉( Cd)、汞(Hg)、砷(As)、铜(Cu)和铅(Pb)的含量及其在药材中重金属残留量状况,对照相应标准,分析评价各类土壤和重楼药材中重金属含量的污染现状和富集系数.结果表明,不同产地重楼栽培土壤重金属残留量差异显著, Cd、Hg、As、Cu、Pb的平均含量为0.19、0.07、0.07、25.70、59.34 mg·kg-1,Hg、As、Cu、Pb含量均未超过国家二级土壤环境质量标准,但城口县栽培基地Cd含量超过国家二级土壤环境质量标准.不同产地重楼药材中重金属残留量差异较大,Cd、Hg、As含量均低于《药用植物及制剂外经贸绿色行业标准》的限量标准,渝北区和城口县天乡重楼药材中Cu、Pb含量高于国家限量标准.同时,不同产地重楼对土壤重金属的累积能力存在明显差异,部分产地重楼对Hg、Cu的富集系数>1,但均显著低于超富集植物的临界含量标准(1000 mg·kg-1).对不同产地重楼栽培土壤重金属含量进行风险评估及分级发现,除城口县栽培土壤主要受到重金属Cd的污染,达到轻污染或警戒级外,其余栽培均为安全级.

关键词: 三峡库区 , 重楼 , 土壤 , 重金属 , 残留量 , 富集特性 , 污染现状

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