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稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件

, 张俊杰 , 杨阳 , 张新霞 , 刘海旭 ,

材料科学与工程学报

本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况.通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm、543 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性.在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化Ⅲ-V族半导体发光二极管的水平.

关键词: 半导体光电子 , 电致发光 , MOS器件 , 稀土离子 , 二氧化硅

纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响

张俊杰 , , 杨阳 , 张新霞 , 刘海旭 ,

材料科学与工程学报

本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响.随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用.相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率.

关键词: , 电致发光 , 光致发光 , 二氧化硅 , 纳米硅

离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管

杨阳 , , 张俊杰 , 张新霞 , 刘海旭 ,

材料科学与工程学报

本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响.随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级.在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰.随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应.

关键词: 束缚激子 , 离子注入 , , 退火 , 调制掺杂

CaS:TmF3粉末蓝色发光材料的制备

, 钟国柱 , 范希武 , 郑陈玮 , Gerd.O.Mueller , ReginaMuller-Mach

无机材料学报

本文研究了S+H2,S;H2S+H2;H2S,S+H2S和S+H2S十H2等不同气氛下用CaCO3硫化法制备的CaS粉末中的CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛和反应方法的关系.X射线衍射分析表明,CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛有密切的联系.CaS粉末中F中心(带两个正电荷的S空位俘获一个电子)的数量与反应原材料和CaSO4和CaO杂质相的含量有关.光致发光的激发光谱表明,在CaS:TmF3发光粉末中存在由Tm3+离子发光中心向F中心的能量传递,CaS粉末大量的F中心的存在不利于CaS:TmF3蓝色发光效率的提高.通过对不同气氛下制备的CaS粉末F中心、CaSO4和CaO杂质相的含量进行分析和比较,找到了制备适用于CaS:TmF3发光材料的CaS粉末的最佳方法.

关键词: CaS , null , null , null

半绝缘Si/SiO2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性

张新霞 , , 张俊杰 , 杨阳 , 刘海旭

材料科学与工程学报

本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性.以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光.Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮度可达到1.4cd/m2.随着Si层厚度的增加,Si/SiO2超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强,可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用.当超品格中SiO2层厚度小于过热电子的平均自由程时,过热电子的平均能量减小导致短波侧的发光强度迅速下降,电致发光强度随之迅速降低.

关键词: 超晶格 , 电致发光 , Si量子点 , 电子平均自由程

胶西北前家—洼家断裂带构造地球化学找矿预测

祝涛 , 杨斌

黄金 doi:10.11792/hj20160103

马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前家—洼家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前家—洼家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 家—洼家断裂带

罗丹化学研究的新进展?

张来新 , 朱海云

合成材料老化与应用

简要介绍了罗丹化合物的结构特征、合成、特性及应用,重点介绍了:①新型罗丹类荧光探针的合成与性能研究;②新型罗丹及香豆素类荧光探针的合成及其对金属离子的识别。并对罗丹化学的发展进行了展望。

关键词: 罗丹 , 合成 , 应用

光纤中三阶色散对类孤子传输特性的影响

罗开基 , 刘庆仪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.017

本文采用变分法,探讨了三阶色散存在时类孤子在光纤中的传输特性,导出了类孤子参数随传输距离的演化方程组,讨论了三阶色散对类孤子传输特性的影响.

关键词: 三阶色散 , 孤子 , 变分法

光纤中非线性阻尼对类孤子传输特性的影响

谢应茂 , 曾春香 , 王形华

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.030

研究了光纤中非线性阻尼对类孤子传输特性的影响,导出了类孤子脉冲参数演化的动力学方程.对于常规单模光纤,光纤非线性阻尼将对类孤子脉冲的振幅、脉宽、啁啾、频率和相位参数有影响,而对位置参数ξ无影响.

关键词: 导波光学 , 光纤光学 , 孤子 , 非线性阻尼 , 微扰理论

莱康发动机活塞腐蚀及其预防

陈亮 , 吴江

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2008.05.008

活塞是发动机的重要受力、受热部件之一,其工作条件恶劣,容易出现热疲劳损伤;同时活塞上的局部腐蚀会产生应力集中源.由此严重影响到飞行安全.以美制NEW PIPER PA44-180双发飞机使用的莱康航空活塞发动机的活塞为例,对其在成都地区的大气环境下腐蚀产生的原因进行了分析,并提出了相应的预防措施.

关键词: 活塞 , 腐蚀 , 预防 , 大气环境

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